DS1312S-2+,732-7337,Maxim DS1312S-2+ SRAM 控制器, -40 → +85 °C, 4.5 → 5.5 V, 8引脚 SOIC封装, 6V, ±10%, 带写入保护, 10ns ,Maxim
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Maxim DS1312S-2+ SRAM 控制器, -40 → +85 °C, 4.5 → 5.5 V, 8引脚 SOIC封装, 6V, ±10%, 带写入保护, 10ns

制造商零件编号:
DS1312S-2+
制造商:
Maxim Maxim
库存编号:
732-7337
Maxim DS1312S-2+
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DS1312S-2+产品详细信息

SRAM 和 NVRAM 附件,Maxim Integrated Products

DS1312S-2+产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  5mm  
  尺寸  5 x 4 x 1.5mm  
  电源电压监测容差  ±10%  
  封装类型  SOIC  
  高度  1.5mm  
  宽度  4mm  
  写入保护控制  是  
  引脚数目  8  
  最长传播延迟时间  10ns  
  最大备份电池电压  6V  
  最大工作电源电压  4.5 V  
  最低工作温度  -40°C  
  最高工作温度  +85°C  
  最小工作电源电压  5.5 V  
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安装类型 表面贴装  Maxim 安装类型 表面贴装  SRAM 控制器单元 安装类型 表面贴装  Maxim SRAM 控制器单元 安装类型 表面贴装   长度 5mm  Maxim 长度 5mm  SRAM 控制器单元 长度 5mm  Maxim SRAM 控制器单元 长度 5mm   尺寸 5 x 4 x 1.5mm  Maxim 尺寸 5 x 4 x 1.5mm  SRAM 控制器单元 尺寸 5 x 4 x 1.5mm  Maxim SRAM 控制器单元 尺寸 5 x 4 x 1.5mm   电源电压监测容差 ±10%  Maxim 电源电压监测容差 ±10%  SRAM 控制器单元 电源电压监测容差 ±10%  Maxim SRAM 控制器单元 电源电压监测容差 ±10%   封装类型 SOIC  Maxim 封装类型 SOIC  SRAM 控制器单元 封装类型 SOIC  Maxim SRAM 控制器单元 封装类型 SOIC   高度 1.5mm  Maxim 高度 1.5mm  SRAM 控制器单元 高度 1.5mm  Maxim SRAM 控制器单元 高度 1.5mm   宽度 4mm  Maxim 宽度 4mm  SRAM 控制器单元 宽度 4mm  Maxim SRAM 控制器单元 宽度 4mm   写入保护控制 是  Maxim 写入保护控制 是  SRAM 控制器单元 写入保护控制 是  Maxim SRAM 控制器单元 写入保护控制 是   引脚数目 8  Maxim 引脚数目 8  SRAM 控制器单元 引脚数目 8  Maxim SRAM 控制器单元 引脚数目 8   最长传播延迟时间 10ns  Maxim 最长传播延迟时间 10ns  SRAM 控制器单元 最长传播延迟时间 10ns  Maxim SRAM 控制器单元 最长传播延迟时间 10ns   最大备份电池电压 6V  Maxim 最大备份电池电压 6V  SRAM 控制器单元 最大备份电池电压 6V  Maxim SRAM 控制器单元 最大备份电池电压 6V   最大工作电源电压 4.5 V  Maxim 最大工作电源电压 4.5 V  SRAM 控制器单元 最大工作电源电压 4.5 V  Maxim SRAM 控制器单元 最大工作电源电压 4.5 V   最低工作温度 -40°C  Maxim 最低工作温度 -40°C  SRAM 控制器单元 最低工作温度 -40°C  Maxim SRAM 控制器单元 最低工作温度 -40°C   最高工作温度 +85°C  Maxim 最高工作温度 +85°C  SRAM 控制器单元 最高工作温度 +85°C  Maxim SRAM 控制器单元 最高工作温度 +85°C   最小工作电源电压 5.5 V  Maxim 最小工作电源电压 5.5 V  SRAM 控制器单元 最小工作电源电压 5.5 V  Maxim SRAM 控制器单元 最小工作电源电压 5.5 V  
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NONVOLATILE SRAM CNTRL, NSOIC-8

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DS1312 Series 5 V Non-Volatile Controller with Lithium Battery Monitor - SOIC-8

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Maxim - DS1312S-2+ - Maxim DS1312S-2+ SRAM 控制器, -40 → +85 °C, 4.5 → 5.5 V, 8引脚 SOIC封装, 6V, ±10%, 带写入保护, 10ns

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