IS42S32200E-6TL,811-5135,IS42S32200E-6TL, 64Mbit 166MHz SDRAM 存储器, 3 → 3.6 V, 86针 TSOP封装 ,ISSI

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IS42S32200E-6TL, 64Mbit 166MHz SDRAM 存储器, 3 → 3.6 V, 86针 TSOP封装

制造商零件编号：: IS42S32200E-6TL
制造商：: ISSI ISSI
库存编号：: 811-5135

ISSI

ISSI IS42S32200E-6TL

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IS42S32200E-6TL产品详细信息

动态 RAM， ISSI

ISSI SDR SDRAM 系列提供同步接口，具有可编程 CAS 等待时间（2/3 时钟）。可使用管道流程实现高速数据传输，且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能，且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 ISSI SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列，工作电源为 3.3V。

LVTTL 接口
有关输入/输出信号，请参考时钟输入的上升边缘
可编程脉冲序列：连续/交错；可编程脉冲长度
每个时钟周期的随机列地址
自刷新和自动刷新模式

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IS42S32200E-6TL [更多]	Integrated Silicon Solution Inc	DRAM 64M 2Mx32 166Mhz SDR SDRAM, 3.3V RoHS: Compliant	搜索
IS42S32200E-6TLI-TR [更多]	Integrated Silicon Solution Inc	DRAM 64M (2Mx32) 166MHz SDRAM, 3.3v RoHS: Compliant	搜索
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DRAM Chip SDRAM 64M-Bit 2Mx32 3.3V 86-Pin TSOP-II (Alt: IS42S32200E-6TL)

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操作

IS42S32200E-6TL-TR
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Integrated Silicon Solution Inc

DRAM Chip SDRAM 64Mbit 2Mx32 3.3V 86-Pin TSOP-II T/R

RoHS: Compliant

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IS42S32200E-6TL
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Integrated Silicon Solution Inc

2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, 86 Pin Plastic SMT

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IS42S32200E-6TL, 64Mbit 166MHz SDRAM 存储器, 3 → 3.6 V, 86针 TSOP封装

制造商零件编号：
IS42S32200E-6TL
品牌：
ISSI
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811-5135

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IS42S32200E-6TL产品技术参数资料

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