23K256-E/ST,823-4440,Microchip 23K256-E/ST, 256kbit SRAM 内存, 32768 x 8 位, 20MHz, 2.7 → 3.6 V, 8针 TSSOP封装 ,Microchip
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Microchip 23K256-E/ST, 256kbit SRAM 内存, 32768 x 8 位, 20MHz, 2.7 → 3.6 V, 8针 TSSOP封装

制造商零件编号:
23K256-E/ST
库存编号:
823-4440
Microchip 23K256-E/ST
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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23K256-E-ST
库存编号:23K256-E-ST-ND
Microchip Technology Inc IC SRAM 256KBIT SPI 20MHZ 8TSSOP251
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23K256-E/ST
库存编号:579-23K256-E/ST
Microchip Technology Inc SRAM 256K 32K X 8 2.7V SERIAL SRAM EXT361
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23K256T-E/ST
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23K256-E/ST Microchip Technology Inc SRAM Chip Sync Single 3.3V 256K-bit 32K x 8 32ns Automotive 8-Pin TSSOP - Tube0
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23K256-E/ST
库存编号:23K256-E/ST
Microchip Technology Inc SRAM Chip Sync Single 3.3V 256K-Bit 32K x 8 32ns 8-Pin TSSOP Tube - Rail/Tube (Alt: 23K256-E/ST)0
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23K256-E/ST
库存编号:63476885
Microchip Technology IncSRAM Chip Sync Single 3.3V 256K-bit 32K x 8 32ns Automotive AEC-Q100 8-Pin TSSOP Tube100
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23K256-E/ST
库存编号:23K256-E/ST
Microchip Technology Inc 256 Kb SERIAL LOW POWER SRAM, TSSOP, Projected EOL: 2034-04-017300
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23K256-E/ST产品详细信息

静态 RAM,Microchip

23K256-E/ST产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  4.5mm  
  尺寸  4.5 x 3.1 x 1.05mm  
  存储器大小  256Kbit  
  封装类型  TSSOP  
  高度  1.05mm  
  计时类型  同步  
  宽度  3.1mm  
  每字组的位元数目  8Bit  
  时钟频率  20MHz  
  位址总线宽  16Bit  
  引脚数目  8  
  字组数目  32768  
  组织  32768 x 8 位  
  最长随机存取时间  50ns  
  最大工作电源电压  3.6 V  
  最低工作温度  -40 °C  
  最高工作温度  +125 °C  
  最小工作电源电压  2.7 V  
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安装类型 表面贴装  Microchip 安装类型 表面贴装  SRAM 存储器芯片 安装类型 表面贴装  Microchip SRAM 存储器芯片 安装类型 表面贴装   长度 4.5mm  Microchip 长度 4.5mm  SRAM 存储器芯片 长度 4.5mm  Microchip SRAM 存储器芯片 长度 4.5mm   尺寸 4.5 x 3.1 x 1.05mm  Microchip 尺寸 4.5 x 3.1 x 1.05mm  SRAM 存储器芯片 尺寸 4.5 x 3.1 x 1.05mm  Microchip SRAM 存储器芯片 尺寸 4.5 x 3.1 x 1.05mm   存储器大小 256Kbit  Microchip 存储器大小 256Kbit  SRAM 存储器芯片 存储器大小 256Kbit  Microchip SRAM 存储器芯片 存储器大小 256Kbit   封装类型 TSSOP  Microchip 封装类型 TSSOP  SRAM 存储器芯片 封装类型 TSSOP  Microchip SRAM 存储器芯片 封装类型 TSSOP   高度 1.05mm  Microchip 高度 1.05mm  SRAM 存储器芯片 高度 1.05mm  Microchip SRAM 存储器芯片 高度 1.05mm   计时类型 同步  Microchip 计时类型 同步  SRAM 存储器芯片 计时类型 同步  Microchip SRAM 存储器芯片 计时类型 同步   宽度 3.1mm  Microchip 宽度 3.1mm  SRAM 存储器芯片 宽度 3.1mm  Microchip SRAM 存储器芯片 宽度 3.1mm   每字组的位元数目 8Bit  Microchip 每字组的位元数目 8Bit  SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 8Bit  Microchip SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 8Bit   时钟频率 20MHz  Microchip 时钟频率 20MHz  SRAM 存储器芯片 时钟频率 20MHz  Microchip SRAM 存储器芯片 时钟频率 20MHz   位址总线宽 16Bit  Microchip 位址总线宽 16Bit  SRAM 存储器芯片 位址总线宽 16Bit  Microchip SRAM 存储器芯片 位址总线宽 16Bit   引脚数目 8  Microchip 引脚数目 8  SRAM 存储器芯片 引脚数目 8  Microchip SRAM 存储器芯片 引脚数目 8   字组数目 32768  Microchip 字组数目 32768  SRAM 存储器芯片 字组数目 32768  Microchip SRAM 存储器芯片 字组数目 32768   组织 32768 x 8 位  Microchip 组织 32768 x 8 位  SRAM 存储器芯片 组织 32768 x 8 位  Microchip SRAM 存储器芯片 组织 32768 x 8 位   最长随机存取时间 50ns  Microchip 最长随机存取时间 50ns  SRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 50ns  Microchip SRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 50ns   最大工作电源电压 3.6 V  Microchip 最大工作电源电压 3.6 V  SRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 3.6 V  Microchip SRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 3.6 V   最低工作温度 -40 °C  Microchip 最低工作温度 -40 °C  SRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C  Microchip SRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C   最高工作温度 +125 °C  Microchip 最高工作温度 +125 °C  SRAM 存储器芯片 最高工作温度 +125 °C  Microchip SRAM 存储器芯片 最高工作温度 +125 °C   最小工作电源电压 2.7 V  Microchip 最小工作电源电压 2.7 V  SRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 2.7 V  Microchip SRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 2.7 V  
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型号 制造商 描述 操作
23K256-E/ST
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Microchip Technology Inc

IC SRAM 256K SPI 20MHZ 8TSSOP

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型号 制造商 描述 操作
23K256-E/ST
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Microchip Technology Inc

SRAM 256K 32K X 8 2.7V SERIAL SRAM EXT

RoHS: Compliant
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23K256T-E/ST
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Microchip Technology Inc

SRAM 256K 32K X 8 2.7V SERIAL SRAM EXT

RoHS: Compliant
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型号 制造商 描述 操作
23K256-E/ST
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Microchip Technology Inc

SRAM Chip Sync Single 3.3V 256K-Bit 32K x 8 32ns 8-Pin TSSOP Tube - Rail/Tube (Alt: 23K256-E/ST)

RoHS: Compliant
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型号 制造商 描述 操作
23K256-E/ST
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Microchip Technology Inc

SRAM Chip Sync Single 3.3V 256K-bit 32K x 8 32ns Automotive 8-Pin TSSOP Tube

RoHS: Compliant
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型号 制造商 描述 操作
23K256-E/ST
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Microchip Technology Inc

SRAM Chip Sync Single 3.3V 256K-bit 32K x 8 32ns Automotive 8-Pin TSSOP Tube

RoHS: Compliant
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23K256-E/ST
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Microchip Technology Inc

SRAM Chip Sync Single 3.3V 256K-bit 32K x 8 32ns Automotive 8-Pin TSSOP Tube

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23K256-E/ST
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Microchip Technology Inc

Microchip 23K256-E/ST SRAM Memory, 256kbit, 2.7 - 3.6 V, 50ns 8-Pin TSSOP

RoHS: Not Compliant
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23K256-E/ST|Microchip Technology23K256-E/ST
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IC SRAM 256KBIT 20MHZ 8TSSOP
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无图23K256-EST
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23K256-E/ST|Microchip Technology23K256-E/ST
Microchip Technology
IC SRAM 256KBIT 20MHZ 8TSSOP
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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Microchip - 23K256-E/ST - Microchip 23K256-E/ST, 256kbit SRAM 内存, 32768 x 8 位, 20MHz, 2.7 → 3.6 V, 8针 TSSOP封装

制造商零件编号:
23K256-E/ST
品牌:
Microchip
库存编号:
823-4440
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23K256-E/ST|Microchip Technology23K256-E/ST
Microchip Technology
IC SRAM 256KBIT 20MHZ 8TSSOP
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Microchip Technology - 23K256-E/ST - IC SRAM 256KBIT 20MHZ 8TSSOP
Microchip Technology
IC SRAM 256KBIT 20MHZ 8TSSOP

详细描述:SRAM 存储器 IC 256Kb (32K x 8) SPI 8-TSSOP

型号:23K256-E/ST
仓库库存编号:23K256-E/ST-ND

无铅
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Microchip Technology Inc. - 23K256-E/ST - 50ns 8-Pin TSSOP 2.7 - 3.6 V 256kbit Microchip 23K256-E/ST SRAM Memory|70470027 | ChuangWei Electronics
Microchip Technology Inc.
Microchip 23K256-E/ST SRAM Memory, 256kbit, 2.7 - 3.6 V, 50ns 8-Pin TSSOP


型号:23K256-E/ST
仓库库存编号:70470027

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QQ:800152669

23K256-E/ST产品技术参数资料

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