R1LV1616HBG-4SI#B0,767-5945,Renesas Electronics R1LV1616HBG-4SI#B0, 16Mbit SRAM 内存, 1M 个字 x 16 位, 2.7 → 3.6 V, 48针 FBGA封装 ,Renesas Electronics
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R1LV1616HBG-4SI#B0
Renesas Electronics R1LV1616HBG-4SI#B0, 16Mbit SRAM 内存, 1M 个字 x 16 位, 2.7 → 3.6 V, 48针 FBGA封装
制造商零件编号:
R1LV1616HBG-4SI#B0
制造商:
Renesas Electronics
Renesas Electronics
库存编号:
767-5945
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
R1LV1616HBG-4SI#B0产品详细信息
宽温度范围 SRAM,Renesas Electronics
R1LV1616HBG-4SI#B0产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
8mm
尺寸
8 x 9.5 x 0.9mm
存储器大小
16Mbit
低功率
是
封装类型
FBGA
高度
0.9mm
计时类型
异步
宽度
9.5mm
每字组的位元数目
16Bit
引脚数目
48
字组数目
1M
组织
1M 个字 x 16 位
最长随机存取时间
45ns
最大工作电源电压
3.6 V
最低工作温度
-40°C
最高工作温度
85°C
最小工作电源电压
2.7 V
关键词
R1LV1616HBG-4SI#B0相关搜索
安装类型 表面贴装
Renesas Electronics 安装类型 表面贴装
SRAM 存储器芯片 安装类型 表面贴装
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长度 8mm
Renesas Electronics 长度 8mm
SRAM 存储器芯片 长度 8mm
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 长度 8mm
尺寸 8 x 9.5 x 0.9mm
Renesas Electronics 尺寸 8 x 9.5 x 0.9mm
SRAM 存储器芯片 尺寸 8 x 9.5 x 0.9mm
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 尺寸 8 x 9.5 x 0.9mm
存储器大小 16Mbit
Renesas Electronics 存储器大小 16Mbit
SRAM 存储器芯片 存储器大小 16Mbit
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 存储器大小 16Mbit
低功率 是
Renesas Electronics 低功率 是
SRAM 存储器芯片 低功率 是
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 低功率 是
封装类型 FBGA
Renesas Electronics 封装类型 FBGA
SRAM 存储器芯片 封装类型 FBGA
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 封装类型 FBGA
高度 0.9mm
Renesas Electronics 高度 0.9mm
SRAM 存储器芯片 高度 0.9mm
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 高度 0.9mm
计时类型 异步
Renesas Electronics 计时类型 异步
SRAM 存储器芯片 计时类型 异步
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 计时类型 异步
宽度 9.5mm
Renesas Electronics 宽度 9.5mm
SRAM 存储器芯片 宽度 9.5mm
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 宽度 9.5mm
每字组的位元数目 16Bit
Renesas Electronics 每字组的位元数目 16Bit
SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 16Bit
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 16Bit
引脚数目 48
Renesas Electronics 引脚数目 48
SRAM 存储器芯片 引脚数目 48
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 引脚数目 48
字组数目 1M
Renesas Electronics 字组数目 1M
SRAM 存储器芯片 字组数目 1M
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 字组数目 1M
组织 1M 个字 x 16 位
Renesas Electronics 组织 1M 个字 x 16 位
SRAM 存储器芯片 组织 1M 个字 x 16 位
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 组织 1M 个字 x 16 位
最长随机存取时间 45ns
Renesas Electronics 最长随机存取时间 45ns
SRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 45ns
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 45ns
最大工作电源电压 3.6 V
Renesas Electronics 最大工作电源电压 3.6 V
SRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 3.6 V
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 3.6 V
最低工作温度 -40°C
Renesas Electronics 最低工作温度 -40°C
SRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40°C
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40°C
最高工作温度 85°C
Renesas Electronics 最高工作温度 85°C
SRAM 存储器芯片 最高工作温度 85°C
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 最高工作温度 85°C
最小工作电源电压 2.7 V
Renesas Electronics 最小工作电源电压 2.7 V
SRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 2.7 V
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 2.7 V
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R1LV1616HBG-4SI#B0产品技术参数资料
R1LV1616HBG-4SI Data Sheet
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