IS61WV12816BLL-12TLI,391-684,ISSI IS61WV12816BLL-12TLI, 2Mbit SRAM 内存, 128K 个字 x 16 位, 2.97 → 3.63 V, 44针 TSOP封装 ,ISSI
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IS61WV12816BLL-12TLI
ISSI IS61WV12816BLL-12TLI, 2Mbit SRAM 内存, 128K 个字 x 16 位, 2.97 → 3.63 V, 44针 TSOP封装
制造商零件编号:
IS61WV12816BLL-12TLI
制造商:
ISSI
ISSI
库存编号:
391-684
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IS61WV12816BLL-12TLI产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
18.52mm
尺寸
18.52 x 10.29 x 1.05mm
存储器大小
2Mbit
低功率
是
封装类型
TSOP
高度
1.05mm
计时类型
异步
宽度
10.29mm
每字组的位元数目
16Bit
位址总线宽
17Bit
引脚数目
44
字组数目
128K
组织
128K 个字 x 16 位
最长随机存取时间
12ns
最大工作电源电压
3.63 V
最低工作温度
-40°C
最高工作温度
+85°C
最小工作电源电压
2.97 V
关键词
IS61WV12816BLL-12TLI相关搜索
安装类型 表面贴装
ISSI 安装类型 表面贴装
SRAM 存储器芯片 安装类型 表面贴装
ISSI SRAM 存储器芯片 安装类型 表面贴装
长度 18.52mm
ISSI 长度 18.52mm
SRAM 存储器芯片 长度 18.52mm
ISSI SRAM 存储器芯片 长度 18.52mm
尺寸 18.52 x 10.29 x 1.05mm
ISSI 尺寸 18.52 x 10.29 x 1.05mm
SRAM 存储器芯片 尺寸 18.52 x 10.29 x 1.05mm
ISSI SRAM 存储器芯片 尺寸 18.52 x 10.29 x 1.05mm
存储器大小 2Mbit
ISSI 存储器大小 2Mbit
SRAM 存储器芯片 存储器大小 2Mbit
ISSI SRAM 存储器芯片 存储器大小 2Mbit
低功率 是
ISSI 低功率 是
SRAM 存储器芯片 低功率 是
ISSI SRAM 存储器芯片 低功率 是
封装类型 TSOP
ISSI 封装类型 TSOP
SRAM 存储器芯片 封装类型 TSOP
ISSI SRAM 存储器芯片 封装类型 TSOP
高度 1.05mm
ISSI 高度 1.05mm
SRAM 存储器芯片 高度 1.05mm
ISSI SRAM 存储器芯片 高度 1.05mm
计时类型 异步
ISSI 计时类型 异步
SRAM 存储器芯片 计时类型 异步
ISSI SRAM 存储器芯片 计时类型 异步
宽度 10.29mm
ISSI 宽度 10.29mm
SRAM 存储器芯片 宽度 10.29mm
ISSI SRAM 存储器芯片 宽度 10.29mm
每字组的位元数目 16Bit
ISSI 每字组的位元数目 16Bit
SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 16Bit
ISSI SRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 16Bit
位址总线宽 17Bit
ISSI 位址总线宽 17Bit
SRAM 存储器芯片 位址总线宽 17Bit
ISSI SRAM 存储器芯片 位址总线宽 17Bit
引脚数目 44
ISSI 引脚数目 44
SRAM 存储器芯片 引脚数目 44
ISSI SRAM 存储器芯片 引脚数目 44
字组数目 128K
ISSI 字组数目 128K
SRAM 存储器芯片 字组数目 128K
ISSI SRAM 存储器芯片 字组数目 128K
组织 128K 个字 x 16 位
ISSI 组织 128K 个字 x 16 位
SRAM 存储器芯片 组织 128K 个字 x 16 位
ISSI SRAM 存储器芯片 组织 128K 个字 x 16 位
最长随机存取时间 12ns
ISSI 最长随机存取时间 12ns
SRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 12ns
ISSI SRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 12ns
最大工作电源电压 3.63 V
ISSI 最大工作电源电压 3.63 V
SRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 3.63 V
ISSI SRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 3.63 V
最低工作温度 -40°C
ISSI 最低工作温度 -40°C
SRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40°C
ISSI SRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40°C
最高工作温度 +85°C
ISSI 最高工作温度 +85°C
SRAM 存储器芯片 最高工作温度 +85°C
ISSI SRAM 存储器芯片 最高工作温度 +85°C
最小工作电源电压 2.97 V
ISSI 最小工作电源电压 2.97 V
SRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 2.97 V
ISSI SRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 2.97 V
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IS61WV12816BLL-12TLI产品技术参数资料
IS61WV12816BLL 128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM Data Sheet
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