AS4C8M32S-7BCN,797-5853,Alliance Memory AS4C8M32S-7BCN 256Mbit 133MHz SDRAM 存储器, 8M x 32 位, 3 → 3.6 V电源, 90引脚 TFBGA封装 ,Alliance Memory
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AS4C8M32S-7BCN
Alliance Memory AS4C8M32S-7BCN 256Mbit 133MHz SDRAM 存储器, 8M x 32 位, 3 → 3.6 V电源, 90引脚 TFBGA封装
制造商零件编号:
AS4C8M32S-7BCN
制造商:
Alliance Memory
Alliance Memory
库存编号:
797-5853
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
AS4C8M32S-7BCN产品详细信息
同步 DRAM,Alliance Memory
AS4C8M32S-7BCN产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
8.1mm
尺寸
8.1 x 13.1 x 0.94mm
存储器大小
256Mbit
封装类型
TFBGA
高度
0.94mm
宽度
13.1mm
每字组的位元数目
32Bit
数据速率
133MHz
数据总线宽度
32Bit
引脚数目
90
字组数目
2M
组织
8M x 32 位
最长随机存取时间
5.4ns
最大工作电源电压
3.6 V
最低工作温度
0 °C
最高工作温度
+70 °C
最小工作电源电压
3 V
关键词
AS4C8M32S-7BCN相关搜索
安装类型 表面贴装
Alliance Memory 安装类型 表面贴装
SDRAM 存储器芯片 安装类型 表面贴装
Alliance Memory SDRAM 存储器芯片 安装类型 表面贴装
长度 8.1mm
Alliance Memory 长度 8.1mm
SDRAM 存储器芯片 长度 8.1mm
Alliance Memory SDRAM 存储器芯片 长度 8.1mm
尺寸 8.1 x 13.1 x 0.94mm
Alliance Memory 尺寸 8.1 x 13.1 x 0.94mm
SDRAM 存储器芯片 尺寸 8.1 x 13.1 x 0.94mm
Alliance Memory SDRAM 存储器芯片 尺寸 8.1 x 13.1 x 0.94mm
存储器大小 256Mbit
Alliance Memory 存储器大小 256Mbit
SDRAM 存储器芯片 存储器大小 256Mbit
Alliance Memory SDRAM 存储器芯片 存储器大小 256Mbit
封装类型 TFBGA
Alliance Memory 封装类型 TFBGA
SDRAM 存储器芯片 封装类型 TFBGA
Alliance Memory SDRAM 存储器芯片 封装类型 TFBGA
高度 0.94mm
Alliance Memory 高度 0.94mm
SDRAM 存储器芯片 高度 0.94mm
Alliance Memory SDRAM 存储器芯片 高度 0.94mm
宽度 13.1mm
Alliance Memory 宽度 13.1mm
SDRAM 存储器芯片 宽度 13.1mm
Alliance Memory SDRAM 存储器芯片 宽度 13.1mm
每字组的位元数目 32Bit
Alliance Memory 每字组的位元数目 32Bit
SDRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 32Bit
Alliance Memory SDRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 32Bit
数据速率 133MHz
Alliance Memory 数据速率 133MHz
SDRAM 存储器芯片 数据速率 133MHz
Alliance Memory SDRAM 存储器芯片 数据速率 133MHz
数据总线宽度 32Bit
Alliance Memory 数据总线宽度 32Bit
SDRAM 存储器芯片 数据总线宽度 32Bit
Alliance Memory SDRAM 存储器芯片 数据总线宽度 32Bit
引脚数目 90
Alliance Memory 引脚数目 90
SDRAM 存储器芯片 引脚数目 90
Alliance Memory SDRAM 存储器芯片 引脚数目 90
字组数目 2M
Alliance Memory 字组数目 2M
SDRAM 存储器芯片 字组数目 2M
Alliance Memory SDRAM 存储器芯片 字组数目 2M
组织 8M x 32 位
Alliance Memory 组织 8M x 32 位
SDRAM 存储器芯片 组织 8M x 32 位
Alliance Memory SDRAM 存储器芯片 组织 8M x 32 位
最长随机存取时间 5.4ns
Alliance Memory 最长随机存取时间 5.4ns
SDRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 5.4ns
Alliance Memory SDRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 5.4ns
最大工作电源电压 3.6 V
Alliance Memory 最大工作电源电压 3.6 V
SDRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 3.6 V
Alliance Memory SDRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 3.6 V
最低工作温度 0 °C
Alliance Memory 最低工作温度 0 °C
SDRAM 存储器芯片 最低工作温度 0 °C
Alliance Memory SDRAM 存储器芯片 最低工作温度 0 °C
最高工作温度 +70 °C
Alliance Memory 最高工作温度 +70 °C
SDRAM 存储器芯片 最高工作温度 +70 °C
Alliance Memory SDRAM 存储器芯片 最高工作温度 +70 °C
最小工作电源电压 3 V
Alliance Memory 最小工作电源电压 3 V
SDRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 3 V
Alliance Memory SDRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 3 V
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
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AS4C8M32S-7BCN产品技术参数资料
AS4C8M32S, 8M x 32 bit Synchronous DRAM (SDRAM) Data Sheet
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