DS1220AB-100+,132-621,DS1220AB-100+, 16kbit NVRAM 存储器, 4.75 → 5.25 V, 0 → +70 °C, 24针 EDIP封装 ,Maxim
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DS1220AB-100+
DS1220AB-100+, 16kbit NVRAM 存储器, 4.75 → 5.25 V, 0 → +70 °C, 24针 EDIP封装
制造商零件编号:
DS1220AB-100+
制造商:
Maxim
Maxim
库存编号:
132-621
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
DS1220AB-100+产品详细信息
非易失 RAM,Maxim Integrated
DS1220AB-100+产品技术参数
安装类型
通孔
长度
34.04mm
尺寸
34.04 x 18.29 x 9.4mm
存储器大小
16Kbit
封装类型
EDIP
高度
9.4mm
接口类型
并行
宽度
18.29mm
数据总线宽度
8Bit
引脚数目
24
组织
2K x 8 位
最长随机存取时间
100ns
最大工作电源电压
5.25 V
最低工作温度
0 °C
最高工作温度
+70 °C
最小工作电源电压
4.75 V
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DS1220AB-100+相关搜索
安装类型 通孔
Maxim 安装类型 通孔
NVRAM 存储器芯片 安装类型 通孔
Maxim NVRAM 存储器芯片 安装类型 通孔
长度 34.04mm
Maxim 长度 34.04mm
NVRAM 存储器芯片 长度 34.04mm
Maxim NVRAM 存储器芯片 长度 34.04mm
尺寸 34.04 x 18.29 x 9.4mm
Maxim 尺寸 34.04 x 18.29 x 9.4mm
NVRAM 存储器芯片 尺寸 34.04 x 18.29 x 9.4mm
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存储器大小 16Kbit
Maxim 存储器大小 16Kbit
NVRAM 存储器芯片 存储器大小 16Kbit
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封装类型 EDIP
Maxim 封装类型 EDIP
NVRAM 存储器芯片 封装类型 EDIP
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高度 9.4mm
Maxim 高度 9.4mm
NVRAM 存储器芯片 高度 9.4mm
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接口类型 并行
Maxim 接口类型 并行
NVRAM 存储器芯片 接口类型 并行
Maxim NVRAM 存储器芯片 接口类型 并行
宽度 18.29mm
Maxim 宽度 18.29mm
NVRAM 存储器芯片 宽度 18.29mm
Maxim NVRAM 存储器芯片 宽度 18.29mm
数据总线宽度 8Bit
Maxim 数据总线宽度 8Bit
NVRAM 存储器芯片 数据总线宽度 8Bit
Maxim NVRAM 存储器芯片 数据总线宽度 8Bit
引脚数目 24
Maxim 引脚数目 24
NVRAM 存储器芯片 引脚数目 24
Maxim NVRAM 存储器芯片 引脚数目 24
组织 2K x 8 位
Maxim 组织 2K x 8 位
NVRAM 存储器芯片 组织 2K x 8 位
Maxim NVRAM 存储器芯片 组织 2K x 8 位
最长随机存取时间 100ns
Maxim 最长随机存取时间 100ns
NVRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 100ns
Maxim NVRAM 存储器芯片 最长随机存取时间 100ns
最大工作电源电压 5.25 V
Maxim 最大工作电源电压 5.25 V
NVRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 5.25 V
Maxim NVRAM 存储器芯片 最大工作电源电压 5.25 V
最低工作温度 0 °C
Maxim 最低工作温度 0 °C
NVRAM 存储器芯片 最低工作温度 0 °C
Maxim NVRAM 存储器芯片 最低工作温度 0 °C
最高工作温度 +70 °C
Maxim 最高工作温度 +70 °C
NVRAM 存储器芯片 最高工作温度 +70 °C
Maxim NVRAM 存储器芯片 最高工作温度 +70 °C
最小工作电源电压 4.75 V
Maxim 最小工作电源电压 4.75 V
NVRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 4.75 V
Maxim NVRAM 存储器芯片 最小工作电源电压 4.75 V
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DS1220AB-100+产品技术参数资料
DS1220AB/AD 16k Nonvolatile SRAM Data sheet
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