R1LV0816ASB-5SI#B0,767-5929,Renesas Electronics R1LV0816ASB-5SI#B0, 8Mbit SRAM 内存, 512K 个字 x 16 位, 2.4 → 3.6 V, 44针 TSOP封装 ,Renesas Electronics
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Renesas Electronics R1LV0816ASB-5SI#B0, 8Mbit SRAM 内存, 512K 个字 x 16 位, 2.4 → 3.6 V, 44针 TSOP封装

制造商零件编号：
R1LV0816ASB-5SI#B0
库存编号：
767-5929
Renesas Electronics R1LV0816ASB-5SI#B0
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R1LV0816ASB-5SI-B0
库存编号:R1LV0816ASB-5SI-B0-ND		 Renesas Electronics Corporation IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II0
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R1LV0816ASB-5SI#B0 Renesas Electronics Corporation  
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R1LV0816ASB-5SI#B0产品详细信息

低功率 SRAM，R1LV 系列，Renesas Electronics

R1LV 系列高级低电压静态 RAM 适用于简单接口连接、电池工作和电池备份为重要设计目标的存储器应用。

单 2.7V 至 3.6V 电源
小待机电流
无时钟、无需刷新
所有输入和输出均兼容 TTL
三态输出：OR-tie 能力

R1LV0816ASB-5SI#B0产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  18.51mm  
  尺寸  18.51 x 10.26 x 1mm  
  存储器大小  8Mbit  
  低功率  是  
  封装类型  TSOP  
  高度  1mm  
  计时类型  异步  
  宽度  10.26mm  
  每字组的位元数目  16Bit  
  引脚数目  44  
  字组数目  512K  
  组织  512K 个字 x 16 位  
  最长随机存取时间  55ns  
  最大工作电源电压  3.6 V  
  最低工作温度  -40°C  
  最高工作温度  +85°C  
  最小工作电源电压  2.4 V  
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SRAM 8MB ADV.SRAM x16 55NS TSOP I-TEMP 3V

RoHS: Compliant

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Renesas Electronics America - R1LV0816ASB-5SI#B0 - IC SRAM 8MBIT 55NS 44TSOP		Renesas Electronics America
IC SRAM 8MBIT 55NS 44TSOP
详细描述：SRAM 存储器 IC 8Mb （512K x 16） 并联 55ns 44-TSOP II

型号：R1LV0816ASB-5SI#B0
仓库库存编号：R1LV0816ASB-5SI#B0-ND

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Renesas Electronics - R1LV0816ASB-5SI#B0 - Renesas Electronics R1LV0816ASB-5SI#B0, 8Mbit SRAM 内存, 512K 个字 x 16 位, 2.4 → 3.6 V, 44针 TSOP封装
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Renesas Electronics
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R1LV0816ASB-5SI#B0|RENESAS ELECTRONICSR1LV0816ASB-5SI#B0
RENESAS ELECTRONICS		R1LV0816A 系列 8 Mb (512 K x 16) 3 V 55 ns 高级 SRAM - TSOP-48
Rohs

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R1LV0816ASB-5SI#B0|Renesas Electronics AmericaR1LV0816ASB-5SI#B0
Renesas Electronics America		IC SRAM 44TSOP
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Renesas Electronics America		IC SRAM 8MBIT 55NS 44TSOP
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