IS42S32200E-7TL,811-5144,IS42S32200E-7TL, 64Mbit 143MHz SDRAM 存储器, 3 → 3.6 V, 86针 TSOP封装 ,ISSI
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IS42S32200E-7TL, 64Mbit 143MHz SDRAM 存储器, 3 → 3.6 V, 86针 TSOP封装

制造商零件编号：
IS42S32200E-7TL
制造商：
ISSI ISSI
库存编号：
811-5144
ISSI IS42S32200E-7TL
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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IS42S32200E-7TL
库存编号:706-1081-ND		 Integrated Silicon Solution Inc IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II0
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IS42S32200E-7TLI
库存编号:706-1082-ND		 Integrated Silicon Solution Inc IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II0
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IS42S32200E-7TL-TR
库存编号:706-1302-1-ND		 Integrated Silicon Solution Inc IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II0
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IS42S32200E-7TL-TR
库存编号:706-1302-2-ND		 Integrated Silicon Solution Inc IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II0
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IS42S32200E-7TL-TR
库存编号:706-1302-6-ND		 Integrated Silicon Solution Inc IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II0
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IS42S32200E-7TLI-TR
库存编号:IS42S32200E-7TLI-TR-ND		 Integrated Silicon Solution Inc IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II0
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IS42S32200E-7TL-TR Integrated Silicon Solution Inc  
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￥256.01
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IS42S32200E-7TLI Integrated Silicon Solution Inc 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 NS, PDSO862
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￥119.32
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IS42S32200E-7TL产品详细信息

动态 RAM， ISSI

ISSI SDR SDRAM 系列提供同步接口，具有可编程 CAS 等待时间（2/3 时钟）。 可使用管道流程实现高速数据传输，且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能，且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 ISSI SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列，工作电源为 3.3V。

LVTTL 接口
有关输入/输出信号，请参考时钟输入的上升边缘
可编程脉冲序列：连续/交错；可编程脉冲长度
每个时钟周期的随机列地址
自刷新和自动刷新模式

IS42S32200E-7TL产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  22.42mm  
  尺寸  22.42 x 10.29 x 1.05mm  
  存储器大小  64Mbit  
  封装类型  TSOP  
  高度  1.05mm  
  宽度  10.29mm  
  每字组的位元数目  32Bit  
  数据速率  143MHz  
  数据总线宽度  32Bit  
  位址总线宽  13Bit  
  引脚数目  86  
  字组数目  2M  
  组织  2M x 32  
  最长随机存取时间  8ns  
  最大工作电源电压  3.6 V  
  最低工作温度  0 °C  
  最高工作温度  +70 °C  
  最小工作电源电压  3 V  
关键词         

IS42S32200E-7TL相关搜索

安装类型 表面贴装  ISSI 安装类型 表面贴装  SDRAM 存储器芯片 安装类型 表面贴装  ISSI SDRAM 存储器芯片 安装类型 表面贴装   长度 22.42mm  ISSI 长度 22.42mm  SDRAM 存储器芯片 长度 22.42mm  ISSI SDRAM 存储器芯片 长度 22.42mm   尺寸 22.42 x 10.29 x 1.05mm  ISSI 尺寸 22.42 x 10.29 x 1.05mm  SDRAM 存储器芯片 尺寸 22.42 x 10.29 x 1.05mm  ISSI SDRAM 存储器芯片 尺寸 22.42 x 10.29 x 1.05mm   存储器大小 64Mbit  ISSI 存储器大小 64Mbit  SDRAM 存储器芯片 存储器大小 64Mbit  ISSI SDRAM 存储器芯片 存储器大小 64Mbit   封装类型 TSOP  ISSI 封装类型 TSOP  SDRAM 存储器芯片 封装类型 TSOP  ISSI SDRAM 存储器芯片 封装类型 TSOP   高度 1.05mm  ISSI 高度 1.05mm  SDRAM 存储器芯片 高度 1.05mm  ISSI SDRAM 存储器芯片 高度 1.05mm   宽度 10.29mm  ISSI 宽度 10.29mm  SDRAM 存储器芯片 宽度 10.29mm  ISSI SDRAM 存储器芯片 宽度 10.29mm   每字组的位元数目 32Bit  ISSI 每字组的位元数目 32Bit  SDRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 32Bit  ISSI SDRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 32Bit   数据速率 143MHz  ISSI 数据速率 143MHz  SDRAM 存储器芯片 数据速率 143MHz  ISSI SDRAM 存储器芯片 数据速率 143MHz   数据总线宽度 32Bit  ISSI 数据总线宽度 32Bit  SDRAM 存储器芯片 数据总线宽度 32Bit  ISSI SDRAM 存储器芯片 数据总线宽度 32Bit   位址总线宽 13Bit  ISSI 位址总线宽 13Bit  SDRAM 存储器芯片 位址总线宽 13Bit  ISSI SDRAM 存储器芯片 位址总线宽 13Bit   引脚数目 86  ISSI 引脚数目 86  SDRAM 存储器芯片 引脚数目 86  ISSI SDRAM 存储器芯片 引脚数目 86   字组数目 2M  ISSI 字组数目 2M  SDRAM 存储器芯片 字组数目 2M  ISSI SDRAM 存储器芯片 字组数目 2M   组织 2M x 32  ISSI 组织 2M x 32  SDRAM 存储器芯片 组织 2M x 32  ISSI SDRAM 存储器芯片 组织 2M x 32   最长随机存取时间 8ns  ISSI 最长随机存取时间 8ns  SDRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 8ns  ISSI SDRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 8ns   最大工作电源电压 3.6 V  ISSI 最大工作电源电压 3.6 V  SDRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 3.6 V  ISSI SDRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 3.6 V   最低工作温度 0 °C  ISSI 最低工作温度 0 °C  SDRAM 存储器芯片 最低工作温度 0 °C  ISSI SDRAM 存储器芯片 最低工作温度 0 °C   最高工作温度 +70 °C  ISSI 最高工作温度 +70 °C  SDRAM 存储器芯片 最高工作温度 +70 °C  ISSI SDRAM 存储器芯片 最高工作温度 +70 °C   最小工作电源电压 3 V  ISSI 最小工作电源电压 3 V  SDRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 3 V  ISSI SDRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 3 V  
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型号 制造商 描述 操作
IS42S32200E-7TL
[更多]		 Integrated Silicon Solution Inc

DRAM 64M 2Mx32 166Mhz SDR SDRAM, 3.3V

RoHS: Compliant

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IS42S32200E-7TLI
[更多]		 Integrated Silicon Solution Inc

DRAM 64M 2Mx32 166Mhz SDR SDRAM, 3.3V

RoHS: Compliant

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[更多]		 Integrated Silicon Solution Inc

DRAM 64M 2Mx32 166Mhz SDRAM, 3.3v

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IS42S32200E-7TL-TR
[更多]		 Integrated Silicon Solution Inc

DRAM 64M 2Mx32 166Mhz SDRAM, 3.3v

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
IS42S32200E-7TLI
[更多]		 Integrated Silicon Solution Inc

DRAM Chip SDRAM 64M-Bit 2Mx32 3.3V 86-Pin TSOP-II (Alt: IS42S32200E-7TLI)

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
IS42S32200E-7TLI
[更多]		 Integrated Silicon Solution Inc

2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PDSO86

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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

ISSI - IS42S32200E-7TL - IS42S32200E-7TL, 64Mbit 143MHz SDRAM 存储器, 3 → 3.6 V, 86针 TSOP封装
制造商零件编号：
IS42S32200E-7TL
品牌：
ISSI
库存编号：
811-5144
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS42S32200E-7TLI - IC SDRAM 64MBIT 143MHZ 86TSOP		ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 64MBIT 143MHZ 86TSOP
详细描述：SDRAM 存储器 IC 64Mb （2M x 32） 并联 143MHz 5.5ns 86-TSOP II

型号：IS42S32200E-7TLI
仓库库存编号：706-1082-ND
别名：706-1082 <br>IS42S32200E-7TLI-ND <br>IS42S32200E7TLI <br>

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS42S32200E-7TLI-TR - IC SDRAM 64MBIT 143MHZ 86TSOP		ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 64MBIT 143MHZ 86TSOP
详细描述：SDRAM 存储器 IC 64Mb （2M x 32） 并联 143MHz 5.5ns 86-TSOP II

型号：IS42S32200E-7TLI-TR
仓库库存编号：IS42S32200E-7TLI-TR-ND

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS42S32200E-7TL-TR - IC SDRAM 64MBIT 143MHZ 86TSOP		ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 64MBIT 143MHZ 86TSOP
详细描述：SDRAM 存储器 IC 64Mb （2M x 32） 并联 143MHz 5.5ns 86-TSOP II

型号：IS42S32200E-7TL-TR
仓库库存编号：706-1302-1-ND
别名：706-1302-1 <br>

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IS42S32200E-7TL|ISSIIS42S32200E-7TL
ISSI		动态随机存取存储器 64M 2Mx32 166Mhz S动态随机存取存储器, 3.3v
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IS42S32200E-7TLI|ISSIIS42S32200E-7TLI
ISSI		动态随机存取存储器 64M 2Mx32 166Mhz S动态随机存取存储器, 3.3v
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ISSI		动态随机存取存储器 64M 2Mx32 166Mhz S动态随机存取存储器, 3.3v
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无图IS42S32200E-7TL
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ISSI		动态随机存取存储器 64M 2Mx32 166Mhz S动态随机存取存储器, 3.3v
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无图IS42S32200E-7TLI-TR
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无图IS42S32200E-7TL-TR
ISSI		动态随机存取存储器 64M 2Mx32 166Mhz S动态随机存取存储器, 3.3v
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IS42S32200E-7TL|ISSI, Integrated Silicon Solution IncIS42S32200E-7TL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc		IC SDRAM 64MBIT 143MHZ 86TSOP
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc		IC SDRAM 64MBIT 143MHZ 86TSOP
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IS42S32200E-7TL产品技术参数资料

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