TRS10E65C,S1AQ(S,896-2606,Toshiba TRS10E65C,S1AQ(S 肖特基 二极管, Io=10A, Vrev=650V, 2引脚 TO-220封装 ,Toshiba
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TRS10E65C,S1AQ(S
Toshiba TRS10E65C,S1AQ(S 肖特基 二极管, Io=10A, Vrev=650V, 2引脚 TO-220封装
制造商零件编号:
TRS10E65C,S1AQ(S
制造商:
Toshiba
Toshiba
库存编号:
896-2606
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
TRS10E65C,S1AQ(S产品详细信息
碳化硅 (SiC) 肖特基二极管,Toshiba
碳化硅肖特基势垒二极管有助于降低能耗。
低损耗高效功率转换
低漏泄电流
高速切换
恢复特性不受温度影响
TRS10E65C,S1AQ(S产品技术参数
安装类型
通孔
长度
10.03mm
尺寸
10.03 x 4.45 x 15.11mm
二极管技术
碳化硅肖特基
二极管类型
肖特基
二极管配置
单路
封装类型
TO-220
峰值反向电流
90μA
峰值反向重复电压
650V
峰值非重复正向浪涌电流
50A
高度
15.11mm
宽度
4.45mm
每片芯片元件数目
1
引脚数目
2
最大连续正向电流
10A
最大正向电压降
1.7V
最高工作温度
+175 °C
关键词
TRS10E65C,S1AQ(S相关搜索
安装类型 通孔
Toshiba 安装类型 通孔
整流器和肖特基二极管 安装类型 通孔
Toshiba 整流器和肖特基二极管 安装类型 通孔
长度 10.03mm
Toshiba 长度 10.03mm
整流器和肖特基二极管 长度 10.03mm
Toshiba 整流器和肖特基二极管 长度 10.03mm
尺寸 10.03 x 4.45 x 15.11mm
Toshiba 尺寸 10.03 x 4.45 x 15.11mm
整流器和肖特基二极管 尺寸 10.03 x 4.45 x 15.11mm
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二极管技术 碳化硅肖特基
Toshiba 二极管技术 碳化硅肖特基
整流器和肖特基二极管 二极管技术 碳化硅肖特基
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二极管类型 肖特基
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整流器和肖特基二极管 二极管类型 肖特基
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二极管配置 单路
Toshiba 二极管配置 单路
整流器和肖特基二极管 二极管配置 单路
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封装类型 TO-220
Toshiba 封装类型 TO-220
整流器和肖特基二极管 封装类型 TO-220
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峰值反向电流 90μA
Toshiba 峰值反向电流 90μA
整流器和肖特基二极管 峰值反向电流 90μA
Toshiba 整流器和肖特基二极管 峰值反向电流 90μA
峰值反向重复电压 650V
Toshiba 峰值反向重复电压 650V
整流器和肖特基二极管 峰值反向重复电压 650V
Toshiba 整流器和肖特基二极管 峰值反向重复电压 650V
峰值非重复正向浪涌电流 50A
Toshiba 峰值非重复正向浪涌电流 50A
整流器和肖特基二极管 峰值非重复正向浪涌电流 50A
Toshiba 整流器和肖特基二极管 峰值非重复正向浪涌电流 50A
高度 15.11mm
Toshiba 高度 15.11mm
整流器和肖特基二极管 高度 15.11mm
Toshiba 整流器和肖特基二极管 高度 15.11mm
宽度 4.45mm
Toshiba 宽度 4.45mm
整流器和肖特基二极管 宽度 4.45mm
Toshiba 整流器和肖特基二极管 宽度 4.45mm
每片芯片元件数目 1
Toshiba 每片芯片元件数目 1
整流器和肖特基二极管 每片芯片元件数目 1
Toshiba 整流器和肖特基二极管 每片芯片元件数目 1
引脚数目 2
Toshiba 引脚数目 2
整流器和肖特基二极管 引脚数目 2
Toshiba 整流器和肖特基二极管 引脚数目 2
最大连续正向电流 10A
Toshiba 最大连续正向电流 10A
整流器和肖特基二极管 最大连续正向电流 10A
Toshiba 整流器和肖特基二极管 最大连续正向电流 10A
最大正向电压降 1.7V
Toshiba 最大正向电压降 1.7V
整流器和肖特基二极管 最大正向电压降 1.7V
Toshiba 整流器和肖特基二极管 最大正向电压降 1.7V
最高工作温度 +175 °C
Toshiba 最高工作温度 +175 °C
整流器和肖特基二极管 最高工作温度 +175 °C
Toshiba 整流器和肖特基二极管 最高工作温度 +175 °C
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TRS10E65C,S1AQ(S产品技术参数资料
TRS10E65C, SiC Schottky Barrier Diode
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