IS61LV6416-10TL,392-362,ISSI IS61LV6416-10TL, 1Mbit SRAM 内存, 64K 个字 x 16 位, 3.135 → 3.63 V, 44针 TSOP封装 ,ISSI
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ISSI IS61LV6416-10TL, 1Mbit SRAM 内存, 64K 个字 x 16 位, 3.135 → 3.63 V, 44针 TSOP封装

制造商零件编号：
IS61LV6416-10TL
制造商：
ISSI ISSI
库存编号：
392-362
ISSI IS61LV6416-10TL
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

IS61LV6416-10TL产品详细信息

静态 RAM，ISSI

ISSI 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM，其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用，如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。

电源：1.8V/3.3V/5V
提供的封装：BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP
提供的配置选择：x8 和 x16
ECC 功能可用于高速异步 SRAM

IS61LV6416-10TL产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  18.52mm  
  尺寸  18.52 x 10.29 x 1.05mm  
  存储器大小  1Mbit  
  低功率  是  
  封装类型  TSOP  
  高度  1.05mm  
  计时类型  异步  
  宽度  10.29mm  
  每字组的位元数目  16Bit  
  位址总线宽  16Bit  
  引脚数目  44  
  字组数目  64K  
  组织  64K 个字 x 16 位  
  最长随机存取时间  10ns  
  最大工作电源电压  3.63 V  
  最低工作温度  0 °C  
  最高工作温度  +70 °C  
  最小工作电源电压  3.135 V  
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