CY62256VNLL-70SNXI,827-2569,Cypress Semiconductor CY62256VNLL-70SNXI, 256kbit SRAM 内存, 32K x 8, 1MHz, 2.7 至 3.6 V, 28针 SNC封装 ,Cypress Semiconductor
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CY62256VNLL-70SNXI
Cypress Semiconductor CY62256VNLL-70SNXI, 256kbit SRAM 内存, 32K x 8, 1MHz, 2.7 至 3.6 V, 28针 SNC封装
制造商零件编号:
CY62256VNLL-70SNXI
制造商:
Cypress Semiconductor
Cypress Semiconductor
库存编号:
827-2569
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
CY62256VNLL-70SNXI产品详细信息
异步静态 RAM 存储器,Cypress Semiconductor
CY62256VNLL-70SNXI产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
18.03mm
尺寸
0.710 x 0.3 x 0.11in
存储器大小
256Kbit
低功率
是
封装类型
SNC
高度
2.79mm
宽度
0.3in
每字组的位元数目
8Bit
时钟频率
1MHz
位址总线宽
15Bit
引脚数目
28
字组数目
32K
组织
32k x 8
最长随机存取时间
70ns
最大工作电源电压
3.6 V
最低工作温度
-40 °C
最高工作温度
+85 °C
最小工作电源电压
2.7 V
关键词
CY62256VNLL-70SNXI相关搜索
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SRAM 存储器芯片 安装类型 表面贴装
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 安装类型 表面贴装
长度 18.03mm
Cypress Semiconductor 长度 18.03mm
SRAM 存储器芯片 长度 18.03mm
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 长度 18.03mm
尺寸 0.710 x 0.3 x 0.11in
Cypress Semiconductor 尺寸 0.710 x 0.3 x 0.11in
SRAM 存储器芯片 尺寸 0.710 x 0.3 x 0.11in
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 尺寸 0.710 x 0.3 x 0.11in
存储器大小 256Kbit
Cypress Semiconductor 存储器大小 256Kbit
SRAM 存储器芯片 存储器大小 256Kbit
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 存储器大小 256Kbit
低功率 是
Cypress Semiconductor 低功率 是
SRAM 存储器芯片 低功率 是
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封装类型 SNC
Cypress Semiconductor 封装类型 SNC
SRAM 存储器芯片 封装类型 SNC
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 封装类型 SNC
高度 2.79mm
Cypress Semiconductor 高度 2.79mm
SRAM 存储器芯片 高度 2.79mm
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 高度 2.79mm
宽度 0.3in
Cypress Semiconductor 宽度 0.3in
SRAM 存储器芯片 宽度 0.3in
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 宽度 0.3in
每字组的位元数目 8Bit
Cypress Semiconductor 每字组的位元数目 8Bit
SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 8Bit
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 8Bit
时钟频率 1MHz
Cypress Semiconductor 时钟频率 1MHz
SRAM 存储器芯片 时钟频率 1MHz
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 时钟频率 1MHz
位址总线宽 15Bit
Cypress Semiconductor 位址总线宽 15Bit
SRAM 存储器芯片 位址总线宽 15Bit
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 位址总线宽 15Bit
引脚数目 28
Cypress Semiconductor 引脚数目 28
SRAM 存储器芯片 引脚数目 28
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 引脚数目 28
字组数目 32K
Cypress Semiconductor 字组数目 32K
SRAM 存储器芯片 字组数目 32K
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 字组数目 32K
组织 32k x 8
Cypress Semiconductor 组织 32k x 8
SRAM 存储器芯片 组织 32k x 8
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 组织 32k x 8
最长随机存取时间 70ns
Cypress Semiconductor 最长随机存取时间 70ns
SRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 70ns
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 70ns
最大工作电源电压 3.6 V
Cypress Semiconductor 最大工作电源电压 3.6 V
SRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 3.6 V
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 3.6 V
最低工作温度 -40 °C
Cypress Semiconductor 最低工作温度 -40 °C
SRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C
最高工作温度 +85 °C
Cypress Semiconductor 最高工作温度 +85 °C
SRAM 存储器芯片 最高工作温度 +85 °C
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最小工作电源电压 2.7 V
Cypress Semiconductor 最小工作电源电压 2.7 V
SRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 2.7 V
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