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安装类型	表面贴装
长度	6.7mm
尺寸	6.7 x 3.7 x 1.6mm
典型关断延迟时间	12.1（P 通道）ns，6.6（N 通道）ns
典型接通延迟时间	1.2（P 沟道）ns，1.7（N 沟道）ns
典型输入电容值@Vds	190 pF@ 25 V, 204 pF@ -15 V
典型栅极电荷@Vgs	3.9 nC @ 10 V，5.2 nC @ 10 V
封装类型	SM
高度	1.6mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	全桥
宽度	3.7mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	4
通道类型	N，P
通道模式	增强
引脚数目	8
最大功率耗散	1.7 W
最大连续漏极电流	1.8 A，3.1 A
最大漏源电压	30（N 通道）V，-30（P 通道）V
最大漏源电阻值	180 mΩ，330 mΩ
最大栅阈值电压	3V
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
关键词

安装类型 表面贴装  DiodesZetex 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  DiodesZetex MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 6.7mm  DiodesZetex 长度 6.7mm  MOSFET 晶体管 长度 6.7mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 长度 6.7mm   尺寸 6.7 x 3.7 x 1.6mm  DiodesZetex 尺寸 6.7 x 3.7 x 1.6mm  MOSFET 晶体管 尺寸 6.7 x 3.7 x 1.6mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 尺寸 6.7 x 3.7 x 1.6mm   典型关断延迟时间 12.1（P 通道）ns，6.6（N 通道）ns  DiodesZetex 典型关断延迟时间 12.1（P 通道）ns，6.6（N 通道）ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 12.1（P 通道）ns，6.6（N 通道）ns  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 12.1（P 通道）ns，6.6（N 通道）ns   典型接通延迟时间 1.2（P 沟道）ns，1.7（N 沟道）ns  DiodesZetex 典型接通延迟时间 1.2（P 沟道）ns，1.7（N 沟道）ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 1.2（P 沟道）ns，1.7（N 沟道）ns  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 1.2（P 沟道）ns，1.7（N 沟道）ns   典型输入电容值@Vds 190 pF@ 25 V, 204 pF@ -15 V  DiodesZetex 典型输入电容值@Vds 190 pF@ 25 V, 204 pF@ -15 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 190 pF@ 25 V, 204 pF@ -15 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 190 pF@ 25 V, 204 pF@ -15 V   典型栅极电荷@Vgs 3.9 nC @ 10 V，5.2 nC @ 10 V  DiodesZetex 典型栅极电荷@Vgs 3.9 nC @ 10 V，5.2 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 3.9 nC @ 10 V，5.2 nC @ 10 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 3.9 nC @ 10 V，5.2 nC @ 10 V   封装类型 SM  DiodesZetex 封装类型 SM  MOSFET 晶体管 封装类型 SM  DiodesZetex MOSFET 晶体管 封装类型 SM   高度 1.6mm  DiodesZetex 高度 1.6mm  MOSFET 晶体管 高度 1.6mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 高度 1.6mm   晶体管材料 Si  DiodesZetex 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  DiodesZetex MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 全桥  DiodesZetex 晶体管配置 全桥  MOSFET 晶体管 晶体管配置 全桥  DiodesZetex MOSFET 晶体管 晶体管配置 全桥   宽度 3.7mm  DiodesZetex 宽度 3.7mm  MOSFET 晶体管 宽度 3.7mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 宽度 3.7mm   类别 功率 MOSFET  DiodesZetex 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  DiodesZetex MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 4  DiodesZetex 每片芯片元件数目 4  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 4  DiodesZetex MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 4   通道类型 N，P  DiodesZetex 通道类型 N，P  MOSFET 晶体管 通道类型 N，P  DiodesZetex MOSFET 晶体管 通道类型 N，P   通道模式 增强  DiodesZetex 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  DiodesZetex MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 8  DiodesZetex 引脚数目 8  MOSFET 晶体管 引脚数目 8  DiodesZetex MOSFET 晶体管 引脚数目 8   最大功率耗散 1.7 W  DiodesZetex 最大功率耗散 1.7 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.7 W  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.7 W   最大连续漏极电流 1.8 A，3.1 A  DiodesZetex 最大连续漏极电流 1.8 A，3.1 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 1.8 A，3.1 A  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 1.8 A，3.1 A   最大漏源电压 30（N 通道）V，-30（P 通道）V  DiodesZetex 最大漏源电压 30（N 通道）V，-30（P 通道）V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30（N 通道）V，-30（P 通道）V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30（N 通道）V，-30（P 通道）V   最大漏源电阻值 180 mΩ，330 mΩ  DiodesZetex 最大漏源电阻值 180 mΩ，330 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 180 mΩ，330 mΩ  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 180 mΩ，330 mΩ   最大栅阈值电压 3V  DiodesZetex 最大栅阈值电压 3V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 3V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 3V   最大栅源电压 ±20 V  DiodesZetex 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  DiodesZetex 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  DiodesZetex 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  

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