DS1245Y-120+,132-845,DS1245Y-120+, 1Mbit NVRAM 存储器, 4.5 → 5.5 V, 0 → +70 °C, 32针 EDIP封装 ,Maxim
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DS1245Y-120+, 1Mbit NVRAM 存储器, 4.5 → 5.5 V, 0 → +70 °C, 32针 EDIP封装

制造商零件编号：
DS1245Y-120+
制造商：
Maxim Maxim
库存编号：
132-845
Maxim DS1245Y-120+
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DS1245Y-120+产品详细信息

非易失 RAM，Maxim Integrated

DS1245Y-120+产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  43.69mm  
  尺寸  43.69 x 18.8 x 9.4mm  
  存储器大小  1Mbit  
  封装类型  EDIP  
  高度  9.4mm  
  接口类型  并行  
  宽度  18.8mm  
  数据总线宽度  8Bit  
  引脚数目  32  
  组织  128K x 8 位  
  最长随机存取时间  120ns  
  最大工作电源电压  5.5 V  
  最低工作温度  0 °C  
  最高工作温度  +70 °C  
  最小工作电源电压  4.5 V  
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DS1245Y-120+相关搜索

安装类型 通孔  Maxim 安装类型 通孔  NVRAM 存储器芯片 安装类型 通孔  Maxim NVRAM 存储器芯片 安装类型 通孔   长度 43.69mm  Maxim 长度 43.69mm  NVRAM 存储器芯片 长度 43.69mm  Maxim NVRAM 存储器芯片 长度 43.69mm   尺寸 43.69 x 18.8 x 9.4mm  Maxim 尺寸 43.69 x 18.8 x 9.4mm  NVRAM 存储器芯片 尺寸 43.69 x 18.8 x 9.4mm  Maxim NVRAM 存储器芯片 尺寸 43.69 x 18.8 x 9.4mm   存储器大小 1Mbit  Maxim 存储器大小 1Mbit  NVRAM 存储器芯片 存储器大小 1Mbit  Maxim NVRAM 存储器芯片 存储器大小 1Mbit   封装类型 EDIP  Maxim 封装类型 EDIP  NVRAM 存储器芯片 封装类型 EDIP  Maxim NVRAM 存储器芯片 封装类型 EDIP   高度 9.4mm  Maxim 高度 9.4mm  NVRAM 存储器芯片 高度 9.4mm  Maxim NVRAM 存储器芯片 高度 9.4mm   接口类型 并行  Maxim 接口类型 并行  NVRAM 存储器芯片 接口类型 并行  Maxim NVRAM 存储器芯片 接口类型 并行   宽度 18.8mm  Maxim 宽度 18.8mm  NVRAM 存储器芯片 宽度 18.8mm  Maxim NVRAM 存储器芯片 宽度 18.8mm   数据总线宽度 8Bit  Maxim 数据总线宽度 8Bit  NVRAM 存储器芯片 数据总线宽度 8Bit  Maxim NVRAM 存储器芯片 数据总线宽度 8Bit   引脚数目 32  Maxim 引脚数目 32  NVRAM 存储器芯片 引脚数目 32  Maxim NVRAM 存储器芯片 引脚数目 32   组织 128K x 8 位  Maxim 组织 128K x 8 位  NVRAM 存储器芯片 组织 128K x 8 位  Maxim NVRAM 存储器芯片 组织 128K x 8 位   最长随机存取时间 120ns  Maxim 最长随机存取时间 120ns  NVRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 120ns  Maxim NVRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 120ns   最大工作电源电压 5.5 V  Maxim 最大工作电源电压 5.5 V  NVRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 5.5 V  Maxim NVRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 5.5 V   最低工作温度 0 °C  Maxim 最低工作温度 0 °C  NVRAM 存储器芯片 最低工作温度 0 °C  Maxim NVRAM 存储器芯片 最低工作温度 0 °C   最高工作温度 +70 °C  Maxim 最高工作温度 +70 °C  NVRAM 存储器芯片 最高工作温度 +70 °C  Maxim NVRAM 存储器芯片 最高工作温度 +70 °C   最小工作电源电压 4.5 V  Maxim 最小工作电源电压 4.5 V  NVRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 4.5 V  Maxim NVRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 4.5 V  
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  美国1号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
DS1245Y-120+
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IC NVSRAM 1MBIT 120NS 32EDIP

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IC NVSRAM 1MBIT 120NS 32EDIP

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DS1245Y-120+
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NVRAM 1024K SRAM Nonvolatile

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NVRAM 1024K SRAM Nonvolatile

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NVRAM 1024K SRAM Nonvolatile

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DS1245Y-120IND
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NVRAM 1024K SRAM Nonvolatile

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DS1245Y-120+
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NVRAM NVSRAM Parallel 1M-Bit 5V 32-Pin EDIP - Rail/Tube (Alt: DS1245Y-120+)

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DS1245Y-120+
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NVRAM NVSRAM Parallel 1M-Bit 5V 32-Pin EDIP (Alt: DS1245Y-120+)

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NVRAM NVSRAM Parallel 1M-Bit 5V 32-Pin EDIP - Rail/Tube (Alt: DS1245Y-120IND+)

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DS1245Y-120IND+
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NON-VOLATILE SRAM, 1MBIT, 120NS, EDIP-32

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DS1245Y-120+
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NON-VOLATILE SRAM, 1MBIT, 120NS, EDIP-32

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DS1245Y-120+
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DS1245 Series 1024 kb (128 k x 8) 120ns Commercial Temp Non-Volatile SRAM DIP-32

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DS1245Y-120IND+
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DS1245 Series 1024 kb (128 k x 8) 120ns Industrial Temp Non-Volatile SRAM DIP-32

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DS1245Y-120+
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NV-RAM Operating temperature: 0...+70 °C Power supply: 4.5...5.5 V Organisation: 128 k x 8 Bit Package: EDIL-32 Type: NV-SRAM

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DS1245Y-120
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Non-Volatile RAM, 128K x 8, 32 Pin, Plastic, DIP

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DS1245Y-120+
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128K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 120 ns, DMA32

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Maxim - DS1245Y-120+ - DS1245Y-120+, 1Mbit NVRAM 存储器, 4.5 → 5.5 V, 0 → +70 °C, 32针 EDIP封装
制造商零件编号：
DS1245Y-120+
品牌：
Maxim
库存编号：
132-845
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DS1245Y-120+|Maxim IntegratedDS1245Y-120+
Maxim Integrated		IC NVSRAM 1MBIT 120NS 32EDIP
Rohs

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DS1245Y-120|MaximDS1245Y-120
Maxim		IC，存储器，1048576 位，TTL，并行，DS1245Y-120
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DS1245Y-120IND|Maxim IntegratedDS1245Y-120IND
Maxim Integrated		IC NVSRAM 1MBIT 120NS 32EDIP
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DS1245Y-120IND+|Maxim IntegratedDS1245Y-120IND+
Maxim Integrated		IC NVSRAM 1MBIT 120NS 32EDIP
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Maxim Integrated - DS1245Y-120+ - IC NVSRAM 1MBIT 120NS 32EDIP		Maxim Integrated
IC NVSRAM 1MBIT 120NS 32EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 1Mb （128K x 8） 并联 120ns 32-EDIP

型号：DS1245Y-120+
仓库库存编号：DS1245Y-120+-ND

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Maxim Integrated - DS1245Y-120 - IC NVSRAM 1MBIT 120NS 32EDIP		Maxim Integrated
IC NVSRAM 1MBIT 120NS 32EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 1Mb （128K x 8） 并联 120ns 32-EDIP

型号：DS1245Y-120
仓库库存编号：DS1245Y-120-ND
别名：DS1245Y120 <br>

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Maxim Integrated - DS1245Y-120IND+ - IC NVSRAM 1MBIT 120NS 32EDIP		Maxim Integrated
IC NVSRAM 1MBIT 120NS 32EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 1Mb （128K x 8） 并联 120ns 32-EDIP

型号：DS1245Y-120IND+
仓库库存编号：DS1245Y-120IND+-ND
别名：DS1245Y120IND <br>

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Maxim Integrated - DS1245Y-120IND - IC NVSRAM 1MBIT 120NS 32EDIP		Maxim Integrated
IC NVSRAM 1MBIT 120NS 32EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 1Mb （128K x 8） 并联 120ns 32-EDIP

型号：DS1245Y-120IND
仓库库存编号：DS1245Y-120IND-ND

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DS1245Y-120|Maxim Integrated ProductsDS1245Y-120
Maxim Integrated Products		IC NVSRAM 1MBIT 120NS 32DIP
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Maxim - DS1245Y-120+ - NV-RAM 128 k x 8 Bit EDIL-32, DS1245Y-120+, Maxim		Maxim
NV-RAM 128 k x 8 Bit EDIL-32, DS1245Y-120+, Maxim

型号：DS1245Y-120+
仓库库存编号：173-76-619

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DS1245Y-120+
MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1245Y-120+		2516525

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非易失随机存储器 (NVRAM), SRAM, 1 Mbit, 128K x 8位, 120 ns, EDIP

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DS1245Y-120IND+
MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1245Y-120IND+		2516527

MAXIM INTEGRATED PRODUCTS

非易失随机存储器 (NVRAM), SRAM, 1 Mbit, 128K x 8位, 120 ns, EDIP

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DS1245Y-120+|Maxim IntegratedDS1245Y-120+
Maxim Integrated		IC NVSRAM 1MBIT 120NS 32EDIP
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无图DS1245Y-120
Maxim		IC，存储器，1048576 位，TTL，并行，DS1245Y-120
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DS1245Y-120|Maxim IntegratedDS1245Y-120
Maxim Integrated		IC NVSRAM 1MBIT 120NS 32EDIP
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Maxim Integrated		IC NVSRAM 1MBIT 120NS 32EDIP
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QQ:800152669

DS1245Y-120+产品技术参数资料

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