CY14B108N-ZSP45XI,827-2455,Cypress Semiconductor CY14B108N-ZSP45XI, 8Mbit SRAM 内存, 512K x 16, 1MHz, 2.7 至 3.6 V, 54针 TSOP封装 ,Cypress Semiconductor
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Cypress Semiconductor CY14B108N-ZSP45XI, 8Mbit SRAM 内存, 512K x 16, 1MHz, 2.7 至 3.6 V, 54针 TSOP封装

制造商零件编号：
CY14B108N-ZSP45XI
库存编号：
827-2455
Cypress Semiconductor CY14B108N-ZSP45XI
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CY14B108N-ZSP45XI产品详细信息

非易失 RAM，Cypress Semiconductor

CY14B108N-ZSP45XI产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  22.52mm  
  尺寸  22.517 x 10.262 x 1.05mm  
  存储器大小  8Mbit  
  封装类型  TSOP  
  高度  1.05mm  
  宽度  10.262mm  
  每字组的位元数目  16Bit  
  时钟频率  1MHz  
  位址总线宽  19Bit  
  引脚数目  54  
  字组数目  512K  
  组织  512k x 16  
  最长随机存取时间  45ns  
  最大工作电源电压  3.6 V  
  最低工作温度  -40 °C  
  最高工作温度  +85 °C  
  最小工作电源电压  2.7 V  
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安装类型 表面贴装  Cypress Semiconductor 安装类型 表面贴装  SRAM 存储器芯片 安装类型 表面贴装  Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 安装类型 表面贴装   长度 22.52mm  Cypress Semiconductor 长度 22.52mm  SRAM 存储器芯片 长度 22.52mm  Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 长度 22.52mm   尺寸 22.517 x 10.262 x 1.05mm  Cypress Semiconductor 尺寸 22.517 x 10.262 x 1.05mm  SRAM 存储器芯片 尺寸 22.517 x 10.262 x 1.05mm  Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 尺寸 22.517 x 10.262 x 1.05mm   存储器大小 8Mbit  Cypress Semiconductor 存储器大小 8Mbit  SRAM 存储器芯片 存储器大小 8Mbit  Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 存储器大小 8Mbit   封装类型 TSOP  Cypress Semiconductor 封装类型 TSOP  SRAM 存储器芯片 封装类型 TSOP  Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 封装类型 TSOP   高度 1.05mm  Cypress Semiconductor 高度 1.05mm  SRAM 存储器芯片 高度 1.05mm  Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 高度 1.05mm   宽度 10.262mm  Cypress Semiconductor 宽度 10.262mm  SRAM 存储器芯片 宽度 10.262mm  Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 宽度 10.262mm   每字组的位元数目 16Bit  Cypress Semiconductor 每字组的位元数目 16Bit  SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 16Bit  Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 16Bit   时钟频率 1MHz  Cypress Semiconductor 时钟频率 1MHz  SRAM 存储器芯片 时钟频率 1MHz  Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 时钟频率 1MHz   位址总线宽 19Bit  Cypress Semiconductor 位址总线宽 19Bit  SRAM 存储器芯片 位址总线宽 19Bit  Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 位址总线宽 19Bit   引脚数目 54  Cypress Semiconductor 引脚数目 54  SRAM 存储器芯片 引脚数目 54  Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 引脚数目 54   字组数目 512K  Cypress Semiconductor 字组数目 512K  SRAM 存储器芯片 字组数目 512K  Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 字组数目 512K   组织 512k x 16  Cypress Semiconductor 组织 512k x 16  SRAM 存储器芯片 组织 512k x 16  Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 组织 512k x 16   最长随机存取时间 45ns  Cypress Semiconductor 最长随机存取时间 45ns  SRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 45ns  Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 45ns   最大工作电源电压 3.6 V  Cypress Semiconductor 最大工作电源电压 3.6 V  SRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 3.6 V  Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 3.6 V   最低工作温度 -40 °C  Cypress Semiconductor 最低工作温度 -40 °C  SRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C  Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C   最高工作温度 +85 °C  Cypress Semiconductor 最高工作温度 +85 °C  SRAM 存储器芯片 最高工作温度 +85 °C  Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 最高工作温度 +85 °C   最小工作电源电压 2.7 V  Cypress Semiconductor 最小工作电源电压 2.7 V  SRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 2.7 V  Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 2.7 V  
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型号 制造商 描述 操作
CY14B108N-ZSP45XI
[更多]		 Cypress Semiconductor

IC NVSRAM 8MBIT 45NS 54TSOP

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NVRAM 8Mb 3V 45ns 512K x 16 nvSRAM

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CY14B108N-ZSP45XI
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NVRAM NVSRAM Parallel 8Mbit 3V 54-Pin TSOP-II Tray

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Cypress Semiconductor - CY14B108N-ZSP45XI - Cypress Semiconductor CY14B108N-ZSP45XI, 8Mbit SRAM 内存, 512K x 16, 1MHz, 2.7 至 3.6 V, 54针 TSOP封装
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CY14B108N-ZSP45XI
品牌：
Cypress Semiconductor
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Cypress Semiconductor Corp - CY14B108N-ZSP45XI - IC NVSRAM 8MBIT 45NS 54TSOP		Cypress Semiconductor Corp
IC NVSRAM 8MBIT 45NS 54TSOP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 8Mb （512K x 16） 并联 45ns 54-TSOP II

型号：CY14B108N-ZSP45XI
仓库库存编号：428-3282-ND
别名：428-3282 <br>CY14B108N-ZSP45XI-ND <br>CY14B108NZSP45XI <br>

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IC NVSRAM 8MBIT 45NS 54TSOP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 8Mb （512K x 16） 并联 45ns 54-TSOP II

型号：CY14B108N-ZSP45XIT
仓库库存编号：CY14B108N-ZSP45XIT-ND

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CY14B108N-ZSP45XI产品技术参数资料

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