DS1220AD-100IND+,797-9354,Maxim DS1220AD-100IND+, 16kbit SRAM 内存芯片, 2K x 8 位, 4.5 → 5.5 V, 24针 EDIP封装 ,Maxim
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DS1220AD-100IND+
Maxim DS1220AD-100IND+, 16kbit SRAM 内存芯片, 2K x 8 位, 4.5 → 5.5 V, 24针 EDIP封装
制造商零件编号:
DS1220AD-100IND+
制造商:
Maxim
Maxim
库存编号:
797-9354
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
DS1220AD-100IND+产品详细信息
静态 RAM,Maxim Integrated
DS1220AD-100IND+产品技术参数
安装类型
通孔
长度
38.1mm
尺寸
38.1 x 18.29 x 10.67mm
存储器大小
16Kbit
低功率
是
封装类型
EDIP
高度
10.67mm
宽度
18.29mm
每字组的位元数目
8Bit
位址总线宽
8Bit
引脚数目
24
字组数目
2K
组织
2K x 8 位
最长随机存取时间
100ns
最大工作电源电压
5.5 V
最低工作温度
-40 °C
最高工作温度
+85 °C
最小工作电源电压
4.5 V
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DS1220AD-100IND+相关搜索
安装类型 通孔
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SRAM 存储器芯片 安装类型 通孔
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长度 38.1mm
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SRAM 存储器芯片 长度 38.1mm
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尺寸 38.1 x 18.29 x 10.67mm
Maxim 尺寸 38.1 x 18.29 x 10.67mm
SRAM 存储器芯片 尺寸 38.1 x 18.29 x 10.67mm
Maxim SRAM 存储器芯片 尺寸 38.1 x 18.29 x 10.67mm
存储器大小 16Kbit
Maxim 存储器大小 16Kbit
SRAM 存储器芯片 存储器大小 16Kbit
Maxim SRAM 存储器芯片 存储器大小 16Kbit
低功率 是
Maxim 低功率 是
SRAM 存储器芯片 低功率 是
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封装类型 EDIP
Maxim 封装类型 EDIP
SRAM 存储器芯片 封装类型 EDIP
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高度 10.67mm
Maxim 高度 10.67mm
SRAM 存储器芯片 高度 10.67mm
Maxim SRAM 存储器芯片 高度 10.67mm
宽度 18.29mm
Maxim 宽度 18.29mm
SRAM 存储器芯片 宽度 18.29mm
Maxim SRAM 存储器芯片 宽度 18.29mm
每字组的位元数目 8Bit
Maxim 每字组的位元数目 8Bit
SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 8Bit
Maxim SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 8Bit
位址总线宽 8Bit
Maxim 位址总线宽 8Bit
SRAM 存储器芯片 位址总线宽 8Bit
Maxim SRAM 存储器芯片 位址总线宽 8Bit
引脚数目 24
Maxim 引脚数目 24
SRAM 存储器芯片 引脚数目 24
Maxim SRAM 存储器芯片 引脚数目 24
字组数目 2K
Maxim 字组数目 2K
SRAM 存储器芯片 字组数目 2K
Maxim SRAM 存储器芯片 字组数目 2K
组织 2K x 8 位
Maxim 组织 2K x 8 位
SRAM 存储器芯片 组织 2K x 8 位
Maxim SRAM 存储器芯片 组织 2K x 8 位
最长随机存取时间 100ns
Maxim 最长随机存取时间 100ns
SRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 100ns
Maxim SRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 100ns
最大工作电源电压 5.5 V
Maxim 最大工作电源电压 5.5 V
SRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 5.5 V
Maxim SRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 5.5 V
最低工作温度 -40 °C
Maxim 最低工作温度 -40 °C
SRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C
Maxim SRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C
最高工作温度 +85 °C
Maxim 最高工作温度 +85 °C
SRAM 存储器芯片 最高工作温度 +85 °C
Maxim SRAM 存储器芯片 最高工作温度 +85 °C
最小工作电源电压 4.5 V
Maxim 最小工作电源电压 4.5 V
SRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 4.5 V
Maxim SRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 4.5 V
邮箱:
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800152669
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DS1220AD-100IND+产品技术参数资料
DS1220AB/AD, 16k Non-Volatile SRAM Data Sheet
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