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安装类型	通孔
长度	10.03mm
尺寸	10.03 x 4.45 x 15.11mm
二极管技术	碳化硅肖特基
二极管类型	肖特基
二极管配置	单路
封装类型	TO-220
峰值反向电流	90μA
峰值反向重复电压	650V
峰值非重复正向浪涌电流	40A
高度	15.11mm
宽度	4.45mm
每片芯片元件数目	1
引脚数目	2
最大连续正向电流	8A
最大正向电压降	1.7V
最高工作温度	175 °C
关键词

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• TRS8E65C, SiC Schottky Barrier Diode