74HCT14D,103-8173,NXP 74HCT14D 六 施密特 反相器, 4mA, 4.5 → 5.5 V电源, 14引脚 SOIC封装 ,Nexperia
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74HCT14D
NXP 74HCT14D 六 施密特 反相器, 4mA, 4.5 → 5.5 V电源, 14引脚 SOIC封装
制造商零件编号:
74HCT14D
制造商:
Nexperia
Nexperia
库存编号:
103-8173
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
74HCT14D产品详细信息
74HCT PLL 电路,Nexperia
高速 CMOS 逻辑
工作电压 4.5 至 5.5 V
兼容性:输入 TTL、输出 CMOS
74HCT14D产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
8.75mm
尺寸
8.75 x 4 x 1.45mm
传输延迟测试条件
50pF
封装类型
SOIC
高度
1.45mm
宽度
4mm
逻辑功能
逆变器
逻辑系列
HCT
每片芯片元件数目
6
施密特触发器输入
是
输入类型
施密特触发器
引脚数目
14
最长传播延迟时间@最长CL
34 ns @ 4.5 V
最大低电平输出电流
4mA
最大高电平输出电流
-4mA
最大工作电源电压
5.5 V
最低工作温度
-40 °C
最高工作温度
+125 °C
最小工作电源电压
4.5 V
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Nexperia 施密特触发反相器 安装类型 表面贴装
长度 8.75mm
Nexperia 长度 8.75mm
施密特触发反相器 长度 8.75mm
Nexperia 施密特触发反相器 长度 8.75mm
尺寸 8.75 x 4 x 1.45mm
Nexperia 尺寸 8.75 x 4 x 1.45mm
施密特触发反相器 尺寸 8.75 x 4 x 1.45mm
Nexperia 施密特触发反相器 尺寸 8.75 x 4 x 1.45mm
传输延迟测试条件 50pF
Nexperia 传输延迟测试条件 50pF
施密特触发反相器 传输延迟测试条件 50pF
Nexperia 施密特触发反相器 传输延迟测试条件 50pF
封装类型 SOIC
Nexperia 封装类型 SOIC
施密特触发反相器 封装类型 SOIC
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高度 1.45mm
Nexperia 高度 1.45mm
施密特触发反相器 高度 1.45mm
Nexperia 施密特触发反相器 高度 1.45mm
宽度 4mm
Nexperia 宽度 4mm
施密特触发反相器 宽度 4mm
Nexperia 施密特触发反相器 宽度 4mm
逻辑功能 逆变器
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施密特触发反相器 逻辑功能 逆变器
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逻辑系列 HCT
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施密特触发反相器 逻辑系列 HCT
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每片芯片元件数目 6
Nexperia 每片芯片元件数目 6
施密特触发反相器 每片芯片元件数目 6
Nexperia 施密特触发反相器 每片芯片元件数目 6
施密特触发器输入 是
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施密特触发反相器 施密特触发器输入 是
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输入类型 施密特触发器
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施密特触发反相器 输入类型 施密特触发器
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引脚数目 14
Nexperia 引脚数目 14
施密特触发反相器 引脚数目 14
Nexperia 施密特触发反相器 引脚数目 14
最长传播延迟时间@最长CL 34 ns @ 4.5 V
Nexperia 最长传播延迟时间@最长CL 34 ns @ 4.5 V
施密特触发反相器 最长传播延迟时间@最长CL 34 ns @ 4.5 V
Nexperia 施密特触发反相器 最长传播延迟时间@最长CL 34 ns @ 4.5 V
最大低电平输出电流 4mA
Nexperia 最大低电平输出电流 4mA
施密特触发反相器 最大低电平输出电流 4mA
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最大高电平输出电流 -4mA
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施密特触发反相器 最大高电平输出电流 -4mA
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最大工作电源电压 5.5 V
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施密特触发反相器 最大工作电源电压 5.5 V
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最低工作温度 -40 °C
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施密特触发反相器 最低工作温度 -40 °C
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最高工作温度 +125 °C
Nexperia 最高工作温度 +125 °C
施密特触发反相器 最高工作温度 +125 °C
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最小工作电源电压 4.5 V
Nexperia 最小工作电源电压 4.5 V
施密特触发反相器 最小工作电源电压 4.5 V
Nexperia 施密特触发反相器 最小工作电源电压 4.5 V
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74HCT14D产品技术参数资料
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