GR881-HT,200-6577,GR881-HT, 64kbit NVRAM 存储器, 4.75 → 5.5 V, -40 → +85 °C, 28针 PDIP封装 ,Greenwich Instruments
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GR881-HT
GR881-HT, 64kbit NVRAM 存储器, 4.75 → 5.5 V, -40 → +85 °C, 28针 PDIP封装
制造商零件编号:
GR881-HT
制造商:
Greenwich Instruments
Greenwich Instruments
库存编号:
200-6577
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
GR881-HT产品详细信息
静态 RAM,Greenwich Instruments
GR881-HT产品技术参数
安装类型
通孔
长度
37mm
尺寸
37 x 18 x 7.3mm
存储器大小
64Kbit
封装类型
PDIP
高度
7.3mm
宽度
18mm
每字组的位元数目
8Bit
数据总线宽度
8Bit
引脚数目
28
字组数目
8K
组织
8K x 8 位
最长随机存取时间
70ns
最大工作电源电压
5.5 V
最低工作温度
-40°C
最高工作温度
+85°C
最小工作电源电压
4.75 V
关键词
GR881-HT相关搜索
安装类型 通孔
Greenwich Instruments 安装类型 通孔
NVRAM 存储器芯片 安装类型 通孔
Greenwich Instruments NVRAM 存储器芯片 安装类型 通孔
长度 37mm
Greenwich Instruments 长度 37mm
NVRAM 存储器芯片 长度 37mm
Greenwich Instruments NVRAM 存储器芯片 长度 37mm
尺寸 37 x 18 x 7.3mm
Greenwich Instruments 尺寸 37 x 18 x 7.3mm
NVRAM 存储器芯片 尺寸 37 x 18 x 7.3mm
Greenwich Instruments NVRAM 存储器芯片 尺寸 37 x 18 x 7.3mm
存储器大小 64Kbit
Greenwich Instruments 存储器大小 64Kbit
NVRAM 存储器芯片 存储器大小 64Kbit
Greenwich Instruments NVRAM 存储器芯片 存储器大小 64Kbit
封装类型 PDIP
Greenwich Instruments 封装类型 PDIP
NVRAM 存储器芯片 封装类型 PDIP
Greenwich Instruments NVRAM 存储器芯片 封装类型 PDIP
高度 7.3mm
Greenwich Instruments 高度 7.3mm
NVRAM 存储器芯片 高度 7.3mm
Greenwich Instruments NVRAM 存储器芯片 高度 7.3mm
宽度 18mm
Greenwich Instruments 宽度 18mm
NVRAM 存储器芯片 宽度 18mm
Greenwich Instruments NVRAM 存储器芯片 宽度 18mm
每字组的位元数目 8Bit
Greenwich Instruments 每字组的位元数目 8Bit
NVRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 8Bit
Greenwich Instruments NVRAM 存储器芯片 每字组的位元数目 8Bit
数据总线宽度 8Bit
Greenwich Instruments 数据总线宽度 8Bit
NVRAM 存储器芯片 数据总线宽度 8Bit
Greenwich Instruments NVRAM 存储器芯片 数据总线宽度 8Bit
引脚数目 28
Greenwich Instruments 引脚数目 28
NVRAM 存储器芯片 引脚数目 28
Greenwich Instruments NVRAM 存储器芯片 引脚数目 28
字组数目 8K
Greenwich Instruments 字组数目 8K
NVRAM 存储器芯片 字组数目 8K
Greenwich Instruments NVRAM 存储器芯片 字组数目 8K
组织 8K x 8 位
Greenwich Instruments 组织 8K x 8 位
NVRAM 存储器芯片 组织 8K x 8 位
Greenwich Instruments NVRAM 存储器芯片 组织 8K x 8 位
最长随机存取时间 70ns
Greenwich Instruments 最长随机存取时间 70ns
NVRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 70ns
Greenwich Instruments NVRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 70ns
最大工作电源电压 5.5 V
Greenwich Instruments 最大工作电源电压 5.5 V
NVRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 5.5 V
Greenwich Instruments NVRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 5.5 V
最低工作温度 -40°C
Greenwich Instruments 最低工作温度 -40°C
NVRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40°C
Greenwich Instruments NVRAM 存储器芯片 最低工作温度 -40°C
最高工作温度 +85°C
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NVRAM 存储器芯片 最高工作温度 +85°C
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最小工作电源电压 4.75 V
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NVRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 4.75 V
Greenwich Instruments NVRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 4.75 V
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