IS61WV25616BLL-10TLI,811-5181,ISSI IS61WV25616BLL-10TLI, 4Mbit SRAM 内存, 256K x 16, 2.4 → 3.6 V, 44针 TSOP封装 ,ISSI
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ISSI IS61WV25616BLL-10TLI, 4Mbit SRAM 内存, 256K x 16, 2.4 → 3.6 V, 44针 TSOP封装

制造商零件编号：
IS61WV25616BLL-10TLI
制造商：
ISSI ISSI
库存编号：
811-5181
ISSI IS61WV25616BLL-10TLI
声明：图片仅供参考，请以实物为准！


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IS61WV25616BLL-10TLI产品详细信息

静态 RAM，ISSI

ISSI 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM，其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用，如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。

电源：1.8V/3.3V/5V
提供的封装：BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP
提供的配置选择：x8 和 x16
ECC 功能可用于高速异步 SRAM

IS61WV25616BLL-10TLI产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  18.54mm  
  尺寸  18.54 x 10.29 x 1.05mm  
  存储器大小  4Mbit  
  封装类型  TSOP  
  高度  1.05mm  
  计时类型  异步  
  宽度  10.29mm  
  每字组的位元数目  16Bit  
  位址总线宽  18Bit  
  引脚数目  44  
  字组数目  256k  
  组织  256k x 16  
  最长随机存取时间  10ns  
  最大工作电源电压  3.6 V  
  最低工作温度  -40 °C  
  最高工作温度  +85 °C  
  最小工作电源电压  2.4 V  
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安装类型 表面贴装  ISSI 安装类型 表面贴装  SRAM 存储器芯片 安装类型 表面贴装  ISSI SRAM 存储器芯片 安装类型 表面贴装   长度 18.54mm  ISSI 长度 18.54mm  SRAM 存储器芯片 长度 18.54mm  ISSI SRAM 存储器芯片 长度 18.54mm   尺寸 18.54 x 10.29 x 1.05mm  ISSI 尺寸 18.54 x 10.29 x 1.05mm  SRAM 存储器芯片 尺寸 18.54 x 10.29 x 1.05mm  ISSI SRAM 存储器芯片 尺寸 18.54 x 10.29 x 1.05mm   存储器大小 4Mbit  ISSI 存储器大小 4Mbit  SRAM 存储器芯片 存储器大小 4Mbit  ISSI SRAM 存储器芯片 存储器大小 4Mbit   封装类型 TSOP  ISSI 封装类型 TSOP  SRAM 存储器芯片 封装类型 TSOP  ISSI SRAM 存储器芯片 封装类型 TSOP   高度 1.05mm  ISSI 高度 1.05mm  SRAM 存储器芯片 高度 1.05mm  ISSI SRAM 存储器芯片 高度 1.05mm   计时类型 异步  ISSI 计时类型 异步  SRAM 存储器芯片 计时类型 异步  ISSI SRAM 存储器芯片 计时类型 异步   宽度 10.29mm  ISSI 宽度 10.29mm  SRAM 存储器芯片 宽度 10.29mm  ISSI SRAM 存储器芯片 宽度 10.29mm   每字组的位元数目 16Bit  ISSI 每字组的位元数目 16Bit  SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 16Bit  ISSI SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 16Bit   位址总线宽 18Bit  ISSI 位址总线宽 18Bit  SRAM 存储器芯片 位址总线宽 18Bit  ISSI SRAM 存储器芯片 位址总线宽 18Bit   引脚数目 44  ISSI 引脚数目 44  SRAM 存储器芯片 引脚数目 44  ISSI SRAM 存储器芯片 引脚数目 44   字组数目 256k  ISSI 字组数目 256k  SRAM 存储器芯片 字组数目 256k  ISSI SRAM 存储器芯片 字组数目 256k   组织 256k x 16  ISSI 组织 256k x 16  SRAM 存储器芯片 组织 256k x 16  ISSI SRAM 存储器芯片 组织 256k x 16   最长随机存取时间 10ns  ISSI 最长随机存取时间 10ns  SRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 10ns  ISSI SRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 10ns   最大工作电源电压 3.6 V  ISSI 最大工作电源电压 3.6 V  SRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 3.6 V  ISSI SRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 3.6 V   最低工作温度 -40 °C  ISSI 最低工作温度 -40 °C  SRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C  ISSI SRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C   最高工作温度 +85 °C  ISSI 最高工作温度 +85 °C  SRAM 存储器芯片 最高工作温度 +85 °C  ISSI SRAM 存储器芯片 最高工作温度 +85 °C   最小工作电源电压 2.4 V  ISSI 最小工作电源电压 2.4 V  SRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 2.4 V  ISSI SRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 2.4 V  
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IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP

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SRAM 4Mb 256Kx16 10ns Async SRAM 3.3v

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SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II

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SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II T/R

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SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-Bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II - Bulk (Alt: IS61WV25616BLL-10TLI)

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SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-Bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II T/R - Tape and Reel (Alt: IS61WV25616BLL-10TLI-TR)

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SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II

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SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II T/R

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SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II T/R

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SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II

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SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II T/R

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SRAM Operating temperature: -40...+85 °C Power supply: 2.4...3.6 V Supply current: 40 mA Organisation: 256 k x 16 Bit Package: TSOP-44 (Type II)

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Memory, SRAM, 256kx16bit, 3.3V, 10ns, TSOP44

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Memory, SRAM, 256kx16bit, 3.3V, 10ns, TSOP44

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256KX16 STANDARD SRAM, 10ns, PDSO44

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256KX16 STANDARD SRAM, 10ns, PDSO44

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS61WV25616BLL-10TLI-TR - IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP		ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb （256K x 16） 并联 10ns 44-TSOP II

型号：IS61WV25616BLL-10TLI-TR
仓库库存编号：706-1307-1-ND
别名：706-1307-1 <br> 		无铅搜索
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IS61WV25616BLL-10TLI|ISSIIS61WV25616BLL-10TLI
ISSI		静态随机存取存储器 4Mb 256Kx16 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v
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IS61WV25616BLL-10TLI-TR|ISSIIS61WV25616BLL-10TLI-TR
ISSI		静态随机存取存储器 4Mb 256Kx16 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v
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ISSI - IS61WV25616BLL-10TLI - ISSI IS61WV25616BLL-10TLI, 4Mbit SRAM 内存, 256K x 16, 2.4 → 3.6 V, 44针 TSOP封装
制造商零件编号：
IS61WV25616BLL-10TLI
品牌：
ISSI
库存编号：
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ISSI		静态随机存取存储器 4Mb 256Kx16 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v
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无图IS61WV25616BLL-10TLI-TR
ISSI		静态随机存取存储器 4Mb 256Kx16 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc		IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP
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ISSI - IS61WV25616BLL-10TLI - SRAM 256 k x 16 Bit TSOP-44 (Type II), IS61WV25616BLL-10TLI, ISSI		ISSI
SRAM 256 k x 16 Bit TSOP-44 (Type II), IS61WV25616BLL-10TLI, ISSI

型号：IS61WV25616BLL-10TLI
仓库库存编号：300-55-900

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QQ:800152669

IS61WV25616BLL-10TLI产品技术参数资料

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