R1LV3216RSD-5SI#B0,767-5951,Renesas Electronics R1LV3216RSD-5SI#B0, 32Mbit SRAM 内存, 2M 个字 x 16 位, 2.7 → 3.6 V, 52针 μTSOP II封装 ,Renesas Electronics
ROHM代理商
专业代理销售ROHM（罗姆）全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

Renesas Electronics R1LV3216RSD-5SI#B0, 32Mbit SRAM 内存, 2M 个字 x 16 位, 2.7 → 3.6 V, 52针 μTSOP II封装

制造商零件编号：
R1LV3216RSD-5SI#B0
库存编号：
767-5951
Renesas Electronics R1LV3216RSD-5SI#B0
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

R1LV3216RSD-5SI#B0产品详细信息

低功率 SRAM，R1LV 系列，Renesas Electronics

R1LV 系列高级低电压静态 RAM 适用于简单接口连接、电池工作和电池备份为重要设计目标的存储器应用。

单 2.7V 至 3.6V 电源
小待机电流
无时钟、无需刷新
所有输入和输出均兼容 TTL
三态输出：OR-tie 能力

R1LV3216RSD-5SI#B0产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  10.89mm  
  尺寸  10.89 x 8.99 x 1mm  
  存储器大小  32Mbit  
  低功率  是  
  封装类型  μTSOP II  
  高度  1mm  
  计时类型  异步  
  宽度  8.99mm  
  每字组的位元数目  16Bit  
  引脚数目  52  
  字组数目  2M  
  组织  2M 个字 x 16 位  
  最长随机存取时间  55ns  
  最大工作电源电压  3.6 V  
  最低工作温度  -40°C  
  最高工作温度  +85°C  
  最小工作电源电压  2.7 V  
关键词         

R1LV3216RSD-5SI#B0相关搜索

安装类型 表面贴装  Renesas Electronics 安装类型 表面贴装  SRAM 存储器芯片 安装类型 表面贴装  Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 安装类型 表面贴装   长度 10.89mm  Renesas Electronics 长度 10.89mm  SRAM 存储器芯片 长度 10.89mm  Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 长度 10.89mm   尺寸 10.89 x 8.99 x 1mm  Renesas Electronics 尺寸 10.89 x 8.99 x 1mm  SRAM 存储器芯片 尺寸 10.89 x 8.99 x 1mm  Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 尺寸 10.89 x 8.99 x 1mm   存储器大小 32Mbit  Renesas Electronics 存储器大小 32Mbit  SRAM 存储器芯片 存储器大小 32Mbit  Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 存储器大小 32Mbit   低功率 是  Renesas Electronics 低功率 是  SRAM 存储器芯片 低功率 是  Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 低功率 是   封装类型 μTSOP II  Renesas Electronics 封装类型 μTSOP II  SRAM 存储器芯片 封装类型 μTSOP II  Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 封装类型 μTSOP II   高度 1mm  Renesas Electronics 高度 1mm  SRAM 存储器芯片 高度 1mm  Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 高度 1mm   计时类型 异步  Renesas Electronics 计时类型 异步  SRAM 存储器芯片 计时类型 异步  Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 计时类型 异步   宽度 8.99mm  Renesas Electronics 宽度 8.99mm  SRAM 存储器芯片 宽度 8.99mm  Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 宽度 8.99mm   每字组的位元数目 16Bit  Renesas Electronics 每字组的位元数目 16Bit  SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 16Bit  Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 16Bit   引脚数目 52  Renesas Electronics 引脚数目 52  SRAM 存储器芯片 引脚数目 52  Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 引脚数目 52   字组数目 2M  Renesas Electronics 字组数目 2M  SRAM 存储器芯片 字组数目 2M  Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 字组数目 2M   组织 2M 个字 x 16 位  Renesas Electronics 组织 2M 个字 x 16 位  SRAM 存储器芯片 组织 2M 个字 x 16 位  Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 组织 2M 个字 x 16 位   最长随机存取时间 55ns  Renesas Electronics 最长随机存取时间 55ns  SRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 55ns  Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 55ns   最大工作电源电压 3.6 V  Renesas Electronics 最大工作电源电压 3.6 V  SRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 3.6 V  Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 3.6 V   最低工作温度 -40°C  Renesas Electronics 最低工作温度 -40°C  SRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40°C  Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40°C   最高工作温度 +85°C  Renesas Electronics 最高工作温度 +85°C  SRAM 存储器芯片 最高工作温度 +85°C  Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 最高工作温度 +85°C   最小工作电源电压 2.7 V  Renesas Electronics 最小工作电源电压 2.7 V  SRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 2.7 V  Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 2.7 V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

R1LV3216RSD-5SI#B0产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号