CY62148EV30LL-45ZSXI,827-2540,Cypress Semiconductor CY62148EV30LL-45ZSXI, 4Mbit SRAM 内存, 512K x 8, 1MHz, 2.2 → 3.6 V, 32针 TSOP封装 ,Cypress Semiconductor
ROHM代理商
专业代理销售ROHM（罗姆）全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

Cypress Semiconductor CY62148EV30LL-45ZSXI, 4Mbit SRAM 内存, 512K x 8, 1MHz, 2.2 → 3.6 V, 32针 TSOP封装

制造商零件编号：
CY62148EV30LL-45ZSXI
库存编号：
827-2540
Cypress Semiconductor CY62148EV30LL-45ZSXI
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

CY62148EV30LL-45ZSXI产品详细信息

异步静态 RAM 存储器，Cypress Semiconductor

CY62148EV30LL-45ZSXI产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  21.08mm  
  尺寸  21.08 x 10.29 x 1.05mm  
  存储器大小  4Mbit  
  低功率  是  
  封装类型  TSOP  
  高度  1.05mm  
  宽度  10.29mm  
  每字组的位元数目  8Bit  
  时钟频率  1MHz  
  位址总线宽  19Bit  
  引脚数目  32  
  字组数目  512K  
  组织  512k x 8  
  最长随机存取时间  45ns  
  最大工作电源电压  3.6 V  
  最低工作温度  -40 °C  
  最高工作温度  +85 °C  
  最小工作电源电压  2.2 V  
关键词         

CY62148EV30LL-45ZSXI相关搜索

安装类型 表面贴装  Cypress Semiconductor 安装类型 表面贴装  SRAM 存储器芯片 安装类型 表面贴装  Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 安装类型 表面贴装   长度 21.08mm  Cypress Semiconductor 长度 21.08mm  SRAM 存储器芯片 长度 21.08mm  Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 长度 21.08mm   尺寸 21.08 x 10.29 x 1.05mm  Cypress Semiconductor 尺寸 21.08 x 10.29 x 1.05mm  SRAM 存储器芯片 尺寸 21.08 x 10.29 x 1.05mm  Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 尺寸 21.08 x 10.29 x 1.05mm   存储器大小 4Mbit  Cypress Semiconductor 存储器大小 4Mbit  SRAM 存储器芯片 存储器大小 4Mbit  Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 存储器大小 4Mbit   低功率 是  Cypress Semiconductor 低功率 是  SRAM 存储器芯片 低功率 是  Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 低功率 是   封装类型 TSOP  Cypress Semiconductor 封装类型 TSOP  SRAM 存储器芯片 封装类型 TSOP  Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 封装类型 TSOP   高度 1.05mm  Cypress Semiconductor 高度 1.05mm  SRAM 存储器芯片 高度 1.05mm  Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 高度 1.05mm   宽度 10.29mm  Cypress Semiconductor 宽度 10.29mm  SRAM 存储器芯片 宽度 10.29mm  Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 宽度 10.29mm   每字组的位元数目 8Bit  Cypress Semiconductor 每字组的位元数目 8Bit  SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 8Bit  Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 8Bit   时钟频率 1MHz  Cypress Semiconductor 时钟频率 1MHz  SRAM 存储器芯片 时钟频率 1MHz  Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 时钟频率 1MHz   位址总线宽 19Bit  Cypress Semiconductor 位址总线宽 19Bit  SRAM 存储器芯片 位址总线宽 19Bit  Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 位址总线宽 19Bit   引脚数目 32  Cypress Semiconductor 引脚数目 32  SRAM 存储器芯片 引脚数目 32  Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 引脚数目 32   字组数目 512K  Cypress Semiconductor 字组数目 512K  SRAM 存储器芯片 字组数目 512K  Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 字组数目 512K   组织 512k x 8  Cypress Semiconductor 组织 512k x 8  SRAM 存储器芯片 组织 512k x 8  Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 组织 512k x 8   最长随机存取时间 45ns  Cypress Semiconductor 最长随机存取时间 45ns  SRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 45ns  Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 45ns   最大工作电源电压 3.6 V  Cypress Semiconductor 最大工作电源电压 3.6 V  SRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 3.6 V  Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 3.6 V   最低工作温度 -40 °C  Cypress Semiconductor 最低工作温度 -40 °C  SRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C  Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C   最高工作温度 +85 °C  Cypress Semiconductor 最高工作温度 +85 °C  SRAM 存储器芯片 最高工作温度 +85 °C  Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 最高工作温度 +85 °C   最小工作电源电压 2.2 V  Cypress Semiconductor 最小工作电源电压 2.2 V  SRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 2.2 V  Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 2.2 V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

CY62148EV30LL-45ZSXI产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号