IS62WV12816DBLL-45TLI,811-5204,ISSI IS62WV12816DBLL-45TLI, 2Mbit SRAM 内存, 128K x 16, 2.5 → 3.6 V, 44针 TSOP封装 ,ISSI
ROHM代理商
专业代理销售ROHM（罗姆）全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

ISSI IS62WV12816DBLL-45TLI, 2Mbit SRAM 内存, 128K x 16, 2.5 → 3.6 V, 44针 TSOP封装

制造商零件编号：
IS62WV12816DBLL-45TLI
制造商：
ISSI ISSI
库存编号：
811-5204
ISSI IS62WV12816DBLL-45TLI
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
  美国1号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
IS62WV12816DBLL-45TLI
库存编号:IS62WV12816DBLL-45TLI-ND		 Integrated Silicon Solution Inc IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II0
起订		6-10天询价 询价
查看资料
IS62WV12816DBLL-45TLI-TR
库存编号:IS62WV12816DBLL-45TLI-TR-ND		 Integrated Silicon Solution Inc IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II0
起订		6-10天询价 询价
查看资料

IS62WV12816DBLL-45TLI产品详细信息

静态 RAM，ISSI

ISSI 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM，其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用，如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。

电源：1.8V/3.3V/5V
提供的封装：BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP
提供的配置选择：x8 和 x16
ECC 功能可用于高速异步 SRAM

IS62WV12816DBLL-45TLI产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  18.54mm  
  尺寸  18.54 x 10.29 x 1.05mm  
  存储器大小  2Mbit  
  低功率  是  
  封装类型  TSOP  
  高度  1.05mm  
  宽度  10.29mm  
  每字组的位元数目  16Bit  
  位址总线宽  17Bit  
  引脚数目  44  
  字组数目  128k  
  组织  128k x 16  
  最长随机存取时间  45ns  
  最大工作电源电压  3.6 V  
  最低工作温度  -40 °C  
  最高工作温度  +85 °C  
  最小工作电源电压  2.5 V  
关键词         

IS62WV12816DBLL-45TLI相关搜索

安装类型 表面贴装  ISSI 安装类型 表面贴装  SRAM 存储器芯片 安装类型 表面贴装  ISSI SRAM 存储器芯片 安装类型 表面贴装   长度 18.54mm  ISSI 长度 18.54mm  SRAM 存储器芯片 长度 18.54mm  ISSI SRAM 存储器芯片 长度 18.54mm   尺寸 18.54 x 10.29 x 1.05mm  ISSI 尺寸 18.54 x 10.29 x 1.05mm  SRAM 存储器芯片 尺寸 18.54 x 10.29 x 1.05mm  ISSI SRAM 存储器芯片 尺寸 18.54 x 10.29 x 1.05mm   存储器大小 2Mbit  ISSI 存储器大小 2Mbit  SRAM 存储器芯片 存储器大小 2Mbit  ISSI SRAM 存储器芯片 存储器大小 2Mbit   低功率 是  ISSI 低功率 是  SRAM 存储器芯片 低功率 是  ISSI SRAM 存储器芯片 低功率 是   封装类型 TSOP  ISSI 封装类型 TSOP  SRAM 存储器芯片 封装类型 TSOP  ISSI SRAM 存储器芯片 封装类型 TSOP   高度 1.05mm  ISSI 高度 1.05mm  SRAM 存储器芯片 高度 1.05mm  ISSI SRAM 存储器芯片 高度 1.05mm   宽度 10.29mm  ISSI 宽度 10.29mm  SRAM 存储器芯片 宽度 10.29mm  ISSI SRAM 存储器芯片 宽度 10.29mm   每字组的位元数目 16Bit  ISSI 每字组的位元数目 16Bit  SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 16Bit  ISSI SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 16Bit   位址总线宽 17Bit  ISSI 位址总线宽 17Bit  SRAM 存储器芯片 位址总线宽 17Bit  ISSI SRAM 存储器芯片 位址总线宽 17Bit   引脚数目 44  ISSI 引脚数目 44  SRAM 存储器芯片 引脚数目 44  ISSI SRAM 存储器芯片 引脚数目 44   字组数目 128k  ISSI 字组数目 128k  SRAM 存储器芯片 字组数目 128k  ISSI SRAM 存储器芯片 字组数目 128k   组织 128k x 16  ISSI 组织 128k x 16  SRAM 存储器芯片 组织 128k x 16  ISSI SRAM 存储器芯片 组织 128k x 16   最长随机存取时间 45ns  ISSI 最长随机存取时间 45ns  SRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 45ns  ISSI SRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 45ns   最大工作电源电压 3.6 V  ISSI 最大工作电源电压 3.6 V  SRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 3.6 V  ISSI SRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 3.6 V   最低工作温度 -40 °C  ISSI 最低工作温度 -40 °C  SRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C  ISSI SRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C   最高工作温度 +85 °C  ISSI 最高工作温度 +85 °C  SRAM 存储器芯片 最高工作温度 +85 °C  ISSI SRAM 存储器芯片 最高工作温度 +85 °C   最小工作电源电压 2.5 V  ISSI 最小工作电源电压 2.5 V  SRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 2.5 V  ISSI SRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 2.5 V  
参考价格及参考库存
  美国2号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
IS62WV12816DBLL-45TLI
[更多]		 Integrated Silicon Solution Inc

SRAM 2Mb 128K x 1645ns Async SRAM

RoHS: Compliant

搜索
IS62WV12816DBLL-45TLI-TR
[更多]		 Integrated Silicon Solution Inc

SRAM 2Mb 128K x 1645ns Async SRAM

RoHS: Compliant

搜索
  英国10仓库    查看更多相关产品
产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

ISSI - IS62WV12816DBLL-45TLI - ISSI IS62WV12816DBLL-45TLI, 2Mbit SRAM 内存, 128K x 16, 2.5 → 3.6 V, 44针 TSOP封装
制造商零件编号：
IS62WV12816DBLL-45TLI
品牌：
ISSI
库存编号：
811-5204
搜索
  美国1号仓库    查看更多相关产品
参考图片 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 PDF操作

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS62WV12816DBLL-45TLI - IC SRAM 2MBIT 45NS 44TSOP		ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 2MBIT 45NS 44TSOP
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 2Mb （128K x 16） 并联 45ns 44-TSOP2

型号：IS62WV12816DBLL-45TLI
仓库库存编号：IS62WV12816DBLL-45TLI-ND

无铅		搜索

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS62WV12816DBLL-45TLI-TR - IC SRAM 2MBIT 45NS 44TSOP		ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 2MBIT 45NS 44TSOP
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 2Mb （128K x 16） 并联 45ns 44-TSOP2

型号：IS62WV12816DBLL-45TLI-TR
仓库库存编号：IS62WV12816DBLL-45TLI-TR-ND

无铅		搜索
  www.szcwdz.com    查看更多相关产品
参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
无图IS62WV12816DBLL-45TLI
ISSI		静态随机存取存储器 2Mb 128K x 1645ns Async 静态随机存取存储器
Rohs

暂无PDF 		查价格库存
查看详细
无图IS62WV12816DBLL-45TLI-TR
ISSI		静态随机存取存储器 2Mb 128K x 1645ns Async 静态随机存取存储器
Rohs

暂无PDF 		查价格库存
查看详细
  www.szcwdz.cn    查看更多相关产品
参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
IS62WV12816DBLL-45TLI|ISSIIS62WV12816DBLL-45TLI
ISSI		静态随机存取存储器 2Mb 128K x 1645ns Async 静态随机存取存储器
Rohs

暂无PDF 		查价格库存
查看详细
IS62WV12816DBLL-45TLI-TR|ISSIIS62WV12816DBLL-45TLI-TR
ISSI		静态随机存取存储器 2Mb 128K x 1645ns Async 静态随机存取存储器
Rohs

暂无PDF 		查价格库存
查看详细
电话:400-900-3095
QQ:800152669

IS62WV12816DBLL-45TLI产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号
深圳市市场监督管理局企业主体身份公示