CY62157EV30LL-55ZSXE,726-0183,Cypress Semiconductor CY62157EV30LL-55ZSXE, 8Mbit SRAM 内存, 2.2 → 3.6 V, 44针 TSOP封装 ,Cypress Semiconductor
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CY62157EV30LL-55ZSXE
Cypress Semiconductor CY62157EV30LL-55ZSXE, 8Mbit SRAM 内存, 2.2 → 3.6 V, 44针 TSOP封装
制造商零件编号:
CY62157EV30LL-55ZSXE
制造商:
Cypress Semiconductor
Cypress Semiconductor
库存编号:
726-0183
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
CY62157EV30LL-55ZSXE产品详细信息
异步静态 RAM 存储器,Cypress Semiconductor
CY62157EV30LL-55ZSXE产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
18.52mm
尺寸
18.52 x 10.26 x 1.04mm
存储器大小
8Mbit
封装类型
TSOP
高度
1.04mm
计时类型
异步
宽度
10.26mm
每字组的位元数目
16Bit
位址总线宽
19Bit
引脚数目
44
字组数目
512K
最长随机存取时间
55ns
最大工作电源电压
3.6 V
最低工作温度
-40°C
最高工作温度
+125 °C
最小工作电源电压
2.2 V
关键词
CY62157EV30LL-55ZSXE相关搜索
安装类型 表面贴装
Cypress Semiconductor 安装类型 表面贴装
SRAM 存储器芯片 安装类型 表面贴装
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 安装类型 表面贴装
长度 18.52mm
Cypress Semiconductor 长度 18.52mm
SRAM 存储器芯片 长度 18.52mm
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 长度 18.52mm
尺寸 18.52 x 10.26 x 1.04mm
Cypress Semiconductor 尺寸 18.52 x 10.26 x 1.04mm
SRAM 存储器芯片 尺寸 18.52 x 10.26 x 1.04mm
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 尺寸 18.52 x 10.26 x 1.04mm
存储器大小 8Mbit
Cypress Semiconductor 存储器大小 8Mbit
SRAM 存储器芯片 存储器大小 8Mbit
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 存储器大小 8Mbit
封装类型 TSOP
Cypress Semiconductor 封装类型 TSOP
SRAM 存储器芯片 封装类型 TSOP
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 封装类型 TSOP
高度 1.04mm
Cypress Semiconductor 高度 1.04mm
SRAM 存储器芯片 高度 1.04mm
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 高度 1.04mm
计时类型 异步
Cypress Semiconductor 计时类型 异步
SRAM 存储器芯片 计时类型 异步
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 计时类型 异步
宽度 10.26mm
Cypress Semiconductor 宽度 10.26mm
SRAM 存储器芯片 宽度 10.26mm
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 宽度 10.26mm
每字组的位元数目 16Bit
Cypress Semiconductor 每字组的位元数目 16Bit
SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 16Bit
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 16Bit
位址总线宽 19Bit
Cypress Semiconductor 位址总线宽 19Bit
SRAM 存储器芯片 位址总线宽 19Bit
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 位址总线宽 19Bit
引脚数目 44
Cypress Semiconductor 引脚数目 44
SRAM 存储器芯片 引脚数目 44
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 引脚数目 44
字组数目 512K
Cypress Semiconductor 字组数目 512K
SRAM 存储器芯片 字组数目 512K
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 字组数目 512K
最长随机存取时间 55ns
Cypress Semiconductor 最长随机存取时间 55ns
SRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 55ns
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 55ns
最大工作电源电压 3.6 V
Cypress Semiconductor 最大工作电源电压 3.6 V
SRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 3.6 V
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 3.6 V
最低工作温度 -40°C
Cypress Semiconductor 最低工作温度 -40°C
SRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40°C
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40°C
最高工作温度 +125 °C
Cypress Semiconductor 最高工作温度 +125 °C
SRAM 存储器芯片 最高工作温度 +125 °C
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 最高工作温度 +125 °C
最小工作电源电压 2.2 V
Cypress Semiconductor 最小工作电源电压 2.2 V
SRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 2.2 V
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 2.2 V
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CY62157EV30LL-55ZSXE产品技术参数资料
CY62157E MoBL, 8Mbit (512K x 16) Static RAM
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