IS42S16100F-7TLI,811-5100,IS42S16100F-7TLI, 16Mbit 143MHz SDRAM, 3 → 3.6 V, 50针 TSOP封装 ,ISSI
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IS42S16100F-7TLI, 16Mbit 143MHz SDRAM, 3 → 3.6 V, 50针 TSOP封装

制造商零件编号：
IS42S16100F-7TLI
制造商：
ISSI ISSI
库存编号：
811-5100
ISSI IS42S16100F-7TLI
声明：图片仅供参考，请以实物为准！


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IS42S16100F-7TLI产品详细信息

动态 RAM， ISSI

ISSI SDR SDRAM 系列提供同步接口，具有可编程 CAS 等待时间（2/3 时钟）。 可使用管道流程实现高速数据传输，且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能，且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 ISSI SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列，工作电源为 3.3V。

LVTTL 接口
有关输入/输出信号，请参考时钟输入的上升边缘
可编程脉冲序列：连续/交错；可编程脉冲长度
每个时钟周期的随机列地址
自刷新和自动刷新模式

IS42S16100F-7TLI产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  21.08mm  
  尺寸  21.08 x 10.29 x 1.05mm  
  存储器大小  16Mbit  
  封装类型  TSOP  
  高度  1.05mm  
  宽度  10.29mm  
  每字组的位元数目  16Bit  
  数据速率  143MHz  
  数据总线宽度  16Bit  
  位址总线宽  12Bit  
  引脚数目  50  
  字组数目  1M  
  组织  16M x 1 位  
  最长随机存取时间  6ns  
  最大工作电源电压  3.6 V  
  最低工作温度  -40 °C  
  最高工作温度  +85 °C  
  最小工作电源电压  3 V  
关键词         

IS42S16100F-7TLI相关搜索

安装类型 表面贴装  ISSI 安装类型 表面贴装  SDRAM 存储器芯片 安装类型 表面贴装  ISSI SDRAM 存储器芯片 安装类型 表面贴装   长度 21.08mm  ISSI 长度 21.08mm  SDRAM 存储器芯片 长度 21.08mm  ISSI SDRAM 存储器芯片 长度 21.08mm   尺寸 21.08 x 10.29 x 1.05mm  ISSI 尺寸 21.08 x 10.29 x 1.05mm  SDRAM 存储器芯片 尺寸 21.08 x 10.29 x 1.05mm  ISSI SDRAM 存储器芯片 尺寸 21.08 x 10.29 x 1.05mm   存储器大小 16Mbit  ISSI 存储器大小 16Mbit  SDRAM 存储器芯片 存储器大小 16Mbit  ISSI SDRAM 存储器芯片 存储器大小 16Mbit   封装类型 TSOP  ISSI 封装类型 TSOP  SDRAM 存储器芯片 封装类型 TSOP  ISSI SDRAM 存储器芯片 封装类型 TSOP   高度 1.05mm  ISSI 高度 1.05mm  SDRAM 存储器芯片 高度 1.05mm  ISSI SDRAM 存储器芯片 高度 1.05mm   宽度 10.29mm  ISSI 宽度 10.29mm  SDRAM 存储器芯片 宽度 10.29mm  ISSI SDRAM 存储器芯片 宽度 10.29mm   每字组的位元数目 16Bit  ISSI 每字组的位元数目 16Bit  SDRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 16Bit  ISSI SDRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 16Bit   数据速率 143MHz  ISSI 数据速率 143MHz  SDRAM 存储器芯片 数据速率 143MHz  ISSI SDRAM 存储器芯片 数据速率 143MHz   数据总线宽度 16Bit  ISSI 数据总线宽度 16Bit  SDRAM 存储器芯片 数据总线宽度 16Bit  ISSI SDRAM 存储器芯片 数据总线宽度 16Bit   位址总线宽 12Bit  ISSI 位址总线宽 12Bit  SDRAM 存储器芯片 位址总线宽 12Bit  ISSI SDRAM 存储器芯片 位址总线宽 12Bit   引脚数目 50  ISSI 引脚数目 50  SDRAM 存储器芯片 引脚数目 50  ISSI SDRAM 存储器芯片 引脚数目 50   字组数目 1M  ISSI 字组数目 1M  SDRAM 存储器芯片 字组数目 1M  ISSI SDRAM 存储器芯片 字组数目 1M   组织 16M x 1 位  ISSI 组织 16M x 1 位  SDRAM 存储器芯片 组织 16M x 1 位  ISSI SDRAM 存储器芯片 组织 16M x 1 位   最长随机存取时间 6ns  ISSI 最长随机存取时间 6ns  SDRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 6ns  ISSI SDRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 6ns   最大工作电源电压 3.6 V  ISSI 最大工作电源电压 3.6 V  SDRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 3.6 V  ISSI SDRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 3.6 V   最低工作温度 -40 °C  ISSI 最低工作温度 -40 °C  SDRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C  ISSI SDRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C   最高工作温度 +85 °C  ISSI 最高工作温度 +85 °C  SDRAM 存储器芯片 最高工作温度 +85 °C  ISSI SDRAM 存储器芯片 最高工作温度 +85 °C   最小工作电源电压 3 V  ISSI 最小工作电源电压 3 V  SDRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 3 V  ISSI SDRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 3 V  
参考价格及参考库存
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型号 制造商 描述 操作
IS42S16100F-7TLI
[更多]		 Integrated Silicon Solution Inc

DRAM 16M (1Mx16) 143MHz SDR SDRAM, 3.3V

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IS42S16100F-7TLI-TR
[更多]		 Integrated Silicon Solution Inc

DRAM 16M (1Mx16) 143MHz SDRAM, 3.3v

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IS42S16100F-7TLI
[更多]		 Integrated Silicon Solution Inc

DRAM Chip SDRAM 16M-Bit 1Mx16 3.3V 50-Pin TSOP-II (Alt: IS42S16100F-7TLI)

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DRAM Chip SDRAM 16Mbit 1Mx16 3.3V 50-Pin TSOP-II

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DRAM Chip SDRAM 16Mbit 1Mx16 3.3V 50-Pin TSOP-II

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DRAM Chip SDRAM 16Mbit 1Mx16 3.3V 50-Pin TSOP-II T/R

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无图IS42S16100F-7TLI
ISSI		动态随机存取存储器 16M (1Mx16) 143MHz S动态随机存取存储器, 3.3v
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ISSI		动态随机存取存储器 16M (1Mx16) 143MHz S动态随机存取存储器, 3.3v
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ISSI - IS42S16100F-7TLI - IS42S16100F-7TLI, 16Mbit 143MHz SDRAM, 3 → 3.6 V, 50针 TSOP封装
制造商零件编号：
IS42S16100F-7TLI
品牌：
ISSI
库存编号：
811-5100
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS42S16100F-7TLI - IC SDRAM 16MBIT 143MHZ 50TSOP		ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 16MBIT 143MHZ 50TSOP
详细描述：SDRAM 存储器 IC 16Mb （1M x 16） 并联 143MHz 5.5ns 50-TSOP II

型号：IS42S16100F-7TLI
仓库库存编号：IS42S16100F-7TLI-ND

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS42S16100F-7TLI-TR - IC SDRAM 16MBIT 143MHZ 50TSOP		ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 16MBIT 143MHZ 50TSOP
详细描述：SDRAM 存储器 IC 16Mb （1M x 16） 并联 143MHz 5.5ns 50-TSOP II

型号：IS42S16100F-7TLI-TR
仓库库存编号：IS42S16100F-7TLI-TR-ND

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IS42S16100F-7TLI产品技术参数资料

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