IS62WV51216BLL-55BLI,811-5214,ISSI IS62WV51216BLL-55BLI, 8Mbit SRAM 内存, 512K x 16, 2.5 → 3.6 V, 48针 BGA封装 ,ISSI
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ISSI IS62WV51216BLL-55BLI, 8Mbit SRAM 内存, 512K x 16, 2.5 → 3.6 V, 48针 BGA封装

制造商零件编号:
IS62WV51216BLL-55BLI
制造商:
ISSI ISSI
库存编号:
811-5214
ISSI IS62WV51216BLL-55BLI
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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货期
(工作日)
操作
IS62WV51216BLL-55BLI
库存编号:706-1113-ND
Integrated Silicon Solution Inc IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48MINIBGA573
1起订
1+
10+
25+
40+
80+
312+
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IS62WV51216BLL-55BLI-TR
库存编号:IS62WV51216BLL-55BLI-TR-ND
Integrated Silicon Solution Inc IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48MINIBGA0
2500起订
2500+
¥67.33
6-10天询价 询价
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)
货期
(工作日)
操作
IS62WV51216BLL-55BLI
库存编号:87062WV51216BLL55BLI
Integrated Silicon Solution Inc SRAM 8Mb 512Kx16 55ns Async SRAM3573
1起订
1+
10+
25+
100+
250+
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¥82.5
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IS62WV51216BLL-55BLI-TR
库存编号:870WV51216BLL55BLIT
Integrated Silicon Solution Inc SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,55ns,2.5v-3.6v,48 Ball mBGA (7.2x8.7mm), RoHS2129
1起订
1+
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25+
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100+
250+
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2500+
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¥63.82
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(工作日)
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IS62WV51216BLL-55BLI
库存编号:IS62WV51216BLL-55BLI
Integrated Silicon Solution Inc SRAM Chip Async Single 3.3V 8M-Bit 512K x 16 55ns 48-Pin Mini-BGA - Bulk (Alt: IS62WV51216BLL-55BLI)787
312起订
312+
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1600+
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IS62WV51216BLL-55BLI-TR
库存编号:IS62WV51216BLL-55BLI-TR
Integrated Silicon Solution Inc SRAM Chip Async Single 3.3V 8M-Bit 512K x 16 55ns 48-Pin Mini-BGA T/R - Tape and Reel (Alt: IS62WV51216BLL-55BLI-TR)0
2500起订
2500+
5000+
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¥58.54
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1-2周询价 询价
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(工作日)
操作
IS62WV51216BLL-55BLI Integrated Silicon Solution Inc 512K X 16 STANDARD SRAM, 55 NS, PBGA483
1起订
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¥164.58
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)
货期
(工作日)
操作
IS62WV51216BLL-55BLI
库存编号:1702191
Integrated Silicon Solution Inc ISSI,IS62WV51216BLL-55BLI SRAM 8Mb 3V, PU48
312起订
312+
1560+
¥102.81
¥98.7
1-3周询价 询价

IS62WV51216BLL-55BLI产品详细信息

静态 RAM,ISSI

ISSI 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。

电源:1.8V/3.3V/5V
提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP
提供的配置选择:x8 和 x16
ECC 功能可用于高速异步 SRAM

IS62WV51216BLL-55BLI产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  8.8mm  
  尺寸  8.8 x 7.3 x 0.9mm  
  存储器大小  8Mbit  
  低功率  是  
  封装类型  BGA  
  高度  0.9mm  
  宽度  7.3mm  
  每字组的位元数目  16Bit  
  位址总线宽  19Bit  
  引脚数目  48  
  字组数目  512k  
  组织  512k x 16  
  最长随机存取时间  55ns  
  最大工作电源电压  3.6 V  
  最低工作温度  -40 °C  
  最高工作温度  +85 °C  
  最小工作电源电压  2.5 V  
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IS62WV51216BLL-55BLI相关搜索

安装类型 表面贴装  ISSI 安装类型 表面贴装  SRAM 存储器芯片 安装类型 表面贴装  ISSI SRAM 存储器芯片 安装类型 表面贴装   长度 8.8mm  ISSI 长度 8.8mm  SRAM 存储器芯片 长度 8.8mm  ISSI SRAM 存储器芯片 长度 8.8mm   尺寸 8.8 x 7.3 x 0.9mm  ISSI 尺寸 8.8 x 7.3 x 0.9mm  SRAM 存储器芯片 尺寸 8.8 x 7.3 x 0.9mm  ISSI SRAM 存储器芯片 尺寸 8.8 x 7.3 x 0.9mm   存储器大小 8Mbit  ISSI 存储器大小 8Mbit  SRAM 存储器芯片 存储器大小 8Mbit  ISSI SRAM 存储器芯片 存储器大小 8Mbit   低功率 是  ISSI 低功率 是  SRAM 存储器芯片 低功率 是  ISSI SRAM 存储器芯片 低功率 是   封装类型 BGA  ISSI 封装类型 BGA  SRAM 存储器芯片 封装类型 BGA  ISSI SRAM 存储器芯片 封装类型 BGA   高度 0.9mm  ISSI 高度 0.9mm  SRAM 存储器芯片 高度 0.9mm  ISSI SRAM 存储器芯片 高度 0.9mm   宽度 7.3mm  ISSI 宽度 7.3mm  SRAM 存储器芯片 宽度 7.3mm  ISSI SRAM 存储器芯片 宽度 7.3mm   每字组的位元数目 16Bit  ISSI 每字组的位元数目 16Bit  SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 16Bit  ISSI SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 16Bit   位址总线宽 19Bit  ISSI 位址总线宽 19Bit  SRAM 存储器芯片 位址总线宽 19Bit  ISSI SRAM 存储器芯片 位址总线宽 19Bit   引脚数目 48  ISSI 引脚数目 48  SRAM 存储器芯片 引脚数目 48  ISSI SRAM 存储器芯片 引脚数目 48   字组数目 512k  ISSI 字组数目 512k  SRAM 存储器芯片 字组数目 512k  ISSI SRAM 存储器芯片 字组数目 512k   组织 512k x 16  ISSI 组织 512k x 16  SRAM 存储器芯片 组织 512k x 16  ISSI SRAM 存储器芯片 组织 512k x 16   最长随机存取时间 55ns  ISSI 最长随机存取时间 55ns  SRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 55ns  ISSI SRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 55ns   最大工作电源电压 3.6 V  ISSI 最大工作电源电压 3.6 V  SRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 3.6 V  ISSI SRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 3.6 V   最低工作温度 -40 °C  ISSI 最低工作温度 -40 °C  SRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C  ISSI SRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C   最高工作温度 +85 °C  ISSI 最高工作温度 +85 °C  SRAM 存储器芯片 最高工作温度 +85 °C  ISSI SRAM 存储器芯片 最高工作温度 +85 °C   最小工作电源电压 2.5 V  ISSI 最小工作电源电压 2.5 V  SRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 2.5 V  ISSI SRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 2.5 V  
参考价格及参考库存
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型号 制造商 描述 操作
IS62WV51216BLL-55BLI
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Integrated Silicon Solution Inc

IC SRAM 8MBIT 55NS 48MINIBGA

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IS62WV51216BLL-55BLI-TR
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Integrated Silicon Solution Inc

IC SRAM 8MBIT 55NS 48MINIBGA

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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型号 制造商 描述 操作
IS62WV51216BLL-55BLI
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Integrated Silicon Solution Inc

SRAM 8Mb 512Kx16 55ns Async SRAM

RoHS: Compliant

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IS62WV51216BLL-55BLI-TR
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Integrated Silicon Solution Inc

SRAM 8Mb 512Kx16 55ns Async SRAM

RoHS: Compliant

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IS62WV51216BLL-55BI
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Integrated Silicon Solution Inc

SRAM 8Mb 512Kx16 55ns Async SRAM

RoHS: Not compliant

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IS62WV51216BLL-55BLI
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Integrated Silicon Solution Inc

SRAM Chip Async Single 3.3V 8M-bit 512K x 16 55ns 48-Pin Mini-BGA

RoHS: Compliant | pbFree: No

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型号 制造商 描述 操作
IS62WV51216BLL-55BLI
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Integrated Silicon Solution Inc

SRAM Chip Async Single 3.3V 8M-Bit 512K x 16 55ns 48-Pin Mini-BGA - Bulk (Alt: IS62WV51216BLL-55BLI)

RoHS: Compliant

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IS62WV51216BLL-55BLI
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Integrated Silicon Solution Inc

SRAM Chip Async Single 3.3V 8M-Bit 512K x 16 55ns 48-Pin Mini-BGA (Alt: IS62WV51216BLL-55BLI)

RoHS: Compliant

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IS62WV51216BLL-55BLI
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Integrated Silicon Solution Inc

SRAM Chip Async Single 3.3V 8M-Bit 512K x 16 55ns 48-Pin Mini-BGA (Alt: IS62WV51216BLL-55BLI)

RoHS: Compliant

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IS62WV51216BLL-55BLI-TR
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Integrated Silicon Solution Inc

SRAM Chip Async Single 3.3V 8M-Bit 512K x 16 55ns 48-Pin Mini-BGA T/R - Tape and Reel (Alt: IS62WV51216BLL-55BLI-TR)

RoHS: Compliant

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IS62WV51216BLL-55BLI-TR
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Integrated Silicon Solution Inc

SRAM Chip Async Single 3.3V 8M-Bit 512K x 16 55ns 48-Pin Mini-BGA T/R (Alt: IS62WV51216BLL-55BLI-TR)

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IS62WV51216BLL-55BLI
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Integrated Silicon Solution Inc

SRAM Chip Async Single 3.3V 8M-bit 512K x 16 55ns 48-Pin Mini-BGA

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
IS62WV51216BLL-55BLI
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Integrated Silicon Solution Inc

SRAM Chip Async Single 3.3V 8M-bit 512K x 16 55ns 48-Pin Mini-BGA

RoHS: Compliant

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Integrated Silicon Solution Inc

SRAM Chip Async Single 3.3V 8M-bit 512K x 16 55ns 48-Pin Mini-BGA

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Integrated Silicon Solution Inc

SRAM Chip Async Single 3.3V 8M-bit 512K x 16 55ns 48-Pin Mini-BGA T/R

RoHS: Compliant

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IS62WV51216BLL-55BLI
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Integrated Silicon Solution Inc

SRAM Operating temperature: -40...+85 °C Power supply: 2.5...3.6 V Supply current: 5 mA Organisation: 512 k x 16 Bit Package: miniBGA-48

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型号 制造商 描述 操作
IS62WV51216BLL-55BLI
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Integrated Silicon Solution Inc

512K X 16 STANDARD SRAM, 55 ns, PBGA48

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS62WV51216BLL-55BLI - IC SRAM 8MBIT 55NS 48MINIBGA
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 8MBIT 55NS 48MINIBGA

详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 8Mb (512K x 16) 并联 55ns 48-迷你型BGA(7.2x8.7)

型号:IS62WV51216BLL-55BLI
仓库库存编号:706-1113-ND
别名:706-1113 <br>IS62WV51216BLL-55BLI-ND <br>IS62WV51216BLL55BLI <br>

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS62WV51216BLL-55BLI-TR - IC SRAM 8MBIT 55NS 48MINIBGA
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 8MBIT 55NS 48MINIBGA

详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 8Mb (512K x 16) 并联 55ns 48-迷你型BGA(7.2x8.7)

型号:IS62WV51216BLL-55BLI-TR
仓库库存编号:IS62WV51216BLL-55BLI-TR-ND

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ISSI - IS62WV51216BLL-55BLI - SRAM 512 k x 16 Bit miniBGA-48, IS62WV51216BLL-55BLI, ISSI
ISSI
SRAM 512 k x 16 Bit miniBGA-48, IS62WV51216BLL-55BLI, ISSI


型号:IS62WV51216BLL-55BLI
仓库库存编号:300-55-919

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IS62WV51216BLL-55BLI|ISSIIS62WV51216BLL-55BLI
ISSI
静态随机存取存储器 8Mb 512Kx16 55ns Async 静态随机存取存储器
Rohs

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IS62WV51216BLL-55BLI-TR|ISSIIS62WV51216BLL-55BLI-TR
ISSI
静态随机存取存储器 8Mb 512Kx16 55ns Async 静态随机存取存储器
Rohs

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IS62WV51216BLL-55BLI|ISSI, Integrated Silicon Solution IncIS62WV51216BLL-55BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 8MBIT 55NS 48MBGA
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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

ISSI - IS62WV51216BLL-55BLI - ISSI IS62WV51216BLL-55BLI, 8Mbit SRAM 内存, 512K x 16, 2.5 → 3.6 V, 48针 BGA封装

制造商零件编号:
IS62WV51216BLL-55BLI
品牌:
ISSI
库存编号:
811-5214
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IS62WV51216BLL-55BLI|ISSIIS62WV51216BLL-55BLI
ISSI
静态随机存取存储器 8Mb 512Kx16 55ns Async 静态随机存取存储器
Rohs

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IS62WV51216BLL-55BLI-TR|ISSIIS62WV51216BLL-55BLI-TR
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

IS62WV51216BLL-55BLI产品技术参数资料

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