N25S830HAT22I,802-1960,ON Semiconductor N25S830HAT22I, 256kbit SRAM 内存芯片, 32K x 8 位, 20MHz, 2.7 → 3.6 V, 8针 TSSOP封装 ,ON Semiconductor
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N25S830HAT22I
ON Semiconductor N25S830HAT22I, 256kbit SRAM 内存芯片, 32K x 8 位, 20MHz, 2.7 → 3.6 V, 8针 TSSOP封装
制造商零件编号:
N25S830HAT22I
制造商:
ON Semiconductor
ON Semiconductor
库存编号:
802-1960
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
N25S830HAT22I产品详细信息
静态 RAM,ON Semiconductor
串行静态随机存取存储器 (SRAM)。
N25S830HAT22I产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
4.5mm
尺寸
4.5 x 3.1 x 1.05mm
存储器大小
256Kbit
低功率
是
封装类型
TSSOP
高度
1.05mm
计时类型
同步
宽度
3.1mm
每字组的位元数目
8Bit
时钟频率
20MHz
位址总线宽
16Bit
引脚数目
8
字组数目
32K
组织
32k x 8 位
最长随机存取时间
25ns
最大工作电源电压
3.6 V
最低工作温度
-40 °C
最高工作温度
+85 °C
最小工作电源电压
2.7 V
关键词
N25S830HAT22I相关搜索
安装类型 表面贴装
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SRAM 存储器芯片 安装类型 表面贴装
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长度 4.5mm
ON Semiconductor 长度 4.5mm
SRAM 存储器芯片 长度 4.5mm
ON Semiconductor SRAM 存储器芯片 长度 4.5mm
尺寸 4.5 x 3.1 x 1.05mm
ON Semiconductor 尺寸 4.5 x 3.1 x 1.05mm
SRAM 存储器芯片 尺寸 4.5 x 3.1 x 1.05mm
ON Semiconductor SRAM 存储器芯片 尺寸 4.5 x 3.1 x 1.05mm
存储器大小 256Kbit
ON Semiconductor 存储器大小 256Kbit
SRAM 存储器芯片 存储器大小 256Kbit
ON Semiconductor SRAM 存储器芯片 存储器大小 256Kbit
低功率 是
ON Semiconductor 低功率 是
SRAM 存储器芯片 低功率 是
ON Semiconductor SRAM 存储器芯片 低功率 是
封装类型 TSSOP
ON Semiconductor 封装类型 TSSOP
SRAM 存储器芯片 封装类型 TSSOP
ON Semiconductor SRAM 存储器芯片 封装类型 TSSOP
高度 1.05mm
ON Semiconductor 高度 1.05mm
SRAM 存储器芯片 高度 1.05mm
ON Semiconductor SRAM 存储器芯片 高度 1.05mm
计时类型 同步
ON Semiconductor 计时类型 同步
SRAM 存储器芯片 计时类型 同步
ON Semiconductor SRAM 存储器芯片 计时类型 同步
宽度 3.1mm
ON Semiconductor 宽度 3.1mm
SRAM 存储器芯片 宽度 3.1mm
ON Semiconductor SRAM 存储器芯片 宽度 3.1mm
每字组的位元数目 8Bit
ON Semiconductor 每字组的位元数目 8Bit
SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 8Bit
ON Semiconductor SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 8Bit
时钟频率 20MHz
ON Semiconductor 时钟频率 20MHz
SRAM 存储器芯片 时钟频率 20MHz
ON Semiconductor SRAM 存储器芯片 时钟频率 20MHz
位址总线宽 16Bit
ON Semiconductor 位址总线宽 16Bit
SRAM 存储器芯片 位址总线宽 16Bit
ON Semiconductor SRAM 存储器芯片 位址总线宽 16Bit
引脚数目 8
ON Semiconductor 引脚数目 8
SRAM 存储器芯片 引脚数目 8
ON Semiconductor SRAM 存储器芯片 引脚数目 8
字组数目 32K
ON Semiconductor 字组数目 32K
SRAM 存储器芯片 字组数目 32K
ON Semiconductor SRAM 存储器芯片 字组数目 32K
组织 32k x 8 位
ON Semiconductor 组织 32k x 8 位
SRAM 存储器芯片 组织 32k x 8 位
ON Semiconductor SRAM 存储器芯片 组织 32k x 8 位
最长随机存取时间 25ns
ON Semiconductor 最长随机存取时间 25ns
SRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 25ns
ON Semiconductor SRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 25ns
最大工作电源电压 3.6 V
ON Semiconductor 最大工作电源电压 3.6 V
SRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 3.6 V
ON Semiconductor SRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 3.6 V
最低工作温度 -40 °C
ON Semiconductor 最低工作温度 -40 °C
SRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C
ON Semiconductor SRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C
最高工作温度 +85 °C
ON Semiconductor 最高工作温度 +85 °C
SRAM 存储器芯片 最高工作温度 +85 °C
ON Semiconductor SRAM 存储器芯片 最高工作温度 +85 °C
最小工作电源电压 2.7 V
ON Semiconductor 最小工作电源电压 2.7 V
SRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 2.7 V
ON Semiconductor SRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 2.7 V
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N25S830HAT22I产品技术参数资料
Datasheet
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