AS6C6264-55PCN,538-158,Alliance Memory AS6C6264-55PCN, 64kbit SRAM 内存, 8K 个字 x 8 位, 2.7 → 5.5 V, 28针 PDIP封装 ,Alliance Memory
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AS6C6264-55PCN
Alliance Memory AS6C6264-55PCN, 64kbit SRAM 内存, 8K 个字 x 8 位, 2.7 → 5.5 V, 28针 PDIP封装
制造商零件编号:
AS6C6264-55PCN
制造商:
Alliance Memory
Alliance Memory
库存编号:
538-158
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
AS6C6264-55PCN产品详细信息
静态 RAM,Alliance Memory
AS6C6264-55PCN产品技术参数
安装类型
通孔
长度
36.32mm
尺寸
36.32 x 13.21 x 3.81mm
存储器大小
64Kbit
低功率
是
封装类型
PDIP
高度
3.81mm
计时类型
异步
宽度
13.21mm
每字组的位元数目
8Bit
位址总线宽
13Bit
引脚数目
28
字组数目
8K
组织
8K 个字 x 8 位
最长随机存取时间
55ns
最大工作电源电压
5.5 V
最低工作温度
0 °C
最高工作温度
+70 °C
最小工作电源电压
2.7 V
关键词
AS6C6264-55PCN配套附件
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
TE Connectivity HOLCO 系列 0.25W 1kΩ 轴向 金属膜固定电阻器 H81K0BYA, ±0.1%, ±15ppm/°C
制造商零件编号:
H81K0BYA
品牌:
TE Connectivity
库存编号:
701-7383
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安装类型 通孔
Alliance Memory 安装类型 通孔
SRAM 存储器芯片 安装类型 通孔
Alliance Memory SRAM 存储器芯片 安装类型 通孔
长度 36.32mm
Alliance Memory 长度 36.32mm
SRAM 存储器芯片 长度 36.32mm
Alliance Memory SRAM 存储器芯片 长度 36.32mm
尺寸 36.32 x 13.21 x 3.81mm
Alliance Memory 尺寸 36.32 x 13.21 x 3.81mm
SRAM 存储器芯片 尺寸 36.32 x 13.21 x 3.81mm
Alliance Memory SRAM 存储器芯片 尺寸 36.32 x 13.21 x 3.81mm
存储器大小 64Kbit
Alliance Memory 存储器大小 64Kbit
SRAM 存储器芯片 存储器大小 64Kbit
Alliance Memory SRAM 存储器芯片 存储器大小 64Kbit
低功率 是
Alliance Memory 低功率 是
SRAM 存储器芯片 低功率 是
Alliance Memory SRAM 存储器芯片 低功率 是
封装类型 PDIP
Alliance Memory 封装类型 PDIP
SRAM 存储器芯片 封装类型 PDIP
Alliance Memory SRAM 存储器芯片 封装类型 PDIP
高度 3.81mm
Alliance Memory 高度 3.81mm
SRAM 存储器芯片 高度 3.81mm
Alliance Memory SRAM 存储器芯片 高度 3.81mm
计时类型 异步
Alliance Memory 计时类型 异步
SRAM 存储器芯片 计时类型 异步
Alliance Memory SRAM 存储器芯片 计时类型 异步
宽度 13.21mm
Alliance Memory 宽度 13.21mm
SRAM 存储器芯片 宽度 13.21mm
Alliance Memory SRAM 存储器芯片 宽度 13.21mm
每字组的位元数目 8Bit
Alliance Memory 每字组的位元数目 8Bit
SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 8Bit
Alliance Memory SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 8Bit
位址总线宽 13Bit
Alliance Memory 位址总线宽 13Bit
SRAM 存储器芯片 位址总线宽 13Bit
Alliance Memory SRAM 存储器芯片 位址总线宽 13Bit
引脚数目 28
Alliance Memory 引脚数目 28
SRAM 存储器芯片 引脚数目 28
Alliance Memory SRAM 存储器芯片 引脚数目 28
字组数目 8K
Alliance Memory 字组数目 8K
SRAM 存储器芯片 字组数目 8K
Alliance Memory SRAM 存储器芯片 字组数目 8K
组织 8K 个字 x 8 位
Alliance Memory 组织 8K 个字 x 8 位
SRAM 存储器芯片 组织 8K 个字 x 8 位
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最长随机存取时间 55ns
Alliance Memory 最长随机存取时间 55ns
SRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 55ns
Alliance Memory SRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 55ns
最大工作电源电压 5.5 V
Alliance Memory 最大工作电源电压 5.5 V
SRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 5.5 V
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最低工作温度 0 °C
Alliance Memory 最低工作温度 0 °C
SRAM 存储器芯片 最低工作温度 0 °C
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最高工作温度 +70 °C
Alliance Memory 最高工作温度 +70 °C
SRAM 存储器芯片 最高工作温度 +70 °C
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最小工作电源电压 2.7 V
Alliance Memory 最小工作电源电压 2.7 V
SRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 2.7 V
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AS6C6264-55PCN产品技术参数资料
AS6C6264 8K X 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM Data Sheet
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