V20120S-E3/4W,818-4317,Vishay V20120S-E3/4W 肖特基 二极管, Io=20A, Vrev=120V, 3引脚 TO-220AB封装 ,Vishay
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Vishay V20120S-E3/4W 肖特基 二极管, Io=20A, Vrev=120V, 3引脚 TO-220AB封装

制造商零件编号：
V20120S-E3/4W
制造商：
Vishay Vishay
库存编号：
818-4317
Vishay V20120S-E3/4W
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

V20120S-E3/4W产品详细信息

TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器，高达 20A，Vishay Semiconductor

Vishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 (TMBS) 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比，TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势，且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题，从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。

特点

专利 Trench 结构
提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率
高功率密度和低正向电压

V20120S-E3/4W产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.54mm  
  尺寸  10.54 x 4.7 x 15.32mm  
  二极管类型  肖特基  
  二极管配置  单路  
  封装类型  TO-220AB  
  峰值反向电流  30mA  
  峰值反向重复电压  120V  
  峰值非重复正向浪涌电流  200A  
  高度  15.32mm  
  宽度  4.7mm  
  每片芯片元件数目  1  
  引脚数目  3  
  最大连续正向电流  20A  
  最大正向电压降  1.12V  
  最低工作温度  -40 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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