BAS116,825-9317,Infineon BAS116 低泄漏 二极管, Io=250mA, Vrev=80V, 1.5μs, 3引脚 SOT-23封装 ,Infineon
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BAS116
Infineon BAS116 低泄漏 二极管, Io=250mA, Vrev=80V, 1.5μs, 3引脚 SOT-23封装
制造商零件编号:
BAS116
制造商:
Infineon
Infineon
库存编号:
825-9317
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
BAS116产品详细信息
低泄漏二极管,Infineon
Infineon 的低泄漏二极管,提供单和双配置。 这些设备提供比标准小信号二极管显著较低的反向泄漏电流
BAS116产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
2.9mm
尺寸
2.9 x 1.3 x 0.9mm
二极管技术
硅结型
二极管类型
硅结型
二极管配置
单路
封装类型
SOT-23
峰值反向电流
80nA
峰值反向回复时间
1.5μs
峰值反向重复电压
80V
峰值非重复正向浪涌电流
4.5A
高度
0.9mm
宽度
1.3mm
每片芯片元件数目
1
引脚数目
3
整流器类型
低泄漏
最大连续正向电流
250mA
最大正向电压降
1.25V
最高工作温度
150 °C
关键词
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安装类型 表面贴装
Infineon 安装类型 表面贴装
整流器和肖特基二极管 安装类型 表面贴装
Infineon 整流器和肖特基二极管 安装类型 表面贴装
长度 2.9mm
Infineon 长度 2.9mm
整流器和肖特基二极管 长度 2.9mm
Infineon 整流器和肖特基二极管 长度 2.9mm
尺寸 2.9 x 1.3 x 0.9mm
Infineon 尺寸 2.9 x 1.3 x 0.9mm
整流器和肖特基二极管 尺寸 2.9 x 1.3 x 0.9mm
Infineon 整流器和肖特基二极管 尺寸 2.9 x 1.3 x 0.9mm
二极管技术 硅结型
Infineon 二极管技术 硅结型
整流器和肖特基二极管 二极管技术 硅结型
Infineon 整流器和肖特基二极管 二极管技术 硅结型
二极管类型 硅结型
Infineon 二极管类型 硅结型
整流器和肖特基二极管 二极管类型 硅结型
Infineon 整流器和肖特基二极管 二极管类型 硅结型
二极管配置 单路
Infineon 二极管配置 单路
整流器和肖特基二极管 二极管配置 单路
Infineon 整流器和肖特基二极管 二极管配置 单路
封装类型 SOT-23
Infineon 封装类型 SOT-23
整流器和肖特基二极管 封装类型 SOT-23
Infineon 整流器和肖特基二极管 封装类型 SOT-23
峰值反向电流 80nA
Infineon 峰值反向电流 80nA
整流器和肖特基二极管 峰值反向电流 80nA
Infineon 整流器和肖特基二极管 峰值反向电流 80nA
峰值反向回复时间 1.5μs
Infineon 峰值反向回复时间 1.5μs
整流器和肖特基二极管 峰值反向回复时间 1.5μs
Infineon 整流器和肖特基二极管 峰值反向回复时间 1.5μs
峰值反向重复电压 80V
Infineon 峰值反向重复电压 80V
整流器和肖特基二极管 峰值反向重复电压 80V
Infineon 整流器和肖特基二极管 峰值反向重复电压 80V
峰值非重复正向浪涌电流 4.5A
Infineon 峰值非重复正向浪涌电流 4.5A
整流器和肖特基二极管 峰值非重复正向浪涌电流 4.5A
Infineon 整流器和肖特基二极管 峰值非重复正向浪涌电流 4.5A
高度 0.9mm
Infineon 高度 0.9mm
整流器和肖特基二极管 高度 0.9mm
Infineon 整流器和肖特基二极管 高度 0.9mm
宽度 1.3mm
Infineon 宽度 1.3mm
整流器和肖特基二极管 宽度 1.3mm
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每片芯片元件数目 1
Infineon 每片芯片元件数目 1
整流器和肖特基二极管 每片芯片元件数目 1
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引脚数目 3
Infineon 引脚数目 3
整流器和肖特基二极管 引脚数目 3
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整流器类型 低泄漏
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最大正向电压降 1.25V
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BAS116产品技术参数资料
BAS116 Silicon Low Leakage Diode Datasheet
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