DS1220AD-200+,132-659,Maxim DS1220AD-200+ 16kbit NVRAM 存储器, 4.5 → 5.5 V电源, 0 → +70 °C, 24引脚 EDIP封装 ,Maxim
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Maxim DS1220AD-200+ 16kbit NVRAM 存储器, 4.5 → 5.5 V电源, 0 → +70 °C, 24引脚 EDIP封装

制造商零件编号：
DS1220AD-200+
制造商：
Maxim Maxim
库存编号：
132-659
Maxim DS1220AD-200+
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DS1220AD-200+产品详细信息

非易失 RAM，Maxim Integrated

DS1220AD-200+产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  34.04mm  
  尺寸  34.04 x 18.29 x 9.4mm  
  存储器大小  16Kbit  
  封装类型  EDIP  
  高度  9.4mm  
  接口类型  并行  
  宽度  18.29mm  
  数据总线宽度  8Bit  
  引脚数目  24  
  组织  2K x 8 位  
  最长随机存取时间  200ns  
  最大工作电源电压  5.5 V  
  最低工作温度  0 °C  
  最高工作温度  +70 °C  
  最小工作电源电压  4.5 V  
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DS1220AD-200+相关搜索

安装类型 通孔  Maxim 安装类型 通孔  NVRAM 存储器芯片 安装类型 通孔  Maxim NVRAM 存储器芯片 安装类型 通孔   长度 34.04mm  Maxim 长度 34.04mm  NVRAM 存储器芯片 长度 34.04mm  Maxim NVRAM 存储器芯片 长度 34.04mm   尺寸 34.04 x 18.29 x 9.4mm  Maxim 尺寸 34.04 x 18.29 x 9.4mm  NVRAM 存储器芯片 尺寸 34.04 x 18.29 x 9.4mm  Maxim NVRAM 存储器芯片 尺寸 34.04 x 18.29 x 9.4mm   存储器大小 16Kbit  Maxim 存储器大小 16Kbit  NVRAM 存储器芯片 存储器大小 16Kbit  Maxim NVRAM 存储器芯片 存储器大小 16Kbit   封装类型 EDIP  Maxim 封装类型 EDIP  NVRAM 存储器芯片 封装类型 EDIP  Maxim NVRAM 存储器芯片 封装类型 EDIP   高度 9.4mm  Maxim 高度 9.4mm  NVRAM 存储器芯片 高度 9.4mm  Maxim NVRAM 存储器芯片 高度 9.4mm   接口类型 并行  Maxim 接口类型 并行  NVRAM 存储器芯片 接口类型 并行  Maxim NVRAM 存储器芯片 接口类型 并行   宽度 18.29mm  Maxim 宽度 18.29mm  NVRAM 存储器芯片 宽度 18.29mm  Maxim NVRAM 存储器芯片 宽度 18.29mm   数据总线宽度 8Bit  Maxim 数据总线宽度 8Bit  NVRAM 存储器芯片 数据总线宽度 8Bit  Maxim NVRAM 存储器芯片 数据总线宽度 8Bit   引脚数目 24  Maxim 引脚数目 24  NVRAM 存储器芯片 引脚数目 24  Maxim NVRAM 存储器芯片 引脚数目 24   组织 2K x 8 位  Maxim 组织 2K x 8 位  NVRAM 存储器芯片 组织 2K x 8 位  Maxim NVRAM 存储器芯片 组织 2K x 8 位   最长随机存取时间 200ns  Maxim 最长随机存取时间 200ns  NVRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 200ns  Maxim NVRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 200ns   最大工作电源电压 5.5 V  Maxim 最大工作电源电压 5.5 V  NVRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 5.5 V  Maxim NVRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 5.5 V   最低工作温度 0 °C  Maxim 最低工作温度 0 °C  NVRAM 存储器芯片 最低工作温度 0 °C  Maxim NVRAM 存储器芯片 最低工作温度 0 °C   最高工作温度 +70 °C  Maxim 最高工作温度 +70 °C  NVRAM 存储器芯片 最高工作温度 +70 °C  Maxim NVRAM 存储器芯片 最高工作温度 +70 °C   最小工作电源电压 4.5 V  Maxim 最小工作电源电压 4.5 V  NVRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 4.5 V  Maxim NVRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 4.5 V  
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型号 制造商 描述 操作
DS1220AD-200+
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IC NVSRAM 16KBIT 200NS 24EDIP

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NVRAM 16k Nonvolatile SRAM

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NVRAM NVSRAM Parallel 16K-Bit 5V 24-Pin EDIP - Rail/Tube (Alt: DS1220AD-200+)

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DS1220AD-200IND+
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NVRAM NVSRAM Parallel 16K-Bit 5V 24-Pin EDIP - Rail/Tube (Alt: DS1220AD-200IND+)

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DS1220AD-200+
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NON-VOLATILE SRAM, 16KBIT, 200NS, EDIP24

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DS1220 Series 16 kb (2 k x 8) 200 ns Commercial Temp Non-Volatile SRAM - DIP-24

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DS1220AD-200+
MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1220AD-200+		2516491

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非易失随机存储器 (NVRAM), SRAM, 16 Kbit, 2K x 8位, 200 ns, EDIP

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非易失随机存储器 (NVRAM), SRAM, 16 Kbit, 2K x 8位, 200 ns, EDIP

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Maxim Integrated - DS1220AD-200+ - IC NVSRAM 16KBIT 200NS 24EDIP		Maxim Integrated
IC NVSRAM 16KBIT 200NS 24EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 16Kb （2K x 8） 并联 200ns 24-EDIP

型号：DS1220AD-200+
仓库库存编号：DS1220AD-200+-ND

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Maxim Integrated - DS1220AD-200 - IC NVSRAM 16KBIT 200NS 24EDIP		Maxim Integrated
IC NVSRAM 16KBIT 200NS 24EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 16Kb （2K x 8） 并联 200ns 24-EDIP

型号：DS1220AD-200
仓库库存编号：DS1220AD-200-ND
别名：DS1220AD200 <br>

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Maxim Integrated - DS1220AD-200IND+ - IC NVSRAM 16KBIT 200NS 24EDIP		Maxim Integrated
IC NVSRAM 16KBIT 200NS 24EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 16Kb （2K x 8） 并联 200ns 24-EDIP

型号：DS1220AD-200IND+
仓库库存编号：DS1220AD-200IND+-ND

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Maxim Integrated - DS1220AD-200IND - IC NVSRAM 16KBIT 200NS 24EDIP		Maxim Integrated
IC NVSRAM 16KBIT 200NS 24EDIP
详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 16Kb （2K x 8） 并联 200ns 24-EDIP

型号：DS1220AD-200IND
仓库库存编号：DS1220AD-200IND-ND

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Maxim - DS1220AD-200+ - Maxim DS1220AD-200+ 16kbit NVRAM 存储器, 4.5 → 5.5 V电源, 0 → +70 °C, 24引脚 EDIP封装
制造商零件编号：
DS1220AD-200+
品牌：
Maxim
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132-659
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Maxim - DS1220AD-200IND+ - Maxim DS1220AD-200IND+, 16kbit SRAM 内存芯片, 2K x 8 位, 4.5 → 5.5 V, 24针 EDIP封装
制造商零件编号：
DS1220AD-200IND+
品牌：
Maxim
库存编号：
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DS1220AD-200|MaximDS1220AD-200
Maxim		IC，存储器，NVRAM，16384 位，CMOS，DS1220AD200
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Maxim Integrated		IC NVSRAM 16KBIT 200NS 24EDIP
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Maxim Integrated		IC NVSRAM 16KBIT 200NS 24EDIP
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DS1220AD-200+产品技术参数资料

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