IDH10G65C5,898-6974,Infineon IDH10G65C5 肖特基 二极管, Io=10A, Vrev=650V, 2引脚 TO-220封装 ,Infineon
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Infineon IDH10G65C5 肖特基 二极管, Io=10A, Vrev=650V, 2引脚 TO-220封装

制造商零件编号：
IDH10G65C5
库存编号：
898-6974
Infineon IDH10G65C5
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

IDH10G65C5产品详细信息

thinQ! 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管，Infineon

Infineon thinQ!? 第 5 代提供全新薄芯片技术，用于碳化硅肖特基势垒二极管，可提高耐热性。thinQ! Infineon 肖特基二极管具有多种电压：600V、650V 和 1200V。Infineon 1200V 碳化硅二极管高效，且在 1200 V 操作时无损耗。碳化硅肖特基二极管碳化硅设备提供各种用于高电压功率半导体的功能，如更高的击穿电场强度和导热性，可提供更高效率水平。此代产品适用于电信 SMPS 和高端服务器、UPS 系统、电动机驱动器、太阳能反相器及 PC Silverbox 和照明应用。

降低的 EMI

IDH10G65C5产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.2mm  
  尺寸  10.2 x 4.5 x 15.95mm  
  二极管类型  肖特基  
  二极管配置  单路  
  封装类型  TO-220  
  峰值反向电流  1.25mA  
  峰值反向重复电压  650V  
  峰值非重复正向浪涌电流  82A  
  高度  15.95mm  
  功率耗散  89W  
  宽度  4.5mm  
  每片芯片元件数目  1  
  引脚数目  2  
  最大连续正向电流  10A  
  最大正向电压降  2.1V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
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IDH10G65C5产品技术参数资料

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