AS6C6264-55SIN,538-186,Alliance Memory AS6C6264-55SIN, 64kbit SRAM 内存, 8K 个字 x 8 位, 2.7 → 5.5 V, 28针 SOP封装 ,Alliance Memory
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AS6C6264-55SIN
Alliance Memory AS6C6264-55SIN, 64kbit SRAM 内存, 8K 个字 x 8 位, 2.7 → 5.5 V, 28针 SOP封装
制造商零件编号:
AS6C6264-55SIN
制造商:
Alliance Memory
Alliance Memory
库存编号:
538-186
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
AS6C6264-55SIN产品详细信息
静态 RAM,Alliance Memory
AS6C6264-55SIN产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
18.49mm
尺寸
18.49 x 8.64 x 2.49mm
存储器大小
64Kbit
低功率
是
封装类型
SOP
高度
2.49mm
计时类型
异步
宽度
8.64mm
每字组的位元数目
8Bit
位址总线宽
13Bit
引脚数目
28
字组数目
8K
组织
8K 个字 x 8 位
最长随机存取时间
55ns
最大工作电源电压
5.5 V
最低工作温度
-40 °C
最高工作温度
+85 °C
最小工作电源电压
2.7 V
关键词
AS6C6264-55SIN相关搜索
安装类型 表面贴装
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SRAM 存储器芯片 安装类型 表面贴装
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长度 18.49mm
Alliance Memory 长度 18.49mm
SRAM 存储器芯片 长度 18.49mm
Alliance Memory SRAM 存储器芯片 长度 18.49mm
尺寸 18.49 x 8.64 x 2.49mm
Alliance Memory 尺寸 18.49 x 8.64 x 2.49mm
SRAM 存储器芯片 尺寸 18.49 x 8.64 x 2.49mm
Alliance Memory SRAM 存储器芯片 尺寸 18.49 x 8.64 x 2.49mm
存储器大小 64Kbit
Alliance Memory 存储器大小 64Kbit
SRAM 存储器芯片 存储器大小 64Kbit
Alliance Memory SRAM 存储器芯片 存储器大小 64Kbit
低功率 是
Alliance Memory 低功率 是
SRAM 存储器芯片 低功率 是
Alliance Memory SRAM 存储器芯片 低功率 是
封装类型 SOP
Alliance Memory 封装类型 SOP
SRAM 存储器芯片 封装类型 SOP
Alliance Memory SRAM 存储器芯片 封装类型 SOP
高度 2.49mm
Alliance Memory 高度 2.49mm
SRAM 存储器芯片 高度 2.49mm
Alliance Memory SRAM 存储器芯片 高度 2.49mm
计时类型 异步
Alliance Memory 计时类型 异步
SRAM 存储器芯片 计时类型 异步
Alliance Memory SRAM 存储器芯片 计时类型 异步
宽度 8.64mm
Alliance Memory 宽度 8.64mm
SRAM 存储器芯片 宽度 8.64mm
Alliance Memory SRAM 存储器芯片 宽度 8.64mm
每字组的位元数目 8Bit
Alliance Memory 每字组的位元数目 8Bit
SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 8Bit
Alliance Memory SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 8Bit
位址总线宽 13Bit
Alliance Memory 位址总线宽 13Bit
SRAM 存储器芯片 位址总线宽 13Bit
Alliance Memory SRAM 存储器芯片 位址总线宽 13Bit
引脚数目 28
Alliance Memory 引脚数目 28
SRAM 存储器芯片 引脚数目 28
Alliance Memory SRAM 存储器芯片 引脚数目 28
字组数目 8K
Alliance Memory 字组数目 8K
SRAM 存储器芯片 字组数目 8K
Alliance Memory SRAM 存储器芯片 字组数目 8K
组织 8K 个字 x 8 位
Alliance Memory 组织 8K 个字 x 8 位
SRAM 存储器芯片 组织 8K 个字 x 8 位
Alliance Memory SRAM 存储器芯片 组织 8K 个字 x 8 位
最长随机存取时间 55ns
Alliance Memory 最长随机存取时间 55ns
SRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 55ns
Alliance Memory SRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 55ns
最大工作电源电压 5.5 V
Alliance Memory 最大工作电源电压 5.5 V
SRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 5.5 V
Alliance Memory SRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 5.5 V
最低工作温度 -40 °C
Alliance Memory 最低工作温度 -40 °C
SRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C
Alliance Memory SRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C
最高工作温度 +85 °C
Alliance Memory 最高工作温度 +85 °C
SRAM 存储器芯片 最高工作温度 +85 °C
Alliance Memory SRAM 存储器芯片 最高工作温度 +85 °C
最小工作电源电压 2.7 V
Alliance Memory 最小工作电源电压 2.7 V
SRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 2.7 V
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AS6C6264-55SIN产品技术参数资料
AS6C6264 8K X 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM Data Sheet
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