CY62177EV30LL-55ZXI,726-0209,Cypress Semiconductor CY62177EV30LL-55ZXI, 32Mbit SRAM 内存, 2.2 → 3.7 V, 48针 TSOP封装 ,Cypress Semiconductor
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CY62177EV30LL-55ZXI
Cypress Semiconductor CY62177EV30LL-55ZXI, 32Mbit SRAM 内存, 2.2 → 3.7 V, 48针 TSOP封装
制造商零件编号:
CY62177EV30LL-55ZXI
制造商:
Cypress Semiconductor
Cypress Semiconductor
库存编号:
726-0209
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
CY62177EV30LL-55ZXI产品详细信息
异步静态 RAM 存储器,Cypress Semiconductor
CY62177EV30LL-55ZXI产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
12mm
尺寸
12 x 18.4 x 1.05mm
存储器大小
32Mbit
封装类型
TSOP
高度
1.05mm
计时类型
异步
宽度
18.4mm
每字组的位元数目
8 bit, 16 bit
位址总线宽
21Bit
引脚数目
48
字组数目
2M, 4M
最长随机存取时间
55ns
最大工作电源电压
3.7 V
最低工作温度
-40 °C
最高工作温度
+85 °C
最小工作电源电压
2.2 V
关键词
CY62177EV30LL-55ZXI相关搜索
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Cypress Semiconductor 安装类型 表面贴装
SRAM 存储器芯片 安装类型 表面贴装
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长度 12mm
Cypress Semiconductor 长度 12mm
SRAM 存储器芯片 长度 12mm
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 长度 12mm
尺寸 12 x 18.4 x 1.05mm
Cypress Semiconductor 尺寸 12 x 18.4 x 1.05mm
SRAM 存储器芯片 尺寸 12 x 18.4 x 1.05mm
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 尺寸 12 x 18.4 x 1.05mm
存储器大小 32Mbit
Cypress Semiconductor 存储器大小 32Mbit
SRAM 存储器芯片 存储器大小 32Mbit
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 存储器大小 32Mbit
封装类型 TSOP
Cypress Semiconductor 封装类型 TSOP
SRAM 存储器芯片 封装类型 TSOP
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 封装类型 TSOP
高度 1.05mm
Cypress Semiconductor 高度 1.05mm
SRAM 存储器芯片 高度 1.05mm
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 高度 1.05mm
计时类型 异步
Cypress Semiconductor 计时类型 异步
SRAM 存储器芯片 计时类型 异步
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 计时类型 异步
宽度 18.4mm
Cypress Semiconductor 宽度 18.4mm
SRAM 存储器芯片 宽度 18.4mm
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 宽度 18.4mm
每字组的位元数目 8 bit, 16 bit
Cypress Semiconductor 每字组的位元数目 8 bit, 16 bit
SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 8 bit, 16 bit
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 8 bit, 16 bit
位址总线宽 21Bit
Cypress Semiconductor 位址总线宽 21Bit
SRAM 存储器芯片 位址总线宽 21Bit
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 位址总线宽 21Bit
引脚数目 48
Cypress Semiconductor 引脚数目 48
SRAM 存储器芯片 引脚数目 48
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 引脚数目 48
字组数目 2M, 4M
Cypress Semiconductor 字组数目 2M, 4M
SRAM 存储器芯片 字组数目 2M, 4M
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 字组数目 2M, 4M
最长随机存取时间 55ns
Cypress Semiconductor 最长随机存取时间 55ns
SRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 55ns
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 55ns
最大工作电源电压 3.7 V
Cypress Semiconductor 最大工作电源电压 3.7 V
SRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 3.7 V
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 3.7 V
最低工作温度 -40 °C
Cypress Semiconductor 最低工作温度 -40 °C
SRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C
最高工作温度 +85 °C
Cypress Semiconductor 最高工作温度 +85 °C
SRAM 存储器芯片 最高工作温度 +85 °C
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 最高工作温度 +85 °C
最小工作电源电压 2.2 V
Cypress Semiconductor 最小工作电源电压 2.2 V
SRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 2.2 V
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 2.2 V
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CY62177EV30LL-55ZXI产品技术参数资料
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