DS1230AB-100+,134-469,DS1230AB-100+, 256kbit NVRAM 存储器, 4.75 → 5.25 V, 0 → +70 °C, 28针 EDIP封装 ,Maxim
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DS1230AB-100+, 256kbit NVRAM 存储器, 4.75 → 5.25 V, 0 → +70 °C, 28针 EDIP封装

制造商零件编号：
DS1230AB-100+
制造商：
Maxim Maxim
库存编号：
134-469
Maxim DS1230AB-100+
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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DS1230AB-100
库存编号:DS1230AB-100-ND		 Maxim Integrated Products IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP0
1起订		6-10天询价 询价
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DS1230AB-100-
库存编号:DS1230AB-100--ND		 Maxim Integrated Products IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP0
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108+
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DS1230AB-100+
库存编号:700-DS1230AB-100		 Analog Devices Inc NVRAM 256k Nonvolatile SRAM0
1起订		1+
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108+
252+
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DS1230AB-100+
库存编号:2516505		 Analog Devices Inc , , NVRAM0
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108+
252+
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DS1230AB-100+ Dallas Semiconductor NON-VOLATILE SRAM MODULE, 32KX8, 100NS, CMOS1
1起订		1+
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DS1230AB-100+产品详细信息

非易失 RAM，Maxim Integrated

DS1230AB-100+产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  39.12mm  
  尺寸  39.12 x 18.8 x 9.4mm  
  存储器大小  256Kbit  
  封装类型  EDIP  
  高度  9.4mm  
  接口类型  并行  
  宽度  18.8mm  
  数据总线宽度  8Bit  
  引脚数目  28  
  组织  32K x 8 位  
  最长随机存取时间  100ns  
  最大工作电源电压  5.25 V  
  最低工作温度  0 °C  
  最高工作温度  +70 °C  
  最小工作电源电压  4.75 V  
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DS1230AB-100+相关搜索

安装类型 通孔  Maxim 安装类型 通孔  NVRAM 存储器芯片 安装类型 通孔  Maxim NVRAM 存储器芯片 安装类型 通孔   长度 39.12mm  Maxim 长度 39.12mm  NVRAM 存储器芯片 长度 39.12mm  Maxim NVRAM 存储器芯片 长度 39.12mm   尺寸 39.12 x 18.8 x 9.4mm  Maxim 尺寸 39.12 x 18.8 x 9.4mm  NVRAM 存储器芯片 尺寸 39.12 x 18.8 x 9.4mm  Maxim NVRAM 存储器芯片 尺寸 39.12 x 18.8 x 9.4mm   存储器大小 256Kbit  Maxim 存储器大小 256Kbit  NVRAM 存储器芯片 存储器大小 256Kbit  Maxim NVRAM 存储器芯片 存储器大小 256Kbit   封装类型 EDIP  Maxim 封装类型 EDIP  NVRAM 存储器芯片 封装类型 EDIP  Maxim NVRAM 存储器芯片 封装类型 EDIP   高度 9.4mm  Maxim 高度 9.4mm  NVRAM 存储器芯片 高度 9.4mm  Maxim NVRAM 存储器芯片 高度 9.4mm   接口类型 并行  Maxim 接口类型 并行  NVRAM 存储器芯片 接口类型 并行  Maxim NVRAM 存储器芯片 接口类型 并行   宽度 18.8mm  Maxim 宽度 18.8mm  NVRAM 存储器芯片 宽度 18.8mm  Maxim NVRAM 存储器芯片 宽度 18.8mm   数据总线宽度 8Bit  Maxim 数据总线宽度 8Bit  NVRAM 存储器芯片 数据总线宽度 8Bit  Maxim NVRAM 存储器芯片 数据总线宽度 8Bit   引脚数目 28  Maxim 引脚数目 28  NVRAM 存储器芯片 引脚数目 28  Maxim NVRAM 存储器芯片 引脚数目 28   组织 32K x 8 位  Maxim 组织 32K x 8 位  NVRAM 存储器芯片 组织 32K x 8 位  Maxim NVRAM 存储器芯片 组织 32K x 8 位   最长随机存取时间 100ns  Maxim 最长随机存取时间 100ns  NVRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 100ns  Maxim NVRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 100ns   最大工作电源电压 5.25 V  Maxim 最大工作电源电压 5.25 V  NVRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 5.25 V  Maxim NVRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 5.25 V   最低工作温度 0 °C  Maxim 最低工作温度 0 °C  NVRAM 存储器芯片 最低工作温度 0 °C  Maxim NVRAM 存储器芯片 最低工作温度 0 °C   最高工作温度 +70 °C  Maxim 最高工作温度 +70 °C  NVRAM 存储器芯片 最高工作温度 +70 °C  Maxim NVRAM 存储器芯片 最高工作温度 +70 °C   最小工作电源电压 4.75 V  Maxim 最小工作电源电压 4.75 V  NVRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 4.75 V  Maxim NVRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 4.75 V  
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型号 制造商 描述 操作
DS1230AB-100+
[更多]		 Maxim Integrated Products

IC NVSRAM 256KBIT 100NS 28EDIP

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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型号 制造商 描述 操作
DS1230AB-100+
[更多]		 Maxim Integrated Products

NVRAM 256k Nonvolatile SRAM

RoHS: Compliant

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DS1230AB-100
[更多]		 Maxim Integrated Products

NVRAM

RoHS: Not compliant

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型号 制造商 描述 操作
DS1230AB-100+
[更多]		 Maxim Integrated Products

NVRAM NVSRAM Parallel 256K-Bit 5V 28-Pin EDIP - Rail/Tube (Alt: DS1230AB-100+)

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
DS1230AB-100+
[更多]		 Maxim Integrated Products

NON-VOLATILE SRAM, 256KBIT, 100NS, EDIP

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型号 制造商 描述 操作
DS1230AB-100+
[更多]		 Maxim Integrated Products

DS1230 Series 256 kb (32 k x 8) 100ns Commercial Temp Non-Volatile SRAM -DIP-28

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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型号 制造商 描述 操作
DS1230AB-100
[更多]		 Maxim Integrated Products  

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DS1230AB-100|MaximDS1230AB-100
Maxim		IC，存储器，262144 位，CMOS，NV SRAM，DS1230AB100
Rohs

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DS1230AB-100+|Maxim IntegratedDS1230AB-100+
Maxim Integrated		IC NVSRAM 256KBIT 100NS 28EDIP
Rohs

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参考图片 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 PDF操作

Maxim Integrated - DS1230AB-100+ - IC NVSRAM 256KBIT 100NS 28EDIP		Maxim Integrated
IC NVSRAM 256KBIT 100NS 28EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 100ns 28-EDIP

型号：DS1230AB-100+
仓库库存编号：DS1230AB-100+-ND

无铅		搜索

Maxim Integrated - DS1230AB-100 - IC NVSRAM 256KBIT 100NS 28EDIP		Maxim Integrated
IC NVSRAM 256KBIT 100NS 28EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 100ns 28-EDIP

型号：DS1230AB-100
仓库库存编号：DS1230AB-100-ND
别名：DS1230AB100 <br>

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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Maxim - DS1230AB-100+ - DS1230AB-100+, 256kbit NVRAM 存储器, 4.75 → 5.25 V, 0 → +70 °C, 28针 EDIP封装
制造商零件编号：
DS1230AB-100+
品牌：
Maxim
库存编号：
134-469
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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
DS1230AB-100+
MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1230AB-100+		2516505

MAXIM INTEGRATED PRODUCTS

非易失随机存储器 (NVRAM), SRAM, 256 Kbit, 32K x 8位, 100 ns, EDIP

 (EN)		搜索
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DS1230AB-100+|Maxim IntegratedDS1230AB-100+
Maxim Integrated		IC NVSRAM 256KBIT 100NS 28EDIP
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无图DS1230AB-100
Maxim		IC，存储器，262144 位，CMOS，NV SRAM，DS1230AB100
Rohs

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DS1230AB-100|Maxim IntegratedDS1230AB-100
Maxim Integrated		IC NVSRAM 256KBIT 100NS 28EDIP
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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
DS1230AB-100|Maxim Integrated ProductsDS1230AB-100
Maxim Integrated Products		IC NVSRAM 256KBIT 100NS 28DIP
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DS1230AB-100+|Maxim Integrated ProductsDS1230AB-100+
Maxim Integrated Products		IC NVSRAM 256KBIT 100NS 28DIP
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DS1230AB-100+产品技术参数资料

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