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安装类型	表面贴装
长度	8.75mm
尺寸	8.75 x 4 x 1.5mm
传输延迟测试条件	50pF
封装类型	SOIC
高度	1.5mm
宽度	4mm
逻辑功能	逆变器
逻辑系列	4000
每片芯片元件数目	6
施密特触发器输入	是
输入类型	施密特触发器
引脚数目	14
最长传播延迟时间@最长CL	80 ns @ 15 V, 100 ns @ 10 V, 250 ns @ 5 V
最大低电平输出电流	4.2mA
最大高电平输出电流	-4.2mA
最大工作电源电压	18 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+125 °C
最小工作电源电压	3 V
关键词

安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  施密特触发反相器 安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 施密特触发反相器 安装类型 表面贴装   长度 8.75mm  ON Semiconductor 长度 8.75mm  施密特触发反相器 长度 8.75mm  ON Semiconductor 施密特触发反相器 长度 8.75mm   尺寸 8.75 x 4 x 1.5mm  ON Semiconductor 尺寸 8.75 x 4 x 1.5mm  施密特触发反相器 尺寸 8.75 x 4 x 1.5mm  ON Semiconductor 施密特触发反相器 尺寸 8.75 x 4 x 1.5mm   传输延迟测试条件 50pF  ON Semiconductor 传输延迟测试条件 50pF  施密特触发反相器 传输延迟测试条件 50pF  ON Semiconductor 施密特触发反相器 传输延迟测试条件 50pF   封装类型 SOIC  ON Semiconductor 封装类型 SOIC  施密特触发反相器 封装类型 SOIC  ON Semiconductor 施密特触发反相器 封装类型 SOIC   高度 1.5mm  ON Semiconductor 高度 1.5mm  施密特触发反相器 高度 1.5mm  ON Semiconductor 施密特触发反相器 高度 1.5mm   宽度 4mm  ON Semiconductor 宽度 4mm  施密特触发反相器 宽度 4mm  ON Semiconductor 施密特触发反相器 宽度 4mm   逻辑功能 逆变器  ON Semiconductor 逻辑功能 逆变器  施密特触发反相器 逻辑功能 逆变器  ON Semiconductor 施密特触发反相器 逻辑功能 逆变器   逻辑系列 4000  ON Semiconductor 逻辑系列 4000  施密特触发反相器 逻辑系列 4000  ON Semiconductor 施密特触发反相器 逻辑系列 4000   每片芯片元件数目 6  ON Semiconductor 每片芯片元件数目 6  施密特触发反相器 每片芯片元件数目 6  ON Semiconductor 施密特触发反相器 每片芯片元件数目 6   施密特触发器输入 是  ON Semiconductor 施密特触发器输入 是  施密特触发反相器 施密特触发器输入 是  ON Semiconductor 施密特触发反相器 施密特触发器输入 是   输入类型 施密特触发器  ON Semiconductor 输入类型 施密特触发器  施密特触发反相器 输入类型 施密特触发器  ON Semiconductor 施密特触发反相器 输入类型 施密特触发器   引脚数目 14  ON Semiconductor 引脚数目 14  施密特触发反相器 引脚数目 14  ON Semiconductor 施密特触发反相器 引脚数目 14   最长传播延迟时间@最长CL 80 ns @ 15 V, 100 ns @ 10 V, 250 ns @ 5 V  ON Semiconductor 最长传播延迟时间@最长CL 80 ns @ 15 V, 100 ns @ 10 V, 250 ns @ 5 V  施密特触发反相器 最长传播延迟时间@最长CL 80 ns @ 15 V, 100 ns @ 10 V, 250 ns @ 5 V  ON Semiconductor 施密特触发反相器 最长传播延迟时间@最长CL 80 ns @ 15 V, 100 ns @ 10 V, 250 ns @ 5 V   最大低电平输出电流 4.2mA  ON Semiconductor 最大低电平输出电流 4.2mA  施密特触发反相器 最大低电平输出电流 4.2mA  ON Semiconductor 施密特触发反相器 最大低电平输出电流 4.2mA   最大高电平输出电流 -4.2mA  ON Semiconductor 最大高电平输出电流 -4.2mA  施密特触发反相器 最大高电平输出电流 -4.2mA  ON Semiconductor 施密特触发反相器 最大高电平输出电流 -4.2mA   最大工作电源电压 18 V  ON Semiconductor 最大工作电源电压 18 V  施密特触发反相器 最大工作电源电压 18 V  ON Semiconductor 施密特触发反相器 最大工作电源电压 18 V   最低工作温度 -55 °C  ON Semiconductor 最低工作温度 -55 °C  施密特触发反相器 最低工作温度 -55 °C  ON Semiconductor 施密特触发反相器 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +125 °C  ON Semiconductor 最高工作温度 +125 °C  施密特触发反相器 最高工作温度 +125 °C  ON Semiconductor 施密特触发反相器 最高工作温度 +125 °C   最小工作电源电压 3 V  ON Semiconductor 最小工作电源电压 3 V  施密特触发反相器 最小工作电源电压 3 V  ON Semiconductor 施密特触发反相器 最小工作电源电压 3 V  

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