CY14B256LA-SZ45XI,827-2452,Cypress Semiconductor CY14B256LA-SZ45XI, 256kbit SRAM 内存, 32K x 8, 1MHz, 2.7 至 3.6 V, 32针 SOIC封装 ,Cypress Semiconductor
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CY14B256LA-SZ45XI
Cypress Semiconductor CY14B256LA-SZ45XI, 256kbit SRAM 内存, 32K x 8, 1MHz, 2.7 至 3.6 V, 32针 SOIC封装
制造商零件编号:
CY14B256LA-SZ45XI
制造商:
Cypress Semiconductor
Cypress Semiconductor
库存编号:
827-2452
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
CY14B256LA-SZ45XI产品详细信息
非易失 RAM,Cypress Semiconductor
CY14B256LA-SZ45XI产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
20.88mm
尺寸
20.878 x 7.594 x 2.286mm
存储器大小
256Kbit
封装类型
SOIC
高度
2.286mm
宽度
7.594mm
每字组的位元数目
8Bit
时钟频率
1MHz
位址总线宽
15Bit
引脚数目
32
字组数目
32K
组织
32k x 8
最长随机存取时间
45ns
最大工作电源电压
3.6 V
最低工作温度
-40 °C
最高工作温度
+85 °C
最小工作电源电压
2.7 V
关键词
CY14B256LA-SZ45XI相关搜索
安装类型 表面贴装
Cypress Semiconductor 安装类型 表面贴装
SRAM 存储器芯片 安装类型 表面贴装
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长度 20.88mm
Cypress Semiconductor 长度 20.88mm
SRAM 存储器芯片 长度 20.88mm
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 长度 20.88mm
尺寸 20.878 x 7.594 x 2.286mm
Cypress Semiconductor 尺寸 20.878 x 7.594 x 2.286mm
SRAM 存储器芯片 尺寸 20.878 x 7.594 x 2.286mm
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 尺寸 20.878 x 7.594 x 2.286mm
存储器大小 256Kbit
Cypress Semiconductor 存储器大小 256Kbit
SRAM 存储器芯片 存储器大小 256Kbit
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 存储器大小 256Kbit
封装类型 SOIC
Cypress Semiconductor 封装类型 SOIC
SRAM 存储器芯片 封装类型 SOIC
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 封装类型 SOIC
高度 2.286mm
Cypress Semiconductor 高度 2.286mm
SRAM 存储器芯片 高度 2.286mm
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 高度 2.286mm
宽度 7.594mm
Cypress Semiconductor 宽度 7.594mm
SRAM 存储器芯片 宽度 7.594mm
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 宽度 7.594mm
每字组的位元数目 8Bit
Cypress Semiconductor 每字组的位元数目 8Bit
SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 8Bit
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 8Bit
时钟频率 1MHz
Cypress Semiconductor 时钟频率 1MHz
SRAM 存储器芯片 时钟频率 1MHz
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 时钟频率 1MHz
位址总线宽 15Bit
Cypress Semiconductor 位址总线宽 15Bit
SRAM 存储器芯片 位址总线宽 15Bit
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 位址总线宽 15Bit
引脚数目 32
Cypress Semiconductor 引脚数目 32
SRAM 存储器芯片 引脚数目 32
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 引脚数目 32
字组数目 32K
Cypress Semiconductor 字组数目 32K
SRAM 存储器芯片 字组数目 32K
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 字组数目 32K
组织 32k x 8
Cypress Semiconductor 组织 32k x 8
SRAM 存储器芯片 组织 32k x 8
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 组织 32k x 8
最长随机存取时间 45ns
Cypress Semiconductor 最长随机存取时间 45ns
SRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 45ns
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 45ns
最大工作电源电压 3.6 V
Cypress Semiconductor 最大工作电源电压 3.6 V
SRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 3.6 V
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 3.6 V
最低工作温度 -40 °C
Cypress Semiconductor 最低工作温度 -40 °C
SRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C
最高工作温度 +85 °C
Cypress Semiconductor 最高工作温度 +85 °C
SRAM 存储器芯片 最高工作温度 +85 °C
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最小工作电源电压 2.7 V
Cypress Semiconductor 最小工作电源电压 2.7 V
SRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 2.7 V
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 2.7 V
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CY14B256LA-SZ45XI产品技术参数资料
CY14B256LA, 256Kbit (32K x 8) nvSRAM
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