M48Z35Y-70PC1,310-9734,M48Z35Y-70PC1, 256kbit NVRAM 存储器, 4.5 → 5.5 V, 0 → +70 °C, 28针 PCDIP封装 ,STMicroelectronics
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M48Z35Y-70PC1
M48Z35Y-70PC1, 256kbit NVRAM 存储器, 4.5 → 5.5 V, 0 → +70 °C, 28针 PCDIP封装
制造商零件编号:
M48Z35Y-70PC1
制造商:
STMicroelectronics
STMicroelectronics
库存编号:
310-9734
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
M48Z35Y-70PC1产品详细信息
ZEROPOWER? 静态 RAM,STMicroelectronics
ZEROPOWER? 非易失 RAM 产品集成了低功率 SRAM 与电源故障控制电路和长寿命锂电池。
M48Z35Y-70PC1产品技术参数
安装类型
通孔
长度
39.88mm
尺寸
39.98 x 18.34 x 8.89mm
存储器大小
256Kbit
封装类型
PCDIP
高度
8.89mm
接口类型
并行
宽度
18.34mm
数据总线宽度
8Bit
引脚数目
28
组织
32K x 8 位
最长随机存取时间
70ns
最大工作电源电压
5.5 V
最低工作温度
0 °C
最高工作温度
+70 °C
最小工作电源电压
4.5 V
关键词
M48Z35Y-70PC1配套附件
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
TE Connectivity HOLCO 系列 0.25W 1kΩ 轴向 金属膜固定电阻器 H81K0BYA, ±0.1%, ±15ppm/°C
制造商零件编号:
H81K0BYA
品牌:
TE Connectivity
库存编号:
701-7383
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安装类型 通孔
STMicroelectronics 安装类型 通孔
NVRAM 存储器芯片 安装类型 通孔
STMicroelectronics NVRAM 存储器芯片 安装类型 通孔
长度 39.88mm
STMicroelectronics 长度 39.88mm
NVRAM 存储器芯片 长度 39.88mm
STMicroelectronics NVRAM 存储器芯片 长度 39.88mm
尺寸 39.98 x 18.34 x 8.89mm
STMicroelectronics 尺寸 39.98 x 18.34 x 8.89mm
NVRAM 存储器芯片 尺寸 39.98 x 18.34 x 8.89mm
STMicroelectronics NVRAM 存储器芯片 尺寸 39.98 x 18.34 x 8.89mm
存储器大小 256Kbit
STMicroelectronics 存储器大小 256Kbit
NVRAM 存储器芯片 存储器大小 256Kbit
STMicroelectronics NVRAM 存储器芯片 存储器大小 256Kbit
封装类型 PCDIP
STMicroelectronics 封装类型 PCDIP
NVRAM 存储器芯片 封装类型 PCDIP
STMicroelectronics NVRAM 存储器芯片 封装类型 PCDIP
高度 8.89mm
STMicroelectronics 高度 8.89mm
NVRAM 存储器芯片 高度 8.89mm
STMicroelectronics NVRAM 存储器芯片 高度 8.89mm
接口类型 并行
STMicroelectronics 接口类型 并行
NVRAM 存储器芯片 接口类型 并行
STMicroelectronics NVRAM 存储器芯片 接口类型 并行
宽度 18.34mm
STMicroelectronics 宽度 18.34mm
NVRAM 存储器芯片 宽度 18.34mm
STMicroelectronics NVRAM 存储器芯片 宽度 18.34mm
数据总线宽度 8Bit
STMicroelectronics 数据总线宽度 8Bit
NVRAM 存储器芯片 数据总线宽度 8Bit
STMicroelectronics NVRAM 存储器芯片 数据总线宽度 8Bit
引脚数目 28
STMicroelectronics 引脚数目 28
NVRAM 存储器芯片 引脚数目 28
STMicroelectronics NVRAM 存储器芯片 引脚数目 28
组织 32K x 8 位
STMicroelectronics 组织 32K x 8 位
NVRAM 存储器芯片 组织 32K x 8 位
STMicroelectronics NVRAM 存储器芯片 组织 32K x 8 位
最长随机存取时间 70ns
STMicroelectronics 最长随机存取时间 70ns
NVRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 70ns
STMicroelectronics NVRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 70ns
最大工作电源电压 5.5 V
STMicroelectronics 最大工作电源电压 5.5 V
NVRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 5.5 V
STMicroelectronics NVRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 5.5 V
最低工作温度 0 °C
STMicroelectronics 最低工作温度 0 °C
NVRAM 存储器芯片 最低工作温度 0 °C
STMicroelectronics NVRAM 存储器芯片 最低工作温度 0 °C
最高工作温度 +70 °C
STMicroelectronics 最高工作温度 +70 °C
NVRAM 存储器芯片 最高工作温度 +70 °C
STMicroelectronics NVRAM 存储器芯片 最高工作温度 +70 °C
最小工作电源电压 4.5 V
STMicroelectronics 最小工作电源电压 4.5 V
NVRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 4.5 V
STMicroelectronics NVRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 4.5 V
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M48Z35Y-70PC1产品技术参数资料
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