CY7C1009D-10VXI,710-5708,Cypress Semiconductor CY7C1009D-10VXI, 1Mbit SRAM 内存, 128K x 8 位, -0.5 至 6 V, 32针 SOJ封装 ,Cypress Semiconductor
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CY7C1009D-10VXI
Cypress Semiconductor CY7C1009D-10VXI, 1Mbit SRAM 内存, 128K x 8 位, -0.5 至 6 V, 32针 SOJ封装
制造商零件编号:
CY7C1009D-10VXI
制造商:
Cypress Semiconductor
Cypress Semiconductor
库存编号:
710-5708
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
CY7C1009D-10VXI产品详细信息
异步静态 RAM 存储器,Cypress Semiconductor
CY7C1009D-10VXI产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
21.08mm
尺寸
0.83 x 0.305 x 0.14in
存储器大小
1Mbit
低功率
是
封装类型
SOJ
高度
3.56mm
计时类型
异步
宽度
0.305in
每字组的位元数目
8Bit
位址总线宽
17Bit
引脚数目
32
字组数目
128K
组织
128K x 8 位
最长随机存取时间
10ns
最大工作电源电压
6.0 V
最低工作温度
-40 °C
最高工作温度
+85 °C
最小工作电源电压
-0.5 V
关键词
CY7C1009D-10VXI相关搜索
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长度 21.08mm
Cypress Semiconductor 长度 21.08mm
SRAM 存储器芯片 长度 21.08mm
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 长度 21.08mm
尺寸 0.83 x 0.305 x 0.14in
Cypress Semiconductor 尺寸 0.83 x 0.305 x 0.14in
SRAM 存储器芯片 尺寸 0.83 x 0.305 x 0.14in
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 尺寸 0.83 x 0.305 x 0.14in
存储器大小 1Mbit
Cypress Semiconductor 存储器大小 1Mbit
SRAM 存储器芯片 存储器大小 1Mbit
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 存储器大小 1Mbit
低功率 是
Cypress Semiconductor 低功率 是
SRAM 存储器芯片 低功率 是
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封装类型 SOJ
Cypress Semiconductor 封装类型 SOJ
SRAM 存储器芯片 封装类型 SOJ
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 封装类型 SOJ
高度 3.56mm
Cypress Semiconductor 高度 3.56mm
SRAM 存储器芯片 高度 3.56mm
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 高度 3.56mm
计时类型 异步
Cypress Semiconductor 计时类型 异步
SRAM 存储器芯片 计时类型 异步
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 计时类型 异步
宽度 0.305in
Cypress Semiconductor 宽度 0.305in
SRAM 存储器芯片 宽度 0.305in
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 宽度 0.305in
每字组的位元数目 8Bit
Cypress Semiconductor 每字组的位元数目 8Bit
SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 8Bit
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 8Bit
位址总线宽 17Bit
Cypress Semiconductor 位址总线宽 17Bit
SRAM 存储器芯片 位址总线宽 17Bit
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 位址总线宽 17Bit
引脚数目 32
Cypress Semiconductor 引脚数目 32
SRAM 存储器芯片 引脚数目 32
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 引脚数目 32
字组数目 128K
Cypress Semiconductor 字组数目 128K
SRAM 存储器芯片 字组数目 128K
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 字组数目 128K
组织 128K x 8 位
Cypress Semiconductor 组织 128K x 8 位
SRAM 存储器芯片 组织 128K x 8 位
Cypress Semiconductor SRAM 存储器芯片 组织 128K x 8 位
最长随机存取时间 10ns
Cypress Semiconductor 最长随机存取时间 10ns
SRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 10ns
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最大工作电源电压 6.0 V
Cypress Semiconductor 最大工作电源电压 6.0 V
SRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 6.0 V
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最低工作温度 -40 °C
Cypress Semiconductor 最低工作温度 -40 °C
SRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C
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最高工作温度 +85 °C
Cypress Semiconductor 最高工作温度 +85 °C
SRAM 存储器芯片 最高工作温度 +85 °C
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最小工作电源电压 -0.5 V
Cypress Semiconductor 最小工作电源电压 -0.5 V
SRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 -0.5 V
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CY7C1009D-10VXI产品技术参数资料
CY7C109D, CY7C1009D, 1Mbit (128K x 8) Static RAM
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