R1LV1616HSA-4SI#B0,767-5941,Renesas Electronics R1LV1616HSA-4SI#B0, 16Mbit SRAM 内存, 2M 个字 x 8 位, 2.7 → 3.6 V, 48针 TSOP封装 ,Renesas Electronics
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R1LV1616HSA-4SI#B0
Renesas Electronics R1LV1616HSA-4SI#B0, 16Mbit SRAM 内存, 2M 个字 x 8 位, 2.7 → 3.6 V, 48针 TSOP封装
制造商零件编号:
R1LV1616HSA-4SI#B0
制造商:
Renesas Electronics
Renesas Electronics
库存编号:
767-5941
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
R1LV1616HSA-4SI#B0产品详细信息
宽温度范围 SRAM,Renesas Electronics
R1LV1616HSA-4SI#B0产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
18.5mm
尺寸
18.5 x 12.1 x 1mm
存储器大小
16Mbit
低功率
是
封装类型
TSOP
高度
1mm
计时类型
异步
宽度
12.1mm
每字组的位元数目
8Bit
引脚数目
48
字组数目
2M
组织
2M 个字 x 8 位
最长随机存取时间
45ns
最大工作电源电压
3.6 V
最低工作温度
-40°C
最高工作温度
+85°C
最小工作电源电压
2.7 V
关键词
R1LV1616HSA-4SI#B0关联产品
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Renesas Electronics R1LP0408DSB-5SI#B0, 4000kbit SRAM 内存, 512K 个字 x 8 位, 4.5 → 5.5 V dc, 32针 TSOP封装
制造商零件编号:
R1LP0408DSB-5SI#B0
品牌:
Renesas Electronics
库存编号:
767-5901
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R1LV1616HSA-4SI#B0相关搜索
安装类型 表面贴装
Renesas Electronics 安装类型 表面贴装
SRAM 存储器芯片 安装类型 表面贴装
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 安装类型 表面贴装
长度 18.5mm
Renesas Electronics 长度 18.5mm
SRAM 存储器芯片 长度 18.5mm
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 长度 18.5mm
尺寸 18.5 x 12.1 x 1mm
Renesas Electronics 尺寸 18.5 x 12.1 x 1mm
SRAM 存储器芯片 尺寸 18.5 x 12.1 x 1mm
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 尺寸 18.5 x 12.1 x 1mm
存储器大小 16Mbit
Renesas Electronics 存储器大小 16Mbit
SRAM 存储器芯片 存储器大小 16Mbit
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 存储器大小 16Mbit
低功率 是
Renesas Electronics 低功率 是
SRAM 存储器芯片 低功率 是
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 低功率 是
封装类型 TSOP
Renesas Electronics 封装类型 TSOP
SRAM 存储器芯片 封装类型 TSOP
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 封装类型 TSOP
高度 1mm
Renesas Electronics 高度 1mm
SRAM 存储器芯片 高度 1mm
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 高度 1mm
计时类型 异步
Renesas Electronics 计时类型 异步
SRAM 存储器芯片 计时类型 异步
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 计时类型 异步
宽度 12.1mm
Renesas Electronics 宽度 12.1mm
SRAM 存储器芯片 宽度 12.1mm
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 宽度 12.1mm
每字组的位元数目 8Bit
Renesas Electronics 每字组的位元数目 8Bit
SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 8Bit
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 8Bit
引脚数目 48
Renesas Electronics 引脚数目 48
SRAM 存储器芯片 引脚数目 48
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 引脚数目 48
字组数目 2M
Renesas Electronics 字组数目 2M
SRAM 存储器芯片 字组数目 2M
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 字组数目 2M
组织 2M 个字 x 8 位
Renesas Electronics 组织 2M 个字 x 8 位
SRAM 存储器芯片 组织 2M 个字 x 8 位
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 组织 2M 个字 x 8 位
最长随机存取时间 45ns
Renesas Electronics 最长随机存取时间 45ns
SRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 45ns
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 45ns
最大工作电源电压 3.6 V
Renesas Electronics 最大工作电源电压 3.6 V
SRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 3.6 V
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 3.6 V
最低工作温度 -40°C
Renesas Electronics 最低工作温度 -40°C
SRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40°C
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40°C
最高工作温度 +85°C
Renesas Electronics 最高工作温度 +85°C
SRAM 存储器芯片 最高工作温度 +85°C
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 最高工作温度 +85°C
最小工作电源电压 2.7 V
Renesas Electronics 最小工作电源电压 2.7 V
SRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 2.7 V
Renesas Electronics SRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 2.7 V
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R1LV1616HSA-4SI#B0产品技术参数资料
R1LV1616HSA-4SI Data Sheet
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