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安装类型	表面贴装
长度	3.4mm
尺寸	3.4 x 1.77 x 0.22mm
典型关断延迟时间	38000 ns
典型接通延迟时间	80 ns
典型栅极电荷@Vgs	100 nC @ 4.5 V
封装类型	CSP
高度	0.22mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	共漏极
宽度	1.77mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	2
通道类型	N
通道模式	消耗
引脚数目	6
正向跨导	19S
最大功率耗散	2.5 W
最大连续漏极电流	27 A
最大漏源电压	12 V
最大漏源电阻值	0.0063 Ω
最大栅阈值电压	1.3V
最大栅源电压	±8 V
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	0.5V
关键词

安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 3.4mm  ON Semiconductor 长度 3.4mm  MOSFET 晶体管 长度 3.4mm  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 3.4mm   尺寸 3.4 x 1.77 x 0.22mm  ON Semiconductor 尺寸 3.4 x 1.77 x 0.22mm  MOSFET 晶体管 尺寸 3.4 x 1.77 x 0.22mm  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 3.4 x 1.77 x 0.22mm   典型关断延迟时间 38000 ns  ON Semiconductor 典型关断延迟时间 38000 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 38000 ns  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 38000 ns   典型接通延迟时间 80 ns  ON Semiconductor 典型接通延迟时间 80 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 80 ns  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 80 ns   典型栅极电荷@Vgs 100 nC @ 4.5 V  ON Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 100 nC @ 4.5 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 100 nC @ 4.5 V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 100 nC @ 4.5 V   封装类型 CSP  ON Semiconductor 封装类型 CSP  MOSFET 晶体管 封装类型 CSP  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 CSP   高度 0.22mm  ON Semiconductor 高度 0.22mm  MOSFET 晶体管 高度 0.22mm  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 0.22mm   晶体管材料 Si  ON Semiconductor 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 共漏极  ON Semiconductor 晶体管配置 共漏极  MOSFET 晶体管 晶体管配置 共漏极  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管配置 共漏极   宽度 1.77mm  ON Semiconductor 宽度 1.77mm  MOSFET 晶体管 宽度 1.77mm  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 1.77mm   类别 功率 MOSFET  ON Semiconductor 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 2  ON Semiconductor 每片芯片元件数目 2  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2   通道类型 N  ON Semiconductor 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 消耗  ON Semiconductor 通道模式 消耗  MOSFET 晶体管 通道模式 消耗  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 消耗   引脚数目 6  ON Semiconductor 引脚数目 6  MOSFET 晶体管 引脚数目 6  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 6   正向跨导 19S  ON Semiconductor 正向跨导 19S  MOSFET 晶体管 正向跨导 19S  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 正向跨导 19S   最大功率耗散 2.5 W  ON Semiconductor 最大功率耗散 2.5 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2.5 W  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2.5 W   最大连续漏极电流 27 A  ON Semiconductor 最大连续漏极电流 27 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 27 A  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 27 A   最大漏源电压 12 V  ON Semiconductor 最大漏源电压 12 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 12 V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 12 V   最大漏源电阻值 0.0063 Ω  ON Semiconductor 最大漏源电阻值 0.0063 Ω  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 0.0063 Ω  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 0.0063 Ω   最大栅阈值电压 1.3V  ON Semiconductor 最大栅阈值电压 1.3V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.3V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.3V   最大栅源电压 ±8 V  ON Semiconductor 最大栅源电压 ±8 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±8 V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±8 V   最高工作温度 +150 °C  ON Semiconductor 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 0.5V  ON Semiconductor 最小栅阈值电压 0.5V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.5V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.5V  

• EFC8811R Power MOSFET Datasheet