IS61C5128AS-25QLI,811-5169,ISSI IS61C5128AS-25QLI, 4Mbit SRAM 内存, 512K x 8, 最大为 +5 V, 32针 SOP封装 ,ISSI
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ISSI IS61C5128AS-25QLI, 4Mbit SRAM 内存, 512K x 8, 最大为 +5 V, 32针 SOP封装

制造商零件编号:
IS61C5128AS-25QLI
制造商:
ISSI ISSI
库存编号:
811-5169
ISSI IS61C5128AS-25QLI
声明:图片仅供参考,请以实物为准!


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IS61C5128AS-25QLI产品详细信息

静态 RAM,ISSI

ISSI 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。

电源:1.8V/3.3V/5V
提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP
提供的配置选择:x8 和 x16
ECC 功能可用于高速异步 SRAM

IS61C5128AS-25QLI产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  20.75mm  
  尺寸  20.75 x 11.43 x 2.75mm  
  存储器大小  4Mbit  
  低功率  是  
  封装类型  SOP  
  高度  2.75mm  
  宽度  11.43mm  
  每字组的位元数目  8Bit  
  位址总线宽  19Bit  
  引脚数目  32  
  字组数目  512k  
  组织  512k x 8  
  最长随机存取时间  25ns  
  最大工作电源电压  5 V  
  最低工作温度  -40 °C  
  最高工作温度  +85 °C  
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安装类型 表面贴装  ISSI 安装类型 表面贴装  SRAM 存储器芯片 安装类型 表面贴装  ISSI SRAM 存储器芯片 安装类型 表面贴装   长度 20.75mm  ISSI 长度 20.75mm  SRAM 存储器芯片 长度 20.75mm  ISSI SRAM 存储器芯片 长度 20.75mm   尺寸 20.75 x 11.43 x 2.75mm  ISSI 尺寸 20.75 x 11.43 x 2.75mm  SRAM 存储器芯片 尺寸 20.75 x 11.43 x 2.75mm  ISSI SRAM 存储器芯片 尺寸 20.75 x 11.43 x 2.75mm   存储器大小 4Mbit  ISSI 存储器大小 4Mbit  SRAM 存储器芯片 存储器大小 4Mbit  ISSI SRAM 存储器芯片 存储器大小 4Mbit   低功率 是  ISSI 低功率 是  SRAM 存储器芯片 低功率 是  ISSI SRAM 存储器芯片 低功率 是   封装类型 SOP  ISSI 封装类型 SOP  SRAM 存储器芯片 封装类型 SOP  ISSI SRAM 存储器芯片 封装类型 SOP   高度 2.75mm  ISSI 高度 2.75mm  SRAM 存储器芯片 高度 2.75mm  ISSI SRAM 存储器芯片 高度 2.75mm   宽度 11.43mm  ISSI 宽度 11.43mm  SRAM 存储器芯片 宽度 11.43mm  ISSI SRAM 存储器芯片 宽度 11.43mm   每字组的位元数目 8Bit  ISSI 每字组的位元数目 8Bit  SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 8Bit  ISSI SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 8Bit   位址总线宽 19Bit  ISSI 位址总线宽 19Bit  SRAM 存储器芯片 位址总线宽 19Bit  ISSI SRAM 存储器芯片 位址总线宽 19Bit   引脚数目 32  ISSI 引脚数目 32  SRAM 存储器芯片 引脚数目 32  ISSI SRAM 存储器芯片 引脚数目 32   字组数目 512k  ISSI 字组数目 512k  SRAM 存储器芯片 字组数目 512k  ISSI SRAM 存储器芯片 字组数目 512k   组织 512k x 8  ISSI 组织 512k x 8  SRAM 存储器芯片 组织 512k x 8  ISSI SRAM 存储器芯片 组织 512k x 8   最长随机存取时间 25ns  ISSI 最长随机存取时间 25ns  SRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 25ns  ISSI SRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 25ns   最大工作电源电压 5 V  ISSI 最大工作电源电压 5 V  SRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 5 V  ISSI SRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 5 V   最低工作温度 -40 °C  ISSI 最低工作温度 -40 °C  SRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C  ISSI SRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C   最高工作温度 +85 °C  ISSI 最高工作温度 +85 °C  SRAM 存储器芯片 最高工作温度 +85 °C  ISSI SRAM 存储器芯片 最高工作温度 +85 °C  
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IC SRAM 4MBIT 25NS 32SOP

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SRAM 4M (512Kx8) 25ns Async SRAM

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SRAM Chip Async Single 5V 4M-bit 512K x 8 25ns 32-Pin SOP T/R

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型号 制造商 描述 操作
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SRAM Operating temperature: -40...+85 °C Power supply: 4.5...5.5 V Supply current: 15 mA Organisation: 512 k x 8 Package: SOP-32

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS61C5128AS-25QLI - IC SRAM 4MBIT 25NS 32SOP
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 4MBIT 25NS 32SOP

详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb (512K x 8) 并联 25ns 32-SOP

型号:IS61C5128AS-25QLI
仓库库存编号:706-1060-5-ND
别名:706-1060-5 <br>IS61C5128AS25QLI <br>

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 4MBIT 25NS 32SOP

详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb (512K x 8) 并联 25ns 32-SOP

型号:IS61C5128AS-25QLI
仓库库存编号:IS61C5128AS-25QLI-ND

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS61C5128AS-25QLI-TR - IC SRAM 4MBIT 25NS 32SOP
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 4MBIT 25NS 32SOP

详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb (512K x 8) 并联 25ns 32-SOP

型号:IS61C5128AS-25QLI-TR
仓库库存编号:IS61C5128AS-25QLI-TR-ND

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ISSI - IS61C5128AS-25QLI - SRAM 512 k x 8 SOP-32, IS61C5128AS-25QLI, ISSI
ISSI
SRAM 512 k x 8 SOP-32, IS61C5128AS-25QLI, ISSI


型号:IS61C5128AS-25QLI
仓库库存编号:300-55-887

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静态随机存取存储器 4M (512Kx8) 25ns Async 静态随机存取存储器
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IS61C5128AS-25QLI-TR|ISSIIS61C5128AS-25QLI-TR
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静态随机存取存储器 4M (512Kx8) 25ns Async 静态随机存取存储器
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ISSI - IS61C5128AS-25QLI - ISSI IS61C5128AS-25QLI, 4Mbit SRAM 内存, 512K x 8, 最大为 +5 V, 32针 SOP封装

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IS61C5128AS-25QLI产品技术参数资料

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