NCP1380DDR2G,821-5213,ON Semiconductor NCP1380DDR2G PWM 电流模式控制器, 反激式拓扑, -0.3 → 28 V电源, 8引脚 SOIC封装 ,ON Semiconductor
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NCP1380DDR2G
ON Semiconductor NCP1380DDR2G PWM 电流模式控制器, 反激式拓扑, -0.3 → 28 V电源, 8引脚 SOIC封装
制造商零件编号:
NCP1380DDR2G
制造商:
ON Semiconductor
ON Semiconductor
库存编号:
821-5213
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
NCP1380DDR2G产品详细信息
交流-直流离线控制器,NCP/NCV 系列,ON Semiconductor
电源次级侧,同步整流控制器。固定频率回扫和前馈 PWM 控制器。
NCP1380DDR2G产品技术参数
PWM输出数目
1
安装类型
表面贴装
长度
5mm
尺寸
5 x 4 x 1.5mm
典型工作电源电压
-0.3 → 28 V
封装类型
SOIC
高度
1.5mm
控制方法
电流
宽度
4mm
上升时间
75ns
拓扑
反激式
下降时间
60ns
引脚数目
8
最低工作温度
-40 °C
最高工作温度
+125 °C
关键词
NCP1380DDR2G配套附件
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Vishay CRCW 系列 0.1W 10kΩ 厚膜SMD 电阻器 CRCW060310K0FKEA, ±1%, ±100ppm/°C, 0603 封装
制造商零件编号:
CRCW060310K0FKEA
品牌:
Vishay
库存编号:
678-9667
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典型工作电源电压 -0.3 → 28 V
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封装类型 SOIC
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PWM 电流模式控制器 封装类型 SOIC
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控制方法 电流
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宽度 4mm
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ON Semiconductor PWM 电流模式控制器 上升时间 75ns
拓扑 反激式
ON Semiconductor 拓扑 反激式
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NCP1380DDR2G产品技术参数资料
Quasi-Resonant Current-Mode Controller for High-Power Universal Off-Line Supplies Datasheet
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