BQ4017MC-70,660-6358,Texas Instruments BQ4017MC-70 16Mbit NVRAM 存储器, 4.75 → 5.5 V电源, 0 → +70 °C, 36引脚 PDIP封装 ,Texas Instruments
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BQ4017MC-70
Texas Instruments BQ4017MC-70 16Mbit NVRAM 存储器, 4.75 → 5.5 V电源, 0 → +70 °C, 36引脚 PDIP封装
制造商零件编号:
BQ4017MC-70
制造商:
Texas Instruments
Texas Instruments
库存编号:
660-6358
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
BQ4017MC-70产品详细信息
静态 RAM,Texas Instruments
BQ4017MC-70产品技术参数
安装类型
通孔
长度
52.96mm
尺寸
52.96 x 18.42 x 9.4mm
存储器大小
16Mbit
封装类型
PDIP
高度
9.4mm
接口类型
并行
宽度
18.42mm
数据总线宽度
8Bit
引脚数目
36
组织
2M x 8 位
最长随机存取时间
70ns
最大工作电源电压
5.5 V
最低工作温度
0 °C
最高工作温度
+70 °C
最小工作电源电压
4.75 V
关键词
BQ4017MC-70相关搜索
安装类型 通孔
Texas Instruments 安装类型 通孔
NVRAM 存储器芯片 安装类型 通孔
Texas Instruments NVRAM 存储器芯片 安装类型 通孔
长度 52.96mm
Texas Instruments 长度 52.96mm
NVRAM 存储器芯片 长度 52.96mm
Texas Instruments NVRAM 存储器芯片 长度 52.96mm
尺寸 52.96 x 18.42 x 9.4mm
Texas Instruments 尺寸 52.96 x 18.42 x 9.4mm
NVRAM 存储器芯片 尺寸 52.96 x 18.42 x 9.4mm
Texas Instruments NVRAM 存储器芯片 尺寸 52.96 x 18.42 x 9.4mm
存储器大小 16Mbit
Texas Instruments 存储器大小 16Mbit
NVRAM 存储器芯片 存储器大小 16Mbit
Texas Instruments NVRAM 存储器芯片 存储器大小 16Mbit
封装类型 PDIP
Texas Instruments 封装类型 PDIP
NVRAM 存储器芯片 封装类型 PDIP
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高度 9.4mm
Texas Instruments 高度 9.4mm
NVRAM 存储器芯片 高度 9.4mm
Texas Instruments NVRAM 存储器芯片 高度 9.4mm
接口类型 并行
Texas Instruments 接口类型 并行
NVRAM 存储器芯片 接口类型 并行
Texas Instruments NVRAM 存储器芯片 接口类型 并行
宽度 18.42mm
Texas Instruments 宽度 18.42mm
NVRAM 存储器芯片 宽度 18.42mm
Texas Instruments NVRAM 存储器芯片 宽度 18.42mm
数据总线宽度 8Bit
Texas Instruments 数据总线宽度 8Bit
NVRAM 存储器芯片 数据总线宽度 8Bit
Texas Instruments NVRAM 存储器芯片 数据总线宽度 8Bit
引脚数目 36
Texas Instruments 引脚数目 36
NVRAM 存储器芯片 引脚数目 36
Texas Instruments NVRAM 存储器芯片 引脚数目 36
组织 2M x 8 位
Texas Instruments 组织 2M x 8 位
NVRAM 存储器芯片 组织 2M x 8 位
Texas Instruments NVRAM 存储器芯片 组织 2M x 8 位
最长随机存取时间 70ns
Texas Instruments 最长随机存取时间 70ns
NVRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 70ns
Texas Instruments NVRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 70ns
最大工作电源电压 5.5 V
Texas Instruments 最大工作电源电压 5.5 V
NVRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 5.5 V
Texas Instruments NVRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 5.5 V
最低工作温度 0 °C
Texas Instruments 最低工作温度 0 °C
NVRAM 存储器芯片 最低工作温度 0 °C
Texas Instruments NVRAM 存储器芯片 最低工作温度 0 °C
最高工作温度 +70 °C
Texas Instruments 最高工作温度 +70 °C
NVRAM 存储器芯片 最高工作温度 +70 °C
Texas Instruments NVRAM 存储器芯片 最高工作温度 +70 °C
最小工作电源电压 4.75 V
Texas Instruments 最小工作电源电压 4.75 V
NVRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 4.75 V
Texas Instruments NVRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 4.75 V
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