IDT71V30L25TFG,714-4860,IDT IDT71V30L25TFG, 8kbit SRAM 内存, 1K x 8 位, 3 → 3.6 V, 64针 TQFP封装 ,IDT
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IDT IDT71V30L25TFG, 8kbit SRAM 内存, 1K x 8 位, 3 → 3.6 V, 64针 TQFP封装

制造商零件编号：
IDT71V30L25TFG
制造商：
IDT IDT
库存编号：
714-4860
IDT IDT71V30L25TFG
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IDT71V30L25TFG产品详细信息

静态RAM，IDT

IDT71V30L25TFG产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  10mm  
  尺寸  10 x 10 x 1.4mm  
  存储器大小  8Kbit  
  低功率  是  
  封装类型  TQFP  
  高度  1.4mm  
  计时类型  异步  
  宽度  10mm  
  每字组的位元数目  8Bit  
  位址总线宽  8Bit  
  引脚数目  64  
  字组数目  1K  
  组织  1K x 8 位  
  最长随机存取时间  25ns  
  最大工作电源电压  3.6 V  
  最低工作温度  0 °C  
  最高工作温度  +70 °C  
  最小工作电源电压  3.0 V  
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IDT71V30L25TFG相关搜索

安装类型 表面贴装  IDT 安装类型 表面贴装  SRAM 存储器芯片 安装类型 表面贴装  IDT SRAM 存储器芯片 安装类型 表面贴装   长度 10mm  IDT 长度 10mm  SRAM 存储器芯片 长度 10mm  IDT SRAM 存储器芯片 长度 10mm   尺寸 10 x 10 x 1.4mm  IDT 尺寸 10 x 10 x 1.4mm  SRAM 存储器芯片 尺寸 10 x 10 x 1.4mm  IDT SRAM 存储器芯片 尺寸 10 x 10 x 1.4mm   存储器大小 8Kbit  IDT 存储器大小 8Kbit  SRAM 存储器芯片 存储器大小 8Kbit  IDT SRAM 存储器芯片 存储器大小 8Kbit   低功率 是  IDT 低功率 是  SRAM 存储器芯片 低功率 是  IDT SRAM 存储器芯片 低功率 是   封装类型 TQFP  IDT 封装类型 TQFP  SRAM 存储器芯片 封装类型 TQFP  IDT SRAM 存储器芯片 封装类型 TQFP   高度 1.4mm  IDT 高度 1.4mm  SRAM 存储器芯片 高度 1.4mm  IDT SRAM 存储器芯片 高度 1.4mm   计时类型 异步  IDT 计时类型 异步  SRAM 存储器芯片 计时类型 异步  IDT SRAM 存储器芯片 计时类型 异步   宽度 10mm  IDT 宽度 10mm  SRAM 存储器芯片 宽度 10mm  IDT SRAM 存储器芯片 宽度 10mm   每字组的位元数目 8Bit  IDT 每字组的位元数目 8Bit  SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 8Bit  IDT SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 8Bit   位址总线宽 8Bit  IDT 位址总线宽 8Bit  SRAM 存储器芯片 位址总线宽 8Bit  IDT SRAM 存储器芯片 位址总线宽 8Bit   引脚数目 64  IDT 引脚数目 64  SRAM 存储器芯片 引脚数目 64  IDT SRAM 存储器芯片 引脚数目 64   字组数目 1K  IDT 字组数目 1K  SRAM 存储器芯片 字组数目 1K  IDT SRAM 存储器芯片 字组数目 1K   组织 1K x 8 位  IDT 组织 1K x 8 位  SRAM 存储器芯片 组织 1K x 8 位  IDT SRAM 存储器芯片 组织 1K x 8 位   最长随机存取时间 25ns  IDT 最长随机存取时间 25ns  SRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 25ns  IDT SRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 25ns   最大工作电源电压 3.6 V  IDT 最大工作电源电压 3.6 V  SRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 3.6 V  IDT SRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 3.6 V   最低工作温度 0 °C  IDT 最低工作温度 0 °C  SRAM 存储器芯片 最低工作温度 0 °C  IDT SRAM 存储器芯片 最低工作温度 0 °C   最高工作温度 +70 °C  IDT 最高工作温度 +70 °C  SRAM 存储器芯片 最高工作温度 +70 °C  IDT SRAM 存储器芯片 最高工作温度 +70 °C   最小工作电源电压 3.0 V  IDT 最小工作电源电压 3.0 V  SRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 3.0 V  IDT SRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 3.0 V  
参考价格及参考库存
  美国2号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
71V30L25TFG
[更多]		 Integrated Device Technology Inc

SRAM 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
IDT71V30L25TFG
[更多]		 Integrated Device Technology Inc

IC, IDT71V30L25TFG

RoHS: Compliant

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Integrated Device Tech - IDT71V30L25TFG - IDT71V30L25TFG IC|R1047659 | ChuangWei Electronics		Integrated Device Tech
IC, IDT71V30L25TFG

型号：IDT71V30L25TFG
仓库库存编号：R1047659
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IDT - IDT71V30L25TFG - IDT IDT71V30L25TFG, 8kbit SRAM 内存, 1K x 8 位, 3 → 3.6 V, 64针 TQFP封装
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品牌：
IDT
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IDT71V30L25TFG|INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGYIDT71V30L25TFG
INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY		芯片 存储器 SRAM 双端口 8K 1K X8 TQFP64
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IDT71V30L25TFG产品技术参数资料

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