IDT71V416S10PHGI,742-6724,IDT IDT71V416S10PHGI, 4Mbit SRAM 内存, 256K x 16 位, 3 → 3.6 V, 44针 TSOP封装 ,IDT
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IDT71V416S10PHGI
IDT IDT71V416S10PHGI, 4Mbit SRAM 内存, 256K x 16 位, 3 → 3.6 V, 44针 TSOP封装
制造商零件编号:
IDT71V416S10PHGI
制造商:
IDT
IDT
库存编号:
742-6724
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IDT71V416S10PHGI产品详细信息
静态RAM,IDT
IDT71V416S10PHGI产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
18.41mm
尺寸
18.41 x 10.16 x 1mm
存储器大小
4Mbit
低功率
是
封装类型
TSOP II
高度
1mm
计时类型
异步
宽度
10.16mm
每字组的位元数目
16Bit
位址总线宽
18Bit
引脚数目
44
字组数目
256K
组织
256K x 16 位
最长随机存取时间
10ns
最大工作电源电压
3.6 V
最低工作温度
-40 °C
最高工作温度
+85 °C
最小工作电源电压
3 V
关键词
IDT71V416S10PHGI相关搜索
安装类型 表面贴装
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SRAM 存储器芯片 安装类型 表面贴装
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长度 18.41mm
IDT 长度 18.41mm
SRAM 存储器芯片 长度 18.41mm
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尺寸 18.41 x 10.16 x 1mm
IDT 尺寸 18.41 x 10.16 x 1mm
SRAM 存储器芯片 尺寸 18.41 x 10.16 x 1mm
IDT SRAM 存储器芯片 尺寸 18.41 x 10.16 x 1mm
存储器大小 4Mbit
IDT 存储器大小 4Mbit
SRAM 存储器芯片 存储器大小 4Mbit
IDT SRAM 存储器芯片 存储器大小 4Mbit
低功率 是
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SRAM 存储器芯片 低功率 是
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封装类型 TSOP II
IDT 封装类型 TSOP II
SRAM 存储器芯片 封装类型 TSOP II
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高度 1mm
IDT 高度 1mm
SRAM 存储器芯片 高度 1mm
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计时类型 异步
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SRAM 存储器芯片 计时类型 异步
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宽度 10.16mm
IDT 宽度 10.16mm
SRAM 存储器芯片 宽度 10.16mm
IDT SRAM 存储器芯片 宽度 10.16mm
每字组的位元数目 16Bit
IDT 每字组的位元数目 16Bit
SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 16Bit
IDT SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 16Bit
位址总线宽 18Bit
IDT 位址总线宽 18Bit
SRAM 存储器芯片 位址总线宽 18Bit
IDT SRAM 存储器芯片 位址总线宽 18Bit
引脚数目 44
IDT 引脚数目 44
SRAM 存储器芯片 引脚数目 44
IDT SRAM 存储器芯片 引脚数目 44
字组数目 256K
IDT 字组数目 256K
SRAM 存储器芯片 字组数目 256K
IDT SRAM 存储器芯片 字组数目 256K
组织 256K x 16 位
IDT 组织 256K x 16 位
SRAM 存储器芯片 组织 256K x 16 位
IDT SRAM 存储器芯片 组织 256K x 16 位
最长随机存取时间 10ns
IDT 最长随机存取时间 10ns
SRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 10ns
IDT SRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 10ns
最大工作电源电压 3.6 V
IDT 最大工作电源电压 3.6 V
SRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 3.6 V
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最低工作温度 -40 °C
IDT 最低工作温度 -40 °C
SRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C
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最高工作温度 +85 °C
IDT 最高工作温度 +85 °C
SRAM 存储器芯片 最高工作温度 +85 °C
IDT SRAM 存储器芯片 最高工作温度 +85 °C
最小工作电源电压 3 V
IDT 最小工作电源电压 3 V
SRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 3 V
IDT SRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 3 V
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
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IDT71V416S10PHGI产品技术参数资料
IDT71V416S/L 3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit) Data Sheet
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