CY62126EV30LL-45ZSXI,827-2506,Cypress Semiconductor CY62126EV30LL-45ZSXI, 1Mbit SRAM 内存, 64K x 16, 1MHz, 2.2 至 3.6 V, 44针 TSOP封装 ,Cypress Semiconductor
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CY62126EV30LL-45ZSXI
Cypress Semiconductor CY62126EV30LL-45ZSXI, 1Mbit SRAM 内存, 64K x 16, 1MHz, 2.2 至 3.6 V, 44针 TSOP封装
制造商零件编号:
CY62126EV30LL-45ZSXI
制造商:
Cypress Semiconductor
Cypress Semiconductor
库存编号:
827-2506
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
CY62126EV30LL-45ZSXI产品详细信息
异步静态 RAM 存储器,Cypress Semiconductor
CY62126EV30LL-45ZSXI产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
18.52mm
尺寸
18.517 x 10.262 x 1.044mm
存储器大小
1Mbit
低功率
是
封装类型
TSOP
高度
1.044mm
宽度
10.262mm
每字组的位元数目
16Bit
时钟频率
1MHz
位址总线宽
16Bit
引脚数目
44
字组数目
64K
组织
64k x 16
最长随机存取时间
45ns
最大工作电源电压
3.6 V
最低工作温度
-40 °C
最高工作温度
+85 °C
最小工作电源电压
2.2 V
关键词
CY62126EV30LL-45ZSXI相关搜索
安装类型 表面贴装
Cypress Semiconductor 安装类型 表面贴装
SRAM 存储器芯片 安装类型 表面贴装
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长度 18.52mm
Cypress Semiconductor 长度 18.52mm
SRAM 存储器芯片 长度 18.52mm
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 长度 18.52mm
尺寸 18.517 x 10.262 x 1.044mm
Cypress Semiconductor 尺寸 18.517 x 10.262 x 1.044mm
SRAM 存储器芯片 尺寸 18.517 x 10.262 x 1.044mm
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 尺寸 18.517 x 10.262 x 1.044mm
存储器大小 1Mbit
Cypress Semiconductor 存储器大小 1Mbit
SRAM 存储器芯片 存储器大小 1Mbit
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 存储器大小 1Mbit
低功率 是
Cypress Semiconductor 低功率 是
SRAM 存储器芯片 低功率 是
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 低功率 是
封装类型 TSOP
Cypress Semiconductor 封装类型 TSOP
SRAM 存储器芯片 封装类型 TSOP
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 封装类型 TSOP
高度 1.044mm
Cypress Semiconductor 高度 1.044mm
SRAM 存储器芯片 高度 1.044mm
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 高度 1.044mm
宽度 10.262mm
Cypress Semiconductor 宽度 10.262mm
SRAM 存储器芯片 宽度 10.262mm
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 宽度 10.262mm
每字组的位元数目 16Bit
Cypress Semiconductor 每字组的位元数目 16Bit
SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 16Bit
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 16Bit
时钟频率 1MHz
Cypress Semiconductor 时钟频率 1MHz
SRAM 存储器芯片 时钟频率 1MHz
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 时钟频率 1MHz
位址总线宽 16Bit
Cypress Semiconductor 位址总线宽 16Bit
SRAM 存储器芯片 位址总线宽 16Bit
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引脚数目 44
Cypress Semiconductor 引脚数目 44
SRAM 存储器芯片 引脚数目 44
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 引脚数目 44
字组数目 64K
Cypress Semiconductor 字组数目 64K
SRAM 存储器芯片 字组数目 64K
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 字组数目 64K
组织 64k x 16
Cypress Semiconductor 组织 64k x 16
SRAM 存储器芯片 组织 64k x 16
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 组织 64k x 16
最长随机存取时间 45ns
Cypress Semiconductor 最长随机存取时间 45ns
SRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 45ns
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最大工作电源电压 3.6 V
Cypress Semiconductor 最大工作电源电压 3.6 V
SRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 3.6 V
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 3.6 V
最低工作温度 -40 °C
Cypress Semiconductor 最低工作温度 -40 °C
SRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C
最高工作温度 +85 °C
Cypress Semiconductor 最高工作温度 +85 °C
SRAM 存储器芯片 最高工作温度 +85 °C
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最小工作电源电压 2.2 V
Cypress Semiconductor 最小工作电源电压 2.2 V
SRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 2.2 V
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CY62126EV30LL-45ZSXI产品技术参数资料
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