DS1230Y-200+,786-0701,Maxim DS1230Y-200+, 256kbit SRAM 内存, 32K x 8 位, 4.5 → 5.5 V, 28针 EDIP封装 ,Maxim
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DS1230Y-200+
Maxim DS1230Y-200+, 256kbit SRAM 内存, 32K x 8 位, 4.5 → 5.5 V, 28针 EDIP封装
制造商零件编号:
DS1230Y-200+
制造商:
Maxim
Maxim
库存编号:
786-0701
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
DS1230Y-200+产品技术参数
安装类型
通孔
长度
39.37mm
尺寸
39.37 x 18.8 x 9.35mm
存储器大小
256Kbit
低功率
是
封装类型
EDIP
高度
9.35mm
计时类型
异步
宽度
18.8mm
每字组的位元数目
8Bit
位址总线宽
15Bit
引脚数目
28
字组数目
32K
组织
32K x 8 位
最长随机存取时间
200ns
最大工作电源电压
5.5 V
最低工作温度
-40 °C
最高工作温度
+85 °C
最小工作电源电压
4.5 V
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DS1230Y-200+相关搜索
安装类型 通孔
Maxim 安装类型 通孔
SRAM 存储器芯片 安装类型 通孔
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长度 39.37mm
Maxim 长度 39.37mm
SRAM 存储器芯片 长度 39.37mm
Maxim SRAM 存储器芯片 长度 39.37mm
尺寸 39.37 x 18.8 x 9.35mm
Maxim 尺寸 39.37 x 18.8 x 9.35mm
SRAM 存储器芯片 尺寸 39.37 x 18.8 x 9.35mm
Maxim SRAM 存储器芯片 尺寸 39.37 x 18.8 x 9.35mm
存储器大小 256Kbit
Maxim 存储器大小 256Kbit
SRAM 存储器芯片 存储器大小 256Kbit
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低功率 是
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封装类型 EDIP
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SRAM 存储器芯片 封装类型 EDIP
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高度 9.35mm
Maxim 高度 9.35mm
SRAM 存储器芯片 高度 9.35mm
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计时类型 异步
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SRAM 存储器芯片 计时类型 异步
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宽度 18.8mm
Maxim 宽度 18.8mm
SRAM 存储器芯片 宽度 18.8mm
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每字组的位元数目 8Bit
Maxim 每字组的位元数目 8Bit
SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 8Bit
Maxim SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 8Bit
位址总线宽 15Bit
Maxim 位址总线宽 15Bit
SRAM 存储器芯片 位址总线宽 15Bit
Maxim SRAM 存储器芯片 位址总线宽 15Bit
引脚数目 28
Maxim 引脚数目 28
SRAM 存储器芯片 引脚数目 28
Maxim SRAM 存储器芯片 引脚数目 28
字组数目 32K
Maxim 字组数目 32K
SRAM 存储器芯片 字组数目 32K
Maxim SRAM 存储器芯片 字组数目 32K
组织 32K x 8 位
Maxim 组织 32K x 8 位
SRAM 存储器芯片 组织 32K x 8 位
Maxim SRAM 存储器芯片 组织 32K x 8 位
最长随机存取时间 200ns
Maxim 最长随机存取时间 200ns
SRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 200ns
Maxim SRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 200ns
最大工作电源电压 5.5 V
Maxim 最大工作电源电压 5.5 V
SRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 5.5 V
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最低工作温度 -40 °C
Maxim 最低工作温度 -40 °C
SRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C
Maxim SRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C
最高工作温度 +85 °C
Maxim 最高工作温度 +85 °C
SRAM 存储器芯片 最高工作温度 +85 °C
Maxim SRAM 存储器芯片 最高工作温度 +85 °C
最小工作电源电压 4.5 V
Maxim 最小工作电源电压 4.5 V
SRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 4.5 V
Maxim SRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 4.5 V
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DS1230Y-200+产品技术参数资料
DS1230Y/AB, 256k Nonvolatile SRAM
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