IDT71V30L25TFG,714-4860,IDT IDT71V30L25TFG, 8kbit SRAM 内存, 1K x 8 位, 3 → 3.6 V, 64针 TQFP封装 ,IDT
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IDT71V30L25TFG
IDT IDT71V30L25TFG, 8kbit SRAM 内存, 1K x 8 位, 3 → 3.6 V, 64针 TQFP封装
制造商零件编号:
IDT71V30L25TFG
制造商:
IDT
IDT
库存编号:
714-4860
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IDT71V30L25TFG产品详细信息
静态RAM,IDT
IDT71V30L25TFG产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
10mm
尺寸
10 x 10 x 1.4mm
存储器大小
8Kbit
低功率
是
封装类型
TQFP
高度
1.4mm
计时类型
异步
宽度
10mm
每字组的位元数目
8Bit
位址总线宽
8Bit
引脚数目
64
字组数目
1K
组织
1K x 8 位
最长随机存取时间
25ns
最大工作电源电压
3.6 V
最低工作温度
0 °C
最高工作温度
+70 °C
最小工作电源电压
3.0 V
关键词
IDT71V30L25TFG相关搜索
安装类型 表面贴装
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SRAM 存储器芯片 安装类型 表面贴装
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长度 10mm
IDT 长度 10mm
SRAM 存储器芯片 长度 10mm
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尺寸 10 x 10 x 1.4mm
IDT 尺寸 10 x 10 x 1.4mm
SRAM 存储器芯片 尺寸 10 x 10 x 1.4mm
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存储器大小 8Kbit
IDT 存储器大小 8Kbit
SRAM 存储器芯片 存储器大小 8Kbit
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低功率 是
IDT 低功率 是
SRAM 存储器芯片 低功率 是
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封装类型 TQFP
IDT 封装类型 TQFP
SRAM 存储器芯片 封装类型 TQFP
IDT SRAM 存储器芯片 封装类型 TQFP
高度 1.4mm
IDT 高度 1.4mm
SRAM 存储器芯片 高度 1.4mm
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计时类型 异步
IDT 计时类型 异步
SRAM 存储器芯片 计时类型 异步
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宽度 10mm
IDT 宽度 10mm
SRAM 存储器芯片 宽度 10mm
IDT SRAM 存储器芯片 宽度 10mm
每字组的位元数目 8Bit
IDT 每字组的位元数目 8Bit
SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 8Bit
IDT SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 8Bit
位址总线宽 8Bit
IDT 位址总线宽 8Bit
SRAM 存储器芯片 位址总线宽 8Bit
IDT SRAM 存储器芯片 位址总线宽 8Bit
引脚数目 64
IDT 引脚数目 64
SRAM 存储器芯片 引脚数目 64
IDT SRAM 存储器芯片 引脚数目 64
字组数目 1K
IDT 字组数目 1K
SRAM 存储器芯片 字组数目 1K
IDT SRAM 存储器芯片 字组数目 1K
组织 1K x 8 位
IDT 组织 1K x 8 位
SRAM 存储器芯片 组织 1K x 8 位
IDT SRAM 存储器芯片 组织 1K x 8 位
最长随机存取时间 25ns
IDT 最长随机存取时间 25ns
SRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 25ns
IDT SRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 25ns
最大工作电源电压 3.6 V
IDT 最大工作电源电压 3.6 V
SRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 3.6 V
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最低工作温度 0 °C
IDT 最低工作温度 0 °C
SRAM 存储器芯片 最低工作温度 0 °C
IDT SRAM 存储器芯片 最低工作温度 0 °C
最高工作温度 +70 °C
IDT 最高工作温度 +70 °C
SRAM 存储器芯片 最高工作温度 +70 °C
IDT SRAM 存储器芯片 最高工作温度 +70 °C
最小工作电源电压 3.0 V
IDT 最小工作电源电压 3.0 V
SRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 3.0 V
IDT SRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 3.0 V
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IDT71V30L25TFG产品技术参数资料
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