AS4C8M16S-6TIN,797-5841,Alliance Memory AS4C8M16S-6TIN 128Mbit 166MHz SDRAM 存储器, 8M x 16 位, 3 → 3.6 V电源, 54引脚 TSOP封装 ,Alliance Memory
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AS4C8M16S-6TIN
Alliance Memory AS4C8M16S-6TIN 128Mbit 166MHz SDRAM 存储器, 8M x 16 位, 3 → 3.6 V电源, 54引脚 TSOP封装
制造商零件编号:
AS4C8M16S-6TIN
制造商:
Alliance Memory
Alliance Memory
库存编号:
797-5841
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
AS4C8M16S-6TIN产品详细信息
同步 DRAM,Alliance Memory
AS4C8M16S-6TIN产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
22.35mm
尺寸
22.35 x 10.29 x 1.1mm
存储器大小
128Mbit
封装类型
TSOP
高度
1.1mm
宽度
10.29mm
每字组的位元数目
16Bit
数据速率
166MHz
数据总线宽度
16Bit
引脚数目
54
字组数目
2M
组织
8M x 16 位
最长随机存取时间
6ns
最大工作电源电压
3.6 V
最低工作温度
-40 °C
最高工作温度
+85 °C
最小工作电源电压
3 V
关键词
AS4C8M16S-6TIN相关搜索
安装类型 表面贴装
Alliance Memory 安装类型 表面贴装
SDRAM 存储器芯片 安装类型 表面贴装
Alliance Memory SDRAM 存储器芯片 安装类型 表面贴装
长度 22.35mm
Alliance Memory 长度 22.35mm
SDRAM 存储器芯片 长度 22.35mm
Alliance Memory SDRAM 存储器芯片 长度 22.35mm
尺寸 22.35 x 10.29 x 1.1mm
Alliance Memory 尺寸 22.35 x 10.29 x 1.1mm
SDRAM 存储器芯片 尺寸 22.35 x 10.29 x 1.1mm
Alliance Memory SDRAM 存储器芯片 尺寸 22.35 x 10.29 x 1.1mm
存储器大小 128Mbit
Alliance Memory 存储器大小 128Mbit
SDRAM 存储器芯片 存储器大小 128Mbit
Alliance Memory SDRAM 存储器芯片 存储器大小 128Mbit
封装类型 TSOP
Alliance Memory 封装类型 TSOP
SDRAM 存储器芯片 封装类型 TSOP
Alliance Memory SDRAM 存储器芯片 封装类型 TSOP
高度 1.1mm
Alliance Memory 高度 1.1mm
SDRAM 存储器芯片 高度 1.1mm
Alliance Memory SDRAM 存储器芯片 高度 1.1mm
宽度 10.29mm
Alliance Memory 宽度 10.29mm
SDRAM 存储器芯片 宽度 10.29mm
Alliance Memory SDRAM 存储器芯片 宽度 10.29mm
每字组的位元数目 16Bit
Alliance Memory 每字组的位元数目 16Bit
SDRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 16Bit
Alliance Memory SDRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 16Bit
数据速率 166MHz
Alliance Memory 数据速率 166MHz
SDRAM 存储器芯片 数据速率 166MHz
Alliance Memory SDRAM 存储器芯片 数据速率 166MHz
数据总线宽度 16Bit
Alliance Memory 数据总线宽度 16Bit
SDRAM 存储器芯片 数据总线宽度 16Bit
Alliance Memory SDRAM 存储器芯片 数据总线宽度 16Bit
引脚数目 54
Alliance Memory 引脚数目 54
SDRAM 存储器芯片 引脚数目 54
Alliance Memory SDRAM 存储器芯片 引脚数目 54
字组数目 2M
Alliance Memory 字组数目 2M
SDRAM 存储器芯片 字组数目 2M
Alliance Memory SDRAM 存储器芯片 字组数目 2M
组织 8M x 16 位
Alliance Memory 组织 8M x 16 位
SDRAM 存储器芯片 组织 8M x 16 位
Alliance Memory SDRAM 存储器芯片 组织 8M x 16 位
最长随机存取时间 6ns
Alliance Memory 最长随机存取时间 6ns
SDRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 6ns
Alliance Memory SDRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 6ns
最大工作电源电压 3.6 V
Alliance Memory 最大工作电源电压 3.6 V
SDRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 3.6 V
Alliance Memory SDRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 3.6 V
最低工作温度 -40 °C
Alliance Memory 最低工作温度 -40 °C
SDRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C
Alliance Memory SDRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C
最高工作温度 +85 °C
Alliance Memory 最高工作温度 +85 °C
SDRAM 存储器芯片 最高工作温度 +85 °C
Alliance Memory SDRAM 存储器芯片 最高工作温度 +85 °C
最小工作电源电压 3 V
Alliance Memory 最小工作电源电压 3 V
SDRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 3 V
Alliance Memory SDRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 3 V
邮箱:
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AS4C8M16S-6TIN产品技术参数资料
AS4C8M16S, 128Mb/ 8M x 16 bit Synchronous DRAM (SDRAM) Data Sheet
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