DA112S1,919-6490,STMicroelectronics DA112S1 二极管, Io=50mA, Vrev=18V, 8引脚 SOIC封装 ,STMicroelectronics
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DA112S1
STMicroelectronics DA112S1 二极管, Io=50mA, Vrev=18V, 8引脚 SOIC封装
制造商零件编号:
DA112S1
制造商:
STMicroelectronics
STMicroelectronics
库存编号:
919-6490
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
DA112S1产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
5mm
尺寸
1.25 x 5 x 4mm
二极管技术
硅结型
二极管配置
阵列(6 x 串行对)
封装类型
SOIC
峰值反向电流
2μA
峰值反向重复电压
18V
高度
1.25mm
宽度
4mm
每片芯片元件数目
12
引脚数目
8
最大连续正向电流
50mA
最大正向电压降
12V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
150 °C
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整流器和肖特基二极管 长度 5mm
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尺寸 1.25 x 5 x 4mm
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整流器和肖特基二极管 尺寸 1.25 x 5 x 4mm
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二极管技术 硅结型
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整流器和肖特基二极管 二极管技术 硅结型
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二极管配置 阵列(6 x 串行对)
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整流器和肖特基二极管 二极管配置 阵列(6 x 串行对)
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封装类型 SOIC
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整流器和肖特基二极管 封装类型 SOIC
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峰值反向电流 2μA
STMicroelectronics 峰值反向电流 2μA
整流器和肖特基二极管 峰值反向电流 2μA
STMicroelectronics 整流器和肖特基二极管 峰值反向电流 2μA
峰值反向重复电压 18V
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整流器和肖特基二极管 峰值反向重复电压 18V
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高度 1.25mm
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整流器和肖特基二极管 高度 1.25mm
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宽度 4mm
STMicroelectronics 宽度 4mm
整流器和肖特基二极管 宽度 4mm
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每片芯片元件数目 12
STMicroelectronics 每片芯片元件数目 12
整流器和肖特基二极管 每片芯片元件数目 12
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引脚数目 8
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整流器和肖特基二极管 引脚数目 8
STMicroelectronics 整流器和肖特基二极管 引脚数目 8
最大连续正向电流 50mA
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最大正向电压降 12V
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最高工作温度 150 °C
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整流器和肖特基二极管 最高工作温度 150 °C
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